Демарина, Н. В. Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии [Текст] / Н. В. Демарина, С. В. Оболенский // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N1. - Библиогр.: с.71 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- нанокластеры -- арсенид галлия -- радиационное воздействие Аннотация: Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии Доп.точки доступа: Оболенский, С.В. |
539.19 К 445 Кислов, В. В. Электронный транспорт через молекулярный нанокластер [Текст] / В. В. Кислов, В. В. Колесов, И. В. Таранов // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N11. - Библиогр.:с.1390 (10 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): кулоновская лестница -- кулоновское взаимодействие -- молекулярные нанокластеры -- нанокластеры -- туннельный ток -- электронное туннелирование -- электронный транспорт -- электроны Аннотация: Рассмотрена модель туннельного транспорта через молекулярный нанокластер, содержащий конечное число изолированных локальных уровней. В рамках рассматриваемой модели исследовано одноэлектронное резонансное туннелирование при конечной температуре при учете электрон-электронного кулоновского взаимодействия. Показано, что вольт-амперная характеристика такого туннельного перехода имеет вид кулоновской лестницы, однако число ступеней лестницы равно числу дискретных уровней нанокластера и фронт каждой ступени является асимптотически линейным с конечным наклоном. Вычислены вольт-амперные характеристики, которые находятся в соответствии с полученными ранее экспериментальными данными для туннельного тока через молекулярные нанокластерные объекты при комнатной температуре. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Колесов, В.В.; Таранов, И.В. |
53 Б 953 Быков, А. А. Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием [Текст] / А. А. Быков, И. В. Марчишин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 1. - С. 69-73 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры с модулированным легированием -- электронный транспорт -- постоянный электрический ток -- электрический пробой -- холловское поле Аннотация: Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока I[dc] на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре T = 4. 2 К в магнитных полях В до 2Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления R[xx] в магнитных полях выше некоторого критического значения В[c]. Показано, что при прочих равных условиях величина В[c] тем меньше, чем больше ток I[dc]. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля. Доп.точки доступа: Марчишин, И. В.; Бакаров, А. К.; Занг, Ж. К.; Виткалов, С. А. |
537 С 210 Сатарин, К. К. Переход электрона вдоль атомной цепочки [Текст] / К. К. Сатарин, Д. К. Шестаков, И. К. Гайнуллин, И. Ф. Уразгильдин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 98-101 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): переход электрона -- атомная цепочка -- электронный транспорт Аннотация: Предложено решение задачи электронного транспорта вдоль линейной цепочки атомов водорода. Для расчетов применялся метод распространения волновых пакетов, не использующий теорию возмущений. Показано, что потенциальный барьер между атомами цепочки существенно влияет на эффективность электронного перехода; описан характер распространения электрона вдоль цепочки. Доп.точки доступа: Шестаков, Д. К.; Гайнуллин, И. К.; Уразгильдин, И. Ф. |
53.07 Ж 860 Жуков, А. А. Сканирующий зондовый микроскоп для исследования электронного транспорта при низких температурах [Текст] / А. А. Жуков // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 1. - С. 142-146. - Библиогр.: с. 146 (15 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы Кл.слова (ненормированные): микроскопы -- зондовые микроскопы -- сканирующие микроскопы -- электронный транспорт -- низкие температуры -- нанотрубки Аннотация: Изготовлен сканирующий зондовый микроскоп, позволяющий исследовать свойства электронного транспорта, в частности, в углеродных нанотрубах при криогенных температурах. |
621.3 Г 124 Гавриленко, В. И. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN [Текст] / В. И. Гавриленко, Е. В. Демидов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 238-241 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- субмикрометровый полевой транзистор -- электронный транспорт -- терагерцовое излучение Аннотация: Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0. 25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов n[s] ? 5ъ10\{12\} см\{-2\}) при 4. 2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля. Доп.точки доступа: Демидов, Е. В.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Knap, W.; Lusakowski, J. |
621.315.592 А 724 Антонова, И. В. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN [Текст] / И. В. Антонова, В. И. Поляков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53-59
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- спектроскопия глубоких уровней -- электронный транспорт -- гетероструктуры -- AlGaN/GaN -- центры с глубокими уровнями Аннотация: На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~ 10\{13\} см\{-2\} и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице. Доп.точки доступа: Поляков, В. И.; Руковишников, А. И.; Мансуров, В. Г.; Журавлев, К. С. |
Электронный транспорт в пленках аморфных металл-углеродных нанокомпозитов [Текст] / А. Д. Божко [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2007. - N 4. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 29-30 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные металл-углеродные нанокомпозиты -- металл-углеродные нанокомпозиты -- нанокомпозиты -- пленки (физика) -- электронный транспорт Аннотация: Исследована электропроводность пленок аморфных W-, Nb- и Cr-углеродных нанокомпозитов, содержащих кремний и кислород. Доп.точки доступа: Божко, А. Д.; Катаева, Е. А.; Такаги, Т.; Михеев, М. Г.; Гусева, М. Б. |
Чаплыгин, Ю. А. Баллистические молекулярные проводники в матрице эпоксидиановой смолы [Текст] / Ю. А. Чаплыгин, В. К. Неволин, С. В. Хартов // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 412, N 6. - С. 764-767. - Библиогр.: с. 767. - Рис . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): баллистические проводники -- молекулярные проводники -- эпоксидиановая смола -- полимерные матрицы -- электронный транспорт -- планарные проводники -- углеродные нанотрубки -- электрическое поле -- диэлектрики Аннотация: Выявлены условия формирования молекулярных проводников в матрице эпоксидиановой смолы. Показано, что электронный транспорт в таких проводниках близок к баллистическому. Получены планарные молекулярные проводники с углеродными нанотрубками в качестве электродов. Доп.точки доступа: Неволин, В. К.; Хартов, С. В. |
Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] : текст / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. |
Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях-модель аморфного полупроводника [Текст] / М. И. Даунов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 20-24. - Библиогр.: c. 24 (22 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- всестороннее давление -- квазибесщелевые полупроводники -- модель аморфного полупроводника -- электронный транспорт -- энергетический спектр Аннотация: Обобщены данные об энергетическом спектре и электронном транспорте при всестороннем давлении в сильно легированных компенсированных полупроводниках с глубокой примесной зоной, расположенной на хвосте плотности состояний собственной зоны. Показана целесообразность использования подобных объектов, подвергнутых воздействию высокого давления, для моделирования аморфного полупроводника. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Магомедов, А. Б. |
Вершубский, А. В. Математическая модель электронного и протонного транспорта в фотосинтетических системах оксигенного типа [Текст] / А. В. Вершубский, В. И. Приклонский, А. Н. Тихонов // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2007. - Т. 51, N 1. - С. 59-69. - Библиогр.: c. 68-69 (56 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Биология Общая биофизика Кл.слова (ненормированные): АТФ -- бактерии -- водоросли -- диффузионные ограничения -- латеральные профили -- математические модели -- протонный транспорт -- растения -- тилакоиды -- фотосинтетические системы -- хлоропласты -- электронный транспорт Аннотация: Обобщены результаты исследований, посвященных математическому моделированию электронного и протонного транспорта в хлоропластах высших растений с учетом латеральной гетерогенности их ламеллярной системы. Доп.точки доступа: Приклонский, В. И.; Тихонов, А. Н. |
Кукушкин, А. К. Физико-химические исследования механизмов и регуляции фотосинтеза высших растений [Текст]. 2. Индукция люминесценции в исследованиях регуляции фотосинтеза / А. К. Кукушкин, С. А. Кузнецова, А. А. Долгополова // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2007. - Т. 51, N 1. - С. 76-87. - Библиогр.: c. 87 (58 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): активация -- ассимиляция углерода -- индукция -- Калевина цикл -- люминесценция -- регуляция -- светособирающие пигменты -- темновые реакции -- ферменты -- флуоресценция -- фотосинтез -- цикл Калевина -- электронный транспорт Аннотация: Рассмотрены результаты исследований регуляции фотосинтеза высших растений. Доп.точки доступа: Кузнецова, С. А.; Долгополова, А. А. |
Кукушкин, А. К. Физико-химические исследования механизмов и регуляции фотосинтеза высших растений [Текст]. 2. Индукция люминесценции в исследованиях регуляции фотосинтеза / А. К. Кукушкин, С. А. Кузнецова, А. А. Долгополова // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2007. - Т. 51, N 1. - С. 76-87. - Библиогр.: c. 87 (58 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): активация -- ассимиляция углерода -- индукция -- Калевина цикл -- люминесценция -- регуляция -- светособирающие пигменты -- темновые реакции -- ферменты -- флуоресценция -- фотосинтез -- цикл Калевина -- электронный транспорт Аннотация: Рассмотрены результаты исследований регуляции фотосинтеза высших растений. Доп.точки доступа: Кузнецова, С. А.; Долгополова, А. А. |
Маргулис, В. А. Квазибаллистический электронный транспорт в квантовых проволоках [Текст] / В. А. Маргулис, А. В. Шорохов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 5. - С. 1041-1046. - Библиогр.: с. 1046 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квазибаллистический электронный транспорт -- электронный транспорт -- квантовые проволоки -- симметричное сечение -- транспортные режимы -- квазибаллистический транспортный режим -- рассеяние -- магнитокондактанс -- магнитотермоэдс Аннотация: Исследование квазибаллистического транспортного режима в квантовой проволоке с симметричным сечением. Исследуется проявление рассеяния на примесях в таких транспортных характеристиках как магнитокондактанс и магнитотермоэдс. Доп.точки доступа: Шорохов, А. В. |
Трифанова, Е. С. Резонансные эффекты в искривленных квантовых волноводах, связанных через отверстия [Текст] / Е. С. Трифанова // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 4. - С. 60-65
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые волноводы -- наноструктуры -- электронный транспорт -- резонансные эффекты -- условия Дирихле -- Дирихле условия -- условия Неймана -- Неймана условия Аннотация: Исследуется система двух плоских искривленных волноводов, связанных через малое отверстие. На внешних границах волноводов ставятся условия Дирихле, на границах, содержащих отверстие, - условия Неймана. Получено асимптотичеcкое разложение (по ширине отверстия) резонанса, вызванного отверстием, и связанного состояния, вызванного кривизной. Используется техника согласования асимптотических разложений решений краевых задач. |
Гатиятов, Р. Г. Баллистический и диффузный режимы транспорта электронов в наноконтактах магнетиков [Текст] / Р. Г. Гатиятов, В. Н. Лисин, А. А. Бухараев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 461-463
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): наноконтакты -- диффузный режим -- баллистический режим -- магнетики -- приконтактная область -- критические температуры -- магнитные фазовые переходы -- фазовые переходы -- транспортная длина -- электронный транспорт Аннотация: Экспериментально наблюдался переход от баллистического режима транспорта электронов к диффузному при изучении магнитного фазового перехода в наноконтактах Ni различных размеров. Показано, что величина напряжения U[C], необходимая для джоулева нагрева приконтактной области до критической температуры, не зависит от размера контакта только в диффузном режиме. Продемонстрирована важность учета уменьшения транспортной длины свободного пробега электронов вследствие нагрева приконтактной области при определении режима электронного транспорта в наноконтактах. Доп.точки доступа: Лисин, В. Н.; Бухараев, А. А. |
Артеменко, С. Н. Электронный транспорт в коррелированном квантовом проводе с объемными контактами [Текст] / С. Н. Артеменко, П. П. Асеев, Д. С. Шапиро // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 11. - С. 659-663
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- адиабатические контакты -- межэлектронное взаимодействие -- квантовые провода -- объемные контакты -- фриделевские осцилляции -- проводимость системы Аннотация: Теоретически исследуется электронный транспорт через контакты одномерной (1D) системы взаимодействующих электронов с металлическими 2D или 3D электродами. Выведены граничные условия на контактах. Показано, что если контакт не является адиабатическим, то возникающие в 1D фриделевские осцилляции (ФО) плотности заряда сильно подавляют проводимость системы аналогично действию примесей в системах 1D электронов с отталкиванием. Существует пороговое напряжение V[T], выше которого проводимость резко увеличивается, причем протекание постоянного тока I сопровождается генерацией колебаний тока с частотой f=I/e. Эффект связан с межэлектронным взаимодействием и пропадает в коротких проводящих каналах длиной L меньше L[0] приблизительно равно (h nu[F] / e V[T]) и при температурах T больше T[0] приблизительно равно (e V[T] / k[B] ). Доп.точки доступа: Асеев, П. П.; Шапиро, Д. С. |
Векилов, Ю. Х. Квазикристаллы [Текст] / Ю. Х. Векилов, М. А. Черников // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 6. - С. 561-586 : 12 рис. - Библиогр.: с. 584-586 (228 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Элементарные частицы Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квазикристаллы -- электронные спектры -- кристаллические решетки -- структура квазикристаллов -- атомные кластеры -- апериодическое заполнение -- атомные структуры -- электронный транспорт -- фазонные деформации -- тепловой транспорт Аннотация: Обзор включает следующие темы: структура квазикристаллов, электронные спектры, спектры возбуждений решетки, физические свойства, применения. Обсуждается апериодическое заполнение пространства по определенным правилам несколькими различными структурными блоками или перекрывающимися атомными кластерами. Рассматриваются модели регулярной и случайной укладки, икосаэдрического стекла, а также фазонные деформации. Обсуждается влияние апериодического дальнего порядка и локальной атомной структуры на электронный и тепловой транспорт, оптические, магнитные и другие свойства. Доп.точки доступа: Черников, М. А. |
Даунов, М. И. О природе "тяжелых" электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 180-186
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бесщелевые полупроводники p-типа -- HgTe -- тяжелые электроны -- электронный транспорт Аннотация: Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой "тяжелыми" электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R (T, H, P) и удельной электропроводности сигма[0] (T, P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |