539.2 Г 646 Гомоюнова, М. В. Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней атомов поверхности кремния [Текст] : обзор / М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 30-34 (203 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- атомное строение поверхности -- кремний -- фотоэлектронная спектроскопия -- фотоэлектронная спектросопия остовных уровней Аннотация: Обобщены результаты исследований атомного строения поверхности монокристаллического кремния (как чистой, так и с различными адсорбционными покрытиями) , выполненных в последние годы методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней высокого разрешения с использованием синхротронного излучения. Кратко описаны физические основы метода, техника эксперимента, методика обработки спектров и определения энергетических сдвигов остовных уровней атомов приповерхностного слоя. Особое внимание уделено поверхностным модам 2p-спектров кремния, наблюдаемых для основных типов реконструкции поверхности кристалла (Si (111) -7x7 и Si (100) -2x1) , и раскрытию взаимосвязи этих мод с особенностями атомного строения данных поверхностей. Подробно проанализированы работы, посвященные системе Ge/Si, представляющей большой интерес для развития наноэлектроники, а также проблеме адсорбции многих металлов и ряда газов на основных гранях кремния. Результаты этих исследований наглядно демонстрируют высокий потенциал рассмотренного метода для получения уникальной по своей детальности информации о структуре адсорбированных слоев и перестройке поверхности подложки, стимулированной адсорбцией. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/10/page-1.html.ru Доп.точки доступа: Пронин, И. И. |
539.2 Г 64 Гомоюнова, М. В. Взаимодействие атомов железа с поверхностью Si (100) 2x1 [] / М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 9. - С. 106-110. - Библиогр.: c. 110 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): железо; кремний; межфазные границы; металлические пленки; силицид железа; твердые растворы; фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней с использованием синхротронного излучения изучено взаимодействие атомов железа с поверхностью Si (100) 2x1 при комнатной температуре в диапазоне покрытий от субмонослойных до 6 монослоев. Показано, что межфазовая граница Fe/Si (100) 2x1 является реакционноспособной и при напылении первых монослоев железа на кремний формируется твердый раствор Fe-Si. При достижении дозы Fe, равной 4-5 монослоям, состояние системы меняется и формируется силицид Fe[3]Si. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/09/page-106.html.ru Доп.точки доступа: Пронин, И. И.; Малыгин, Д. Е.; Соловьев, С. М.; Вялых, Д. В.; Молодцов, С. Л. |
539.2 Г 64 Гомоюнова, М. В. Взаимодействие атомов кобальта с окисленной поверхностью Si (100) 2x1 [] / М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1901-1906. - Библиогр.: с. 1905-1906 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомы кобальта; излучение; кобальт; метод фотоэлектронной спектроскопии; наноэлектроника; окисление; окисленные поверхности; остовные уровни; покрытия; синхротронное излучение; спектроскопия; фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней с использованием синхротронного излучения изучены начальные стадии окисления поверхности Si (100) 2x1 и взаимодействие с ней атомов кобальта. Исследование выполнено в области покрытий кобальта до 8 ML. Доп.точки доступа: Пронин, И. И.; Малыгин, Д. Е.; Галль, Н. Р.; Вялых, Д. В.; Молодцов, С. Л. |
539.2 Г 64 Гомоюнова, М. В. Формирование сверхтонких слоев силицидов железа на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / М. В. Гомоюнова, Д. Е. Малыгин, И. И. Пронин // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1898-1902. - Библиогр.: с. 1898 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кремний; метод фотоэлектронной спектроскопии; монокристалический кремний; сверхтонкие слои; силицидные фазы; силициды железа Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения изучен твердофазный синтез силицидов железа на поверхности Si (100) 2x1, на которую при комнатной температуре была нанесена пленка железа толщиной 5 ML. С помощью компьютерного моделирования измеренных Si 2p-спектров показано, что процесс силицидообразования в исследованной системе обнаруживается уже при отжиге образца до 60 градусов Цельсия и состоит в последовательном формировании трех фаз силицидов железа - моносилицида эпсилон-FeSi, метастабильного дисилицида гамма-FeSi[2] и дисилицида, бета-FeSi[2]. Определены температурные диапазоны существования этих фаз. Обнаружена сегрегация кремния на поверхности гамма-FeSi[2]. Доп.точки доступа: Малыгин, Д. Е.; Пронин, И. И. |
539.2 Г 64 Гомоюнова, М. В. Взаимодействие атомов железа с поверхностью окисленного кремния [Текст] / М. В. Гомоюнова, Д. Е. Малыгин, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 9. - С. 136-139. - Библиогр.: c. 139 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомы железа; дисилицид железа; кремний; окисленный кремний; оксид кремния; твердые растворы; фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней с использованием синхротронного излучения изучено взаимодействие атомов железа с окисленной поверхностью Si (100) 2x1 при комнатной температуре в области покрытий от субмонослойных до четырех монослоев. С помощью компьютерного моделирования спектров Si 2p-остовных электронов выявлен эффект проникновения атомов Fe под окисный слой кремния, который наблюдается даже при комнатной температуре. Показано, что этот процесс сопровождается исчезновением интерфейсных фаз кремния, существовавших на границе SiO[x]Si, и приводит к появлению более сложной тройной фазы с участием атомов Fe, O и Si, а также к формированию в области межфазовой границы твердого раствора Fe-Si. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/09/p136-139.pdf Доп.точки доступа: Малыгин, Д. Е.; Пронин, И. И. |
539.2 В 756 Ворончихин, А. С. Формирование интерфейсных фаз силицидов железа на поверхности окисленного кремния в режиме твердофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Ворончихин, М. В. Гомоюнова, Д. Е. Малыгин, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 12. - С. 55-60. - Библиогр.: c. 60 (33 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): интерфейсные фазы; силицид железа; твердофазная эпитаксия; тройные системы; фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (~100 meV) с использованием синхротронного излучения изучены начальные стадии формирования силицидов железа в тройной системе Fe/SiO[x]/Si (100) в режиме твердофазной эпитаксии. Измерены и проанализированы спектры остовных электронов, а также электронов валентной зоны, полученные после ряда изохронных отжигов образцов до температуры 750{o}C. Установлено, что твердофазная реакция между атомами Fe и Si протекает в области межфазовой границы SiO[x]/Si, куда атомы металла проникают в процессе их нанесения на поверхность образца при комнатной температуре. Начало силицидообразования обнаружено при температуре 60{o}C. Показано, что процесс твердофазного синтеза протекает в две стадии, связанные с формированием метастабильной интерфейсной фазы FeSi со структурой типа CsCl и стабильной фазы beta-FeSi[2]. В процессе отжига происходит также перестройка окисного слоя кремния, проявляющаяся главным образом в усилении окисной фазы Si{+4} и ослабления фазы Si{+2}. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/12/p55-60.pdf Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Малыгин, Д. Е.; Пронин, И. И. |
539.2 П 815 Пронин, И. И. Магнитный линейный дихроизм фотоэмиссии из сверхтонкой пленки силицида железа [Текст] / И. И. Пронин, М. В. Гомоюнова [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 533-536. - Библиогр.: с. 536 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитный линейный дихроизм -- фотоэмиссия -- сверхтонкие пленки -- силицид железа -- пленки железа -- фотоэлектронные спектры -- намагниченность Аннотация: Эффект магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Fe 3p-электронов использован для изучения магнитных свойств поверхности Si (100) 2x1, на которую в условиях сверхвысокого вакуума при комнатной температуре наносились пленки железа толщиной до 10 монослоев. Эксперименты проведены с использованием линейно-поляризационного света с энергией фотонов 135 eV, падавшего под улом 30 градусов к поверхности. Фотоэлектронные спектры измерялись в узком телесном угле, ориентированном вдоль нормали к поверхности образца, для двух противоположных направлений намагниченности образца параллельных к плоскости его поверхности и перпендикулярных вектору пояризации световой волны. Анализ всей совокупности полученных данных показал, что эффект носит пороговый характер и возникает после нанесения восьми монослоев Fe, когда на поверхности образуется ферромагнитный силицид Fe[3]Si. Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Малыгин, Д. Е.; Вялых, Д. В.; Дедков, Ю. С.; Молодцов, С. Л. |
Гомоюнова, М. В. Процессы силицидообразования в системе Fe/Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Гомоюнова, Д. Е. Малыгин, И. И. Пронин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 8. - С. 1518-1523. - Библиогр.: с. 1522-1523 (46 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): силицидообразование -- метод фотоэлектронной спектроскопии -- силициды железа -- синхротронное излучение -- твердофазная эпитаксия -- моносилицид железа Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопиии высокого разрешения (около 100 meV) с использованием синхротронного излучения изучены начальные стадии формирования силицидов железа в системе Fe/Si (111) 7x7 в режиме твердофазной эпитаксии. Измерены и проанализированы спектры остовных Si 2p-электронов и электронов валентной зоны, полученные после нанесения на поверхность образца возрастающих доз железа величиной до 28 монослоев и последующих изохронных отжигов до температуры 650 градусов Цельсия. Показано, что при напылении Fe сначала формируется сверхтонкая пленка метастабильного силицида FeSi со структурой типа CsCl, а затем на ней растет слой твердого раствора Fe-Si с сегрегированным кремнием. При покрытиях, больших 10 монослоев, на поверхности образца формируется пленка железа. Отжиги кристалла кремния, покрытого слоем Fe, приводят к последовательному образованию в приповерхностной области двух стабильных силицидных фаз - эпсилон-FeSi и бета-FeSi[2]. При этом процесс твердофазного синтеза эпсилон-FeSi проходит через стадию трансформации пленки железа и твердый раствор Fe-Si. Доп.точки доступа: Малыгин, Д. Е.; Пронин, И. И. |
Гомоюнова, М. В. Взаимодействие атомов кобальта с окисленной поверхностью Si (111) 7x 7 [Текст] / М. В. Гомоюнова, Т. Е. Войстрик, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 5. - С. 150-154. - Библиогр.: c. 153-154 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кобальт -- кремний -- фотоэлектронная спектроскопия -- окисные пленки -- дисилицид кобальта -- твердые растворы -- интерфейсные фазы Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (100 meV) с использованием синхротронного излучения изучено взаимодействие атомов кобальта с поверхностью Si (111) 7x 7, окисленной in situ в атмосфере кислорода при давлении 10{-5} Pa (экспозиция 20 Лэнгмюр) и температуре 500{o}C. Показано, что такая обработка поверхности приводит к образованию окисной пленки сложного состава, занимающей примерно 80% поверхности подложки и имеющей толщину ~6 Angstrem. Обнаружено, что при комнатной температуре в области покрытий до 6 монослоев, атомы кобальта не адсорбируются на сформированном окисном слое, а мигрируют к пятнам чистой поверхности кремния. На этих участках сначала образуется тонкий слой дисилицида кобальта, а затем на нем растет твердый раствор Co-Si. Часть атомов кобальта проникает под окисный слой, образуя на границе SiOx-Si трехкомпонентную интерфейсную фазу Co-Si-O, а также метастабильный дисилицид кобальта со структурой типа CsCl. Доп.точки доступа: Войстрик, Т. Е.; Пронин, И. И. |
Взаимодействие атомов железа с поверхностью кремния, покрытого слоем естественного окисла [Текст] / М. В. Гомоюнова [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 124-128. - Библиогр.: c. 128 (27 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремний -- железо -- силицид железа -- твердофазная эпитаксия -- моносилицид железа Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения, а также методом атомно-силовой микроскопии изучен процесс твердофазной эпитаксии силицида железа на поверхности Si (111), покрытой слоем естественного окисла. Доза напыления железа изменялась в диапазоне до 1 nm, а температура отжига - до 500{o}C. Показано, что при комнатной температуре слой естественного окисла непроницаем для атомов Fe, и на поверхности образца растет пленка железа. Повышение температуры до ~100{o}C приводит к изменению морфологии пленки, увеличивая ее несплошность, а затем (при ~250{o}C) к взаимной диффузии атомов Fe и Si сквозь окисный слой и их твердофазной реакции. Результатом этого процесса является формирование стабильного моносилицида железа varepsilon-FeSi. Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Пронин, И. И.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н. |
Ферромагнитное упорядочение наноструктур железа на поверхности кремния [Текст] / М. В. Гомоюнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 2. - С. 377-381. - Библиогр.: с. 381 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ферромагнитное упорядочение -- наноструктуры железа -- твердые растворы -- магнитный линейный дихроизм -- кремний -- железо Аннотация: Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения и магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Fe 3p-электронов изучены фазовый состав, электронное строение и магнитные свойства наноразмерных структур, формирующихся при нанесении железа на поверхность вицинальной грани Si (556), покрытой субмонослойной пленкой серебра со структурой корень из 3 умножить на корень из 3-Ag. Эффективная толщина нанесенного слоя железа варьировалась в диапазоне от 1 до 25 Ангстрем. Показано, что напыление 1-2 Ангстрем Fe приводит к образованию на поверхности образца тонкого слоя метастабильного силицида железа со структурой типа CsCl. При дальнейшем нанесении Fe (до примерно 7 Ангстрем) на этом слое формируются цепочки немагнитных островков твердого раствора Fe-Si, ориентированные вдоль ступеней подложки. Ферромагнитное упорядочение системы вдоль поверхности образца возникает лишь при дозах напыления около 10 Ангстрем, когда на слое твердого раствора начинают расти более крупные (около100 nm) островки железа. Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Пронин, И. И.; Соловьев, С. М.; Вялых, Д. В.; Молодцов, С. Л. |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Формирование сверхтонких магнитных пленок кобальта на поверхности Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 123-124 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): магнитные пленки -- сверхтонкие магнитные пленки -- кобальт -- фотоэлектронная спектроскопия -- напыление кобальта -- силицид кобальта -- интерфейсный силицид кобальта -- твердые растворы -- островковые пленки -- кремний -- кремниевые поверхности -- рост пленок -- ферромагнитное упорядочение Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма исследованы фазовый состав, электронное строение и магнитные свойства сверхтонких пленок кобальта (толщиной до 20 Angstrem), формирующихся при напылении металла на поверхность кремния Si (111) 7x7, находящуюся при комнатной температуре. Показано, что с увеличением покрытия на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид кобальта и островковая пленка твердого раствора кремния в кобальте. Рост металлической пленки кобальта начинается после нанесения ~7 Angstrem Co. Обнаружено, что ферромагнитное упорядочение системы, характеризуемое намагниченностью вдоль поверхности образца, наступает после напыления ~6 Angstrem Co на стадии формирования твердого раствора Co-Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/06/p120-124.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Формирование тонких пленок сплава Гейслера Co[2]FeSi на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 130-134. - Библиогр.: c. 134 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- сплав Гейслера -- Гейслера сплав -- кремний -- рост пленок -- реактивная эпитаксия -- островковые пленки -- островковые сплавы -- тройные сплавы -- отжиг -- ферромагнитное упорядочение Аннотация: Изучены начальные стадии роста пленок сплава Гейслера Co[2]FeSi на поверхности Si (100) 2x 1 по методу реактивной эпитаксии и найдены условия формирования данного соединения. Обнаружено, что при температуре подложки, меньшей или равной 180{o}C, на поверхности образца растет островковая пленка тройного сплава Co-Fe-Si, содержание кремния в котором ниже, чем в синтезируемом соединении. Пленка становится сплошной при покрытиях более 1. 2 nm. Показано, что повысить содержание кремния в пленке и сформировать сплав Гейслера требуемого состава можно с помощью послеростового отжига при температуре 240{o}C. Исследование магнитных свойств формируемых пленок, проведенное in situ, показало, что их ферромагнитное упорядочение носит пороговый характер и обнаруживается на стадии коалесценции островкового сплава Co-Fe-Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p130-134.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Энергия связи 2p-электронов кремния и 3p-электронов кобальта в силицидах кобальта [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 23. - С. 76-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кобальт -- кремний -- электроны -- 2p-электроны -- 3p-электроны -- силициды кобальта -- энергия связи -- спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- метод фотоэлектронной спектроскопии -- синхротронные излучения -- экспериментальные условия -- эпитаксия -- твердофазная эпитаксия -- метод твердофазной эпитаксии Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения впервые определены энергии связи Si 2p- и Co 3p-электронов для всех четырех стабильных силицидов кобальта - Co[3]Si, Co[2]Si, CoSi и CoSi[2]. Силициды формировались в идентичных экспериментальных условиях на трех основных гранях кремния (Si (100), Si (110), Si (111) ) с помощью метода твердофазной эпитаксии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/23/p76-81.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
539.2 Ф 796 Формирование сверхтонких магнитных пленок железа на вицинальной поверхности кремния [Текст] / М. В. Гомоюнова [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 564-568. - Библиогр.: с. 568 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхтонкие слои железа -- силициды железа -- фазовый состав -- электронное строение -- магнитные свойства Аннотация: Изучены фазовый состав, электронное строение и магнитные свойства сверхтонких слоев железа и силицидов железа, образующихся при нанесении 1-25 ангстрем Fe на атомно-чистую вицинальную поверхность Si (100) при комнатной температуре. Исследование проведено методами фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Fe 3p-электронов. Показано, что последовательность формирования фаз (твердый раствор Fe-Si, силицид Fe[3]Si, пленка железа) такая же, как и в случае нанесения железа на сингулярную грань Si (100), однако в данном случае заметно усилена сегрегация кремния на пленке железа. Установлено, что ферромагнитное упорядочение пленок в плоскости поверхности образца носит пороговый характер и наступает после нанесения 7 ангстрем Fe на стадии роста силицида Fe[3]Si. Дальнейшее напыление приводит к увеличению остаточной намагниченности пленки, достигающей насыщения при дозах напыления около 20 ангстрем. При этом пленка обладает магнитной анизотропией, и ее ось легкого намагничивания ориентирована вдоль ступеней подложки. Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И.; Соловьев, С. М.; Марченко, Д. Е.; Вялых, Д. В. |
539.2 Н 363 Начальные стадии роста и магнитные свойства пленок кобальта на поверхности Si (100) 2 x 1 [Текст] / И. И. Пронин [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 573-577. - Библиогр.: с. 577-578 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- кобальт -- метод фотоэлектронной спектроскопии -- синхротронное излучение -- магнитный линейный дихроизм Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Co 3p-электронов исследованы начальные стадии роста пленок кобальта на поверхности Si (100) 2x1 и выявлена динамика изменения их фазового состава, электронной структуры и магнитных свойств с ростом покрытия в диапазоне 1-20 ангстрем. Показано, что рост пленки металлического кобальта начинается при покрытии, равном ~7 ангстрем. Этому процессу предшествуют стадии формирования интерфейсного силицида кобальта и твердого раствора Co-Si. Обнаружено также, что при дозах напыления, меньших 15 ангстрем, поверхность образца покрыта сегрегированным кремнием. Ферромагнитное упорядочение пленки в плоскости поверхности носит пороговый характер и возникает при дозе напыления, равной ~6 ангстрем. Дальнейшее увеличение покрытия в диапазоне 8-16 ангстрем приводит к более медленному возрастанию остаточной намагниченности пленки. Доп.точки доступа: Пронин, И. И.; Гомоюнова, М. В.; Соловьев, С. М.; Вилков, О. Ю.; Вялых, Д. В. |
535.33 Н 363 Начальные стадии формирования интерфейса кремний-железо / М. В. Гомоюнова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 8. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 7-8 (16 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектронная спектроскопия -- кремний -- железо -- интерфейсы -- синхротронное излучение -- сверхвысокий вакуум -- формирование интерфейсов -- силицидные покрытия -- твердофазные структурные превращения -- термостимулированные процессы -- твердые растворы -- покрытия -- нанесение покрытий Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения исследовано формирование интерфейса Si/Fe. Эксперименты проведены in situ в условиях сверхвысокого вакуума (3·10{-10} Torr) в диапазоне покрытий 0. 04/0. 45 nm. Обнаружено, что процесс начинается с формирования на поверхности железа силицида FeSi и твердого раствора Fe-Si. При дальнейшем увеличении покрытия твердый раствор перестраивается в ферромагнитный силицид Fe[3]Si и немагнитный силицид FeSi. Показано также, что термостимулированные твердофазные реакции, приводящие к перестройке силицидов FeSi и Fe[3]Si в полупроводниковый силицид beta-FeSi[2], начинают протекать при температуре, близкой к 600 °С. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/08/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Попов, К. М.; Пронин, И. И. |
539.2 Ф 796 Формирование и магнитные свойства интерфейса кремний-кобальт / М. В. Гомоюнова [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 392-397 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (25 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний-кобальт -- кристаллография в целом -- магнитные свойства -- магнитные структуры -- спинтроника Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследовано формирование интерфейса Si/Co и его магнитные свойства. Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И.; Соловьев, С. М.; Вилков, О. Ю.; Вялых, Д. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Dresden (Germany); Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Dresden (Germany) |
536.42 Ф 796 Формирование интерфейса Сo/Si(110): фазовый состав и магнитные свойства / М. В. Гомоюнова [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 6. - С. 78-84. - Библиогр.: c. 83-84 (30 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотоэлектронная спектроскопия -- синхротронное излучение -- магнитный линейный дихроизм -- фотоэмиссия электронов -- интерфейсы -- силициды -- кобальт -- кремний -- силицид кобальта -- интерфейсный силицид кобальта -- твердые растворы -- ферромагнитное упорядочение -- напыление -- отжиг -- ферромагнитный силицид кобальта -- немагнитные силициды кобальта Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения, а также магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии остовных электронов исследовано формирование интерфейса Сo/Si (110) 16 x 2 и его магнитные свойства. Показано, что при покрытиях менее 7 Angstrem нанесение кобальта на поверхность кремния, находящуюся при комнатной температуре, приводит к образованию сверхтонкого (1. 7 Angstrem) слоя интерфейсного силицида кобальта и пленки твердого раствора кремния в кобальте. Ферромагнитное упорядочение интерфейса возникает при дозе напыления, равной 6-7 Angstrem, когда на слое твердого раствора начинает расти пленка металлического кобальта. Отжиг образца, покрытого пленкой Со нанометровой толщины, приводит при температурах выше ~300oC к постепенному исчезновению пленки металла и формированию четырех силицидных фаз - метастабильного ферромагнитного силицида Co[3]Si и трех стабильных немагнитных силицидов кобальта - Co[2]Si, CoSi и CoSi[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/06/p78-84.pdf Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Попов, К. М.; Пронин, И. И. |