Аскинази, А. Ю.     Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя Доп.точки доступа: Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В.