Чеснис, A. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте Доп.точки доступа: Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А. |
22.37 Б 480 Берашевич, Ю. А. Элемент памяти на периодических наноразмерных Si/CaF[2] структурах [Текст] / Ю. А. Берашевич, А. В. Королев, А. Л. Данилюк, В. Е. Борисенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.71-72 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): логические элементы -- наноразмерные структуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- элемент памяти Аннотация: Предложен элемент памяти на основе периодической наноразмерной Si/CaF[2] структуры, в котором запись информации осуществляется путем захвата заряда на ловушечные состояния в диэлектрике (CaF[2]). Высокий и низкий уровни сигнала в нем соответствуют току в максимуме и минимуме области отрицательного дифференциального сопротивления, возникающей в результате туннельно-резонансного переноса носителей заряда по уровню ловушек и диэлектрике. Быстродействие таких логических элементов определяется темпом активационного захвата носителей заряда на ловушечное состояние и темпом туннельного переноса носителей от одного состояния к следующему. Показано, что логические элементы на основе Si/CaF[2] структур и предложенный элемент памяти имеют диапазон рабочих температур 77-300 K, время переключения 10{-12}-10{-10} s и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных микросхем Доп.точки доступа: Королев, А.В.; Данилюк, А.Л.; Борисенко, В.Е. |
621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
Гурин, Н. Т. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 75 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- электролюминесцентные излучатели -- сульфид цинка -- МДПДМ Аннотация: Обнаружена возможность существования и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- и N-типов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Показано, что при приложении отрицательной полуволны напряжения возбуждения к верхнему непрозрачному электроду наблюдается ОДС S-типа с участком падения тока, а при приложении к нижнему прозрачному электроду - ОДС N-типа. Появление ОДС обусловлено образованием объемных зарядов в прикатодной и прианодной областях слоя люминофора Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
+ Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. В. Шляпин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 58 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- сульфид цинка -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- глубокие центры Аннотация: Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS:Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора Доп.точки доступа: Сабитов, О.Ю.; Шляпин, А.В. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
621.315.592 С 721 Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 77-89 : ил. - Библиогр.: с. 88 (58 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые наносандвичи -- спиновая интерференция -- дырки (физика) -- сверхузкие кремниевые квантовые ямы -- СККЯ -- барьеры -- квантовые ямы -- легирование бором -- бор -- разность потенциалов -- осцилляция Ааронова - Кашера -- Ааронова - Кашера осцилляция -- спиновая поляризация дырок -- эффект Холла -- Холла эффект -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- сопротивление -- электромагнитное излучение -- генерация излучения -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- сверхпроводящие каналы -- джозефсоновские переходы -- квантовые точечные контакты -- точечные контакты -- спинозависимые эффекты -- квантовые эффекты -- спиновые эффекты Аннотация: Спинозависимый транспорт дырок исследуется в кремниевых наносандвичах на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором. На основании данных измерений продольной и холловской разности потенциалов в зависимости от напряжения на вертикальном затворе в отсутствие внешнего магнитного поля идентифицируется наличие в кремниевых наносандвичах краевых каналов проводимости. При этом рост стабилизированного тока исток-сток в интервале 0. 25-5 нА последовательно проявляет значение продольной проводимости 4e{2}/h, обусловленное вкладом многократного андреевского отражения, 0. 7 (2e{2}/h), соответствующее известной особенности в квантовой лестнице проводимости, а также осцилляции Ааронова-Кашера, что свидетельствует о спиновой поляризации дырок в краевых каналах. Кроме того, в условиях низких значений стабилизированного тока исток-сток благодаря наличию спиновой поляризации регистрируется ненулевая холловская разность потенциалов, зависящая от напряжения вертикального затвора, что идентифицирует квантовый спиновый эффект Холла. Измерения продольных вольт-амперных характеристик демонстрируют наличие ступеней Фиске и участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленного генерацией электромагнитного излучения вследствие нестационарного эффекта Джозефсона. Предлагается объяснение полученных результатов в рамках модели топологических краевых состояний, представляющих собой систему из сверхпроводящих каналов, содержащих квантовые точечные контакты, способные трансформироваться в одиночные джозефсоновские переходы при увеличении величины стабилизированного тока исток-сток. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p77-89.pdf Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Даниловский, Э. Ю.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Машков, В. А. |
621.315.592 О-862 Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа, гистерезис и осцилляции на вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов [Текст] / К. М. Алиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1082-1087 : ил. - Библиогр.: с. 1087 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- высокочастотные диоды -- диоды -- постоянный ток -- ток -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- гистерезис -- сравнительный анализ Аннотация: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики сверхвысокочастотных диодов на постоянном токе при одновременном воздействии на них гармонического высокочастотного сигнала до 100 МГц большой амплитуды. На вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов обнаружены участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа, гистерезис и осцилляции тока в зависимости от амплитуды и частоты высокочастотного сигнала. Проведен сравнительный анализ и обсуждены возможные механизмы обнаруженных явлений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1082-1087.pdf Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Камилов, И. К.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
621.315.592 И 205 Иванов, П. А. Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p{+}-p-n{+}-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 548-550 : ил. - Библиогр.: с. 550 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- диоды -- эпитаксиальные структуры -- экспериментальные образцы -- ударная ионизация -- ионизация -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- возбужденное состояние (физика) -- атомы алюминия Аннотация: Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с p-базой в диапазоне температур 77-300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC p{+}-p-n{+}-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в p-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным "диодным" участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением - регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p548-550.pdf Доп.точки доступа: Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
621.315.592 С 899 Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe[2] и TlInTe[2] [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1441-1445 : ил. - Библиогр.: с. 1444 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): суперионная проводимость -- температурные зависимости -- электропроводность -- одномерные монокристаллы -- монокристаллы -- ионная проводимость -- диффузия ионов -- подрешетки -- таллий -- наноцепочки -- осцилляция напряжения -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- электрические поля -- электрические свойства -- кристаллы Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности sigma (T), а также эффекты переключения и памяти в одномерных монокристаллах TlInSe[2] и TlInTe[2]. На зависимости sigma (T) выше температуры 333 K обнаружена особенность, которая связывается с переходом кристаллов в состояние с суперионной проводимостью. Предложенный механизм ионной проводимости связывается с диффузией ионов Tl{+} по вакансиям в подрешетке таллия между наноцепочками (nanorods) (In{3+}Te{2-}[2]) {-} и (In{3+}Se{2-}[2]) {-}. Обнаружены эффекты S-образного переключения и памяти в кристаллах TlInSe[2] и TlInTe[2], а также осцилляции напряжения в области отрицательного дифференциального сопротивления. Делается предположение, что эффект переключения и осцилляции напряжения связаны с переходом кристаллов в суперионное состояние, сопровождаемое "плавлением" подрешетки Tl. Обнаружен эффект индуцированного электрическим полем перехода кристаллов TlInSe[2] и TlInTe[2] в суперионное состояние. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1441-1445.pdf Доп.точки доступа: Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Салманов, Ф. Т.; Алекперов, О. З.; Гусейнов, Э. К.; Алиева, Н. А. |
538.913 К 887 Кудасов, Ю. Б. Корреляционный механизм отрицательного дифференциального сопротивления при протекании туннельного тока через молекулу [Текст] / Ю. Б. Кудасов // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 189-192. - Библиогр.: c. 192 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): туннельный ток -- метод уравнений движения -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- молекулярные проводники -- сильные корреляции -- вольт-амперные характеристики -- моделирование Аннотация: Исследована модель протекания тока через одиночную молекулу с двумя электронными состояниями, одно из которых сильно гибридизировано с контактами, а другое - локализовано. |
621.315.592 Н 306 Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках / Т. Т. Мнацаканов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 302-309 : ил. - Библиогр.: с. 309 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- двойная инжекция -- инжекция -- электрофизические параметры -- квазинейтральность -- плотность тока -- легированные проводники -- нейтральность -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление Аннотация: Показано, что в легированном n-слое p{+}-n-n{+}-структур в условиях двойной инжекции при высоком уровне инжекции и определенном сочетании электрофизических параметров может произойти нарушение квазинейтральности с последующим ее восстановлением при увеличении плотности тока. Нарушение квазинейтральности влечет за собой заметное увеличение напряжения на базе, а последующее восстановление нейтральности - к резкому падению напряжения. В результате формируется S-образная вольт-амперная характеристика. Характерное значение пороговой плотности тока, при которой формируется участок S-образного сопротивления, пропорционально уровню легирования базы N[d]. It has been demonstrated that in doped layer of p{+}-n-n{+}-structure under double injection and high injection level the breaking ob quasi-neutrality could occurs at some combination of electro-physical parameters. The quasi-neutrality breaking results in appreciable increase in voltage drop across the base. With further current density increase the quasi-neutrality is recovered that implies rather sharp decreases in voltage drop. As a result, andS-shape current-voltage characteristic is formed. The characteristic current density at which this effect occurs is directly proportional to base doping level N[d]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p302-309.pdf Доп.точки доступа: Мнацаканов, Т. Т.; Тандоев, А. Г.; Левинштейн, М. Е.; Юрков, С. Н.; Palmour, J. W. |
537.3 Г 516 Гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление вольт-амперной характеристики водного мостика / В. Б. Ошурко [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 6. - С. 151-154. - Библиогр.: c. 154 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): гистерезиз -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- вольт-амперные характеристики -- водные мостики -- парящие водные мостики -- жидкие проводники Аннотация: Экспериментально обнаружено, что обсуждавшиеся в последнее время свойства нанопористых ионно-обменных мембран (гистеризис вольт-амперной характеристики в растворе и отрицательное дифференциальное сопротивление) не связаны со свойствами мембраны. Показано, что эти эффекты наблюдаются также в парящем водном мостике и в трубках, заполненных водой, и, по-видимому, обусловлены геометрической формой жидкого проводника. Предложено качественное объяснение наблюдаемых явлений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/06/p151-154.pdf Доп.точки доступа: Ошурко, В. Б.; Федоров, А. Н.; Ропяной, А. А.; Федосов, М. В.; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" |
537.2 А 640 Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами / В. А. Гергель [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 481-486 : ил. - Библиогр.: с. 486 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): математическое моделирование -- электропроводность -- мультибарьерные гетероструктуры -- гетероструктуры -- статические вольт-амперные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неустойчивость -- электрическая неустойчивость -- динамические параметры -- полупроводниковые приборы -- аналитические модели -- численное моделирование -- результаты моделирования -- импенданс -- динамическое сопротивление -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- тестовые образцы -- положительная обратная связь -- обратные связи -- элементарные ячейки -- результаты измерений Аннотация: Методами математического моделирования электропроводности мультибарьерных гетероструктур получены статические вольт-амперные характеристики, S-образность которых свидетельствует об электрической неустойчивости. С целью изучения ее динамических параметров с использованием известных приближений физики полупроводниковых приборов построена аналитическая модель исследуемой неустойчивости, которая в статическом варианте дает S-образную форму вольт-амперной характеристики, близкую к результатам численного моделирования. Этот факт рассматривается как подтверждение адекватности развитой аналитической модели, и последняя в малосигнальном варианте обобщена на ситуацию с гармоническим электрическим возмущением. Результирующая формула для частотной зависимости малосигнального импеданса свидетельствует о возможной отрицательности динамического сопротивления вплоть до терагерцовых частот. Предложена наглядная физическая интерпретация исследуемой неустойчивости в терминах положительной обратной связи в элементарной ячейке исследуемых мультибарьерных гетероструктур. Приведены также результаты измерений квазистационарных вольт-амперных характеристик изготовленных тестовых мультибарьерных структур GaAs/AlGaAs с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления. Using mathematical modeling of conductivity in multibarrier heterostructures, static current–voltage characteristics with S-behavior indicative of electrical instability have been obtained. In order to study its dynamic parameters, using known approximations of physics of semiconductor devices, an analytical model of instability was developed which gives the static embodiment S-shape current–voltage characteristics similar to the numerical simulation results. The resulting formula for the frequancy dependence of the small-signal impedance demonstrates the possibility of a negative dynamic resistance up to teraherts frequencies. The physical interpretation of the instability in terms of positive feedback in the unit cell of the multibarrier heterostructures is formulated. The results of measurements of quasi-stationary current–voltage characteristics of the fabricated test multibarrier GaAs/AlGaAs structures, having explicit negative differential resistance are presented. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p481-486.pdf Доп.точки доступа: Гергель, В. А.; Алтухов, И. В.; Верховцева, А. В.; Галиев, Г. Б.; Горшкова, Н. М.; Жигальцов, С. С.; Зеленый, А. П.; Ильичев, Э. А.; Минкин, В. С.; Папроцкий, С. К.; Якупов, М. Н.; Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва) |
539.2 Д 403 Джафаров, М. А. Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений A{II}B{VI} / М. А. Джафаров, Э. Ф. Насиров, С. А. Мамедова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 590-596 : ил. - Библиогр.: с. 596 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- твердые растворы -- пленки растворов -- фотоэффекты -- отрицательная фотопроводимость -- ОФП -- термическая обработка -- термообработка -- ТО -- фотопроводимость -- наноразмерные электрические домены -- электрические домены -- домены Аннотация: Исследованы различные отрицательные фотоэффекты в пленках твердых растворов соединений A{II}B{VI}, осажденных из раствора, в зависимости от режима осаждения и термической обработки. Установлен единый электронно-молекулярный механизм впервые обнаруженного в пленках Cd[1-x]Zn[x]S и CdS[1-x]Se[x] отрицательного фотоемкостного эффекта и отрицательных медленно релаксирующих фотоэффектов, обусловленных переходом электронов, находящихся в наноразмерном приповерхностном слое, с мелких энергетических уровней центров прилипания на более глубокие с меньшей поляризуемостью и наличием в этих материалах наноразмерных кластеров, играющих роль "резервуара" для неосновных носителей заряда. Предложена модель, позволяющая объяснить основные закономерности отрицательной фотопроводимости в пленках Cd[1-x]Zn[x]S и Cd[1-x]Zn[x]Sе, осажденных из раствора. Установлено, что отрицательная остаточная проводимость объясняется на основе двойного барьерного рельефа, отрицательная дифференциальная фотопроводимость обусловлена наличием наноразмерных электрических доменов. Different negative photoeffects in thin films Cd[1-x]ZnxS, Cd[1-x]Zn[x]Se and CdS[1-x]Sex depending of deposition and thermal treatment regimes have been investigated. The uniform electronic-molecular mechanism was suggested for explanation of various negative phenomena, including, nonlinear current-voltage characteristics such as negative differential resistance, negative photoconductivity, negative differential photoconductivity and the negative photocapacitance effect in films Cd[1-x]Zn[x]S, Cd[1-x]Zn[x] Se and CdS[1-x]Se[x]. Negative photoconductivity was a function of the sizes of intercrystalline barriers and nanocrystallites. Negative differential photoconductivity was connected with formation of nanosize electrical domains, and the negative photocapacity- with change of charging conditions of the nanoclusters. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p590-596.pdf Доп.точки доступа: Насиров, Э. Ф.; Мамедова, С. А.; Бакинский государственный университет; Бакинский государственный университетБакинский государственный университет |
536.22/.23 Г 516 Гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление вольт-амперной характеристики водного мостика / В. Б. Ошурко [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 144-147. - Библиогр.: c. 147 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): парящие водные мостики -- водные мостики -- гистерезис -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- вольт-амперные характеристики -- ионно-обменные мембраны -- нанопористые ионно-обменные мембраны -- жидкие проводники Аннотация: Экспериментально обнаружено, что обсуждавшиеся в последнее время свойства нанопористых ионно-обменных мембран (гистеризис вольт-амперной характеристики в растворе и отрицательное дифференциальное сопротивление) не связаны со свойствами мембраны. Показано, что эти эффекты наблюдаются также в парящем водном мостике и в трубках, заполненных водой и, по-видимому, обусловлены геометрической формой жидкого проводника. Предложено качественное объяснение наблюдаемых явлений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p144-147.pdf Доп.точки доступа: Ошурко, В. Б.; Федоров, А. Н.; Ропяной, А. А.; Федосов, М. В.; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"; Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН |