+ Б 898 Брюшинин, М. А. Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия [Текст] / М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, И. А. Соколов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.86 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- фотоприемники -- фотоэдс Аннотация: Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения Доп.точки доступа: Куликов, В.В.; Соколов, И.А. |
539.2 Б 898 Брюшинин, М. А. Нелинейное взаимодействие бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости в кристалле Bi[12]SiO[20] [Текст] / М. А. Брюшинин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 66 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бегущие решетки -- нелинейные взаимодействия -- объемные заряды -- фотопроводимость -- фоторефрактивные кристаллы Аннотация: Экспериментально исследуется эффект нелинейного взаимодействия бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости. Для наблюдения этого эффекта кристалл с приложенным постоянным электрическим полем освещается колеблющейся интерференционной картиной с пространственной частотой K и частотой колебаний omega. К образцу прикладывается также переменное электрическое поле с частотой Omega. При определенном выборе частот omega и Omega в кристалле происходит совместное возбуждение и взаимодействие двух собственных типов колебаний: решетки объемного заряда, бегущей со скоростью |omega-Omega|/K, и решетки фотопроводимости, бегущей со скоростью -omega/K. Исследования эффекта проведены с помощью метода нестационарной фотоэдс в фоторефрактивном кристалле Bi[12]SiO[20]. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-62.html.ru |