539.2 С 810 Стогний, А. И. Об удалении с поверхности кремния (001) наноостровков германия пирамидальной формы после ионно-лучевого осаждения-распыления нанослоя золота [Текст] / А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, О. М. Стукалов, А. И. Демченко // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 133 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое осаждение-распыление -- кремний -- наноостровки Аннотация: Экспериментально определены режимы селективного удаления наноостровков германия пирамидальной формы с поверхности кремния (001) методом последовательного ионно-лучевого осаждения-распыления слоя золота наноразмерной толщины, причем при малом изменении размеров крупных наноостровков германия куполообразной формы. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-131.html.ru Доп.точки доступа: Новицкий, Н. Н.; Стукалов, О. М.; Демченко, А. И. |
539.2 С 654 Сорокин, М. В. Условия зарождения наноостровков в поверхностных термических вспышках при облучении материалов быстрыми тяжелыми ионами [Текст] / М. В. Сорокин, А. Е. Волков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 120-121 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- наноостровки -- термические вспышки Аннотация: Энергия, теряемая быстрыми тяжелыми ионами (БТИ) в веществе, значительно возбуждает электронную подсистему материала, в то время как ионная подсистема первоначально остается практически невозмущенной. Последующая передача энергии от возбужденных электронов к атомам мишени может приводить к кратковременному локальному повышению температуры (термическая вспышка) , которое может стимулировать фазовые переходы в наноразмерной области вблизи траектории пролетающей частицы. Исследуется возможность зарождения наноостровков в области таких вспышек на поверхности материалов облучаемых БТИ. Предполагается, что наноостровки могут появиться при условиях, когда характерное время зарождения становится меньше времени остывания области вспышки. Показано, что область, соответствующая максимуму скорости зарождения, может оказаться смещенной относительно центра вспышки. Это может привести к появлению кольцевого распределения зародышей наноостровков вблизи траектории БТИ. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-117.html.ru Доп.точки доступа: Волков, А. Е. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Влияние предосаждения Si (1-x) Ge (x) слоя на рост SiGe/Si (001) самоформирующихся островков [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 29-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; гетеропара; кремний; наноостровки; нанофотоника; плотность; поверхностная плотность; предосаждение; самоформирующиеся наноостровки Аннотация: Исследован рост Ge (Si) самоформирующихся островков на напряженном Si (1-x) Ge (x) слое. Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si (1-x) Ge (x) слое. Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Stoffel, M.; Denker, U.; Schmidt, O.; Горбенко, О. М.; Сошников, И. П. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si) / Si (001 [] / Н. В. Востоков, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 41-43. - Библиогр.: с. 43 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; кремний; куполообразные островки; наноостровки; нанофотоника; осаждение; островки; пирамидальные островки; самоформирующиеся островки; фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge (Si) / Si (001) , полученных в широком интервале скоростей осаждения Ge. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Яблонский, А. Н. |
539.2 В 15 Валах, М. Я. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражения самоорганизованных SiGe - наноостровков, сформированных при различных температурах [] / М. Я. Валах, Р. Ю. Голиней [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 54-57. - Библиогр.: с. 57 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; комбинационное рассеяние; кремниевые матрицы; кремний; матрицы; межзонные оптические переходы; молекулярно-лучевая эпитаксия; наноостровки; нанофотоника; напряжения; переходы; полупроводники; рассеяние; самоорганизованные наноостровки; свет; спектроскопия; упругие напряжения; электронные переходы; электроотражение; энергии; эпитаксия Аннотация: Исследованы SiGe - наноостровки в кремниевой матрице. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Доп.точки доступа: Голиней, Р. Ю.; Джаган, В. Н.; Красильник, З. Ф.; Литвин, О. С.; Лобанов, Д. Н.; Милехин, А. Г.; Никифоров, А. И.; Новиков, А. В.; Пчеляков, О. П.; Юхимчук, В. А. |
539.2 Ц 97 Цырлин, Г. Э. Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si (100) - квантовых точек [] / Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 58-62. - Библиогр.: с. 62 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; быстрые электроны; германий; дифракция; квантовые точки; кремний; микроскопия; молекулярно-пучковая эпитаксия; морфология; наноостровки; нанофотоника; отражение; сурьма; электроны; эпитаксия Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge, Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Доп.точки доступа: Тонких, А. А.; Птицын, В. Э.; Дубровский, В. Г.; Масалов, С. А.; Евтихиев, В. П.; Денисов, Д. В.; Устинов, В. М.; Werner, P. |
539.2 Н 62 Никифоров, А. И. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si [] / А. И. Никифоров, В. В. Ульянов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 67-69. - Библиогр.: с. 69 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомарно-чистые поверхности; высокая плотность; германий; кремний; наноостровки; нанофотоника; окисленные поверхности; окись; окись кремний; островки; пленки; плотность; поверхности; самоорганизация Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Доп.точки доступа: Ульянов, В. В.; Пчеляков, О. П.; Тийс, С. А.; Гутаковский, А. К. |
53 Ю 780 Юров, В. Ю. Образование наноостровков при осаждении меди на поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag [Текст] / В. Ю. Юров, Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 1. - С. 35-40 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): медь -- осаждение меди -- поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag -- петлевые дислокации -- наноостровки -- сканирующая туннельная микроскопия Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс осаждения меди на предварительно структурированную поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag, представляющую собой сеть петлевых дислокаций (9*9). Доп.точки доступа: Андрюшечкин, Б. В.; Ельцов, К. Н.; Черкез, В. В. |
530.1 С 500 Смагина, Ж. В. Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100 [Текст] / Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 593-604. - Библиогр.: с. 603-604 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкоэнергетические ионы -- импульсное облучение -- пучки ионов -- гетероэпитаксия -- ионы -- кремний -- гетероструктуры -- германий -- облучение -- наноостровки германаия Аннотация: Приведены экспериментальные данные по росту трехмерных островков германия на поверхности Si (100) из ионно-молекулярных пучков в зависимости от температуры подложки, энергии ионов, доли ионизации молекулярного потока. Предложена модель гетероэпитаксии в условиях импульсного ионного облучения. Доп.точки доступа: Зиновьев, В. А.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Армбристер, В. А.; Тийс, С. А. |
621.315.592 Д 754 Дроздов, Ю. Н. Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge (Si) /Si (001 [Текст] / Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 291-295 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- электролюминесценция -- многослойные структуры -- самоформирующиеся островки -- гелий -- наноостровки Аннотация: Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge (Si) /Si (001). Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Ge (Si) в диапазоне 1. 3-1. 55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Ge в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для дырок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Ge (Si) в неотожженной структуре при увеличении тока накачки. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Шмагин, В. Б.; Яблонский, А. Н. |
Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии роста наноостровков Cu на поверхности Si (100) -c (4x12) -Al [Текст] / Д. А. Олянич [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 21. - С. 31-36 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- наноостровки -- управляемый рост металлических островков -- медь Аннотация: С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) исследован островковый рост пленок Cu на поверхностной фазе Si (100) -c (4x12) -Al. Определены зависимости концентрации островков и их размеров от температуры подложки. Из анализа полученных данных на основе кинетической теории зародышеобразования найдены энергия активации диффузии, энергия связи димера Cu, а из построения Аррениуса критическая температура смены режима роста. Установлено ориентирующее влияние фазы c (4x12) -Al на кристаллическую структуру наноостровков Cu. Доп.точки доступа: Олянич, Д. А.; Чубенко, Д. Н.; Грузнев, Д. В.; Зотов, А. В.; Саранин, А. А. |
Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si (001) [Текст] / А. В. Новиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 346-351 : ил. - Библиогр.: с. 350-351 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- низкоразмерные гетероструктуры -- SiGe/Si (001) -- квантовые ямы -- КЯ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- люминесцентные свойства -- радиационное воздействие -- пространственная локализация носителей зарядов -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- радиационные дефекты -- радиационная стойкость -- Si-матрица -- наноостровки -- трехмерная локализация для дырок -- двухмерная локализация для электронов Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур Si/Ge с различной степенью пространственной локализации носителей заряда. Показано, что радиационная стойкость гетероструктур Si/Ge увеличивается по мере роста эффективности локализации носителей заряда в них. Пространственная локализация носителей заряда в SiGe-наноструктурах уменьшает вероятность их безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, созданных в Si-матрице. Продемонстрировано, что наибольшей радиационной стойкостью из исследованных структур обладают люминесцентные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ge (Si) -наноостровками, в которых реализована наиболее эффективная пространственная локализация носителей заряда: трехмерная для дырок в островках и двухмерная для электронов в Si-слоях, разделяющих соседние слои с островками. Доп.точки доступа: Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Платонов, В. В.; Оболенский, С. В.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф. |
62 Z 99 [Новости отечественной науки и техники] [Текст] // Наука и жизнь. - 2012. - № 4. - С. 40-41 : 2 фот. . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Техника Общие вопросы техники Наука. Науковедение Общие вопросы науки Кл.слова (ненормированные): подложки -- топливо -- научные институты -- металлические наноостровки -- наноостровки -- анализаторы воздуха -- воздух -- Джин-Газ -- канализационные колодцы -- колодцы -- антидымные присадки -- гидроксид железа -- дизельное топливо Аннотация: Новости отечественной науки и техники: в Физическом институте имени П. Н. Лебедева получили новые структуры, они представляют собой выращенные на стеклянных, керамических и даже бумажных подложках металлические наноостровки; смоленские специалисты разработали переносный анализатор "Джин-Газ", следящий за составом воздуха в глубоких канализационных колодцах; хорошие результаты получены при использовании антидымных присадок на основе гидроксида железа, которые добавляют в дизельное топливо и другие новости. |
546 С 387 Синтез и каталитические свойства наноостровков V[2]O[5], электровзрывным методом на поверхности кристаллов InP [Текст] / И. Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 4. - С. 441-446 : Рис. 12. - Библиогр.: с. 446 (3 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Органические реакции Кл.слова (ненормированные): InP -- V[2]O[5] -- катализа эффект -- метод электровзрыва -- монокристаллы -- наноостровки -- полупроводниковые монокристаллы -- синтез -- электровзрыва метод -- эффект катализа Аннотация: Изучено формирование островков хемостимуляторов нанометрового масштаба на поверхности фосфида индия методом электровзрыва, а также распределение островков по размерам и их поверхностная концентрация в зависимости от условий эксперимента (состава атмосферы, давления, расстояния от источника до подложки). Доп.точки доступа: Миттова, И. Я.; Томина, Е. В.; Лапенко, А. А.; Сладкопевцев, Б. В. |
539.2 Д 797 Дубровский, В. Г. Влияние вицинальности поверхности на нуклеацию наноостровков в решеточно-рассогласованных системах [Текст] / В. Г. Дубровский, авт. X. Zhang // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 18-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноостровки -- когерентные наноостровки -- трехмерные когерентные наноостровки -- нуклеация наноостровков -- решеточно-рассогласованные системы -- вицинальные подложки -- решеточно-рассогласованные вицинальные подложки -- механизм Странского - Крастанова -- Странского - Крастанова механизм -- активационные барьеры нуклеации -- моделирование систем Аннотация: Предложена модель нуклеации трехмерных когерентных наноостровков по механизму Странского-Крастанова на решеточно-рассогласованной вицинальной подложке. Показано, что работа образования островка на границе ступени является функцией двух переменных: числа частиц в островке и его аспектного соотношения. Активационный барьер нуклеации соответствует седловой точке работы образования. Вицинальность поверхности приводит к изменению работы образования и существенно понижает активационный барьер нуклеации. Получены результаты для барьера нуклеации и энергетически выгодного аспектного соотношения, необходимые для моделирования конкретных систем. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p18-25.pdf Доп.точки доступа: Zhang, X. |
539.21:535 М 545 Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками [Текст] / Н. А. Байдакова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 7-15 : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): методы спектроскопии -- модификация метода -- фотолюминесценция -- возбуждение фотолюминесценции -- свет -- поглощение света -- процессы поглощения -- носители заряда -- рекомбинация носителей -- излучательная рекомбинация -- наноостровки -- исследуемые структуры -- возбуждающее излучение -- кванты -- энергии кванта -- спектры фотолюминесценции -- смачивающие слои -- паразитные сигналы -- комбинационное рассеяние -- кремниевые подложки Аннотация: Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge (Si) /Si (001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p7-15.pdf Доп.точки доступа: Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Яблонский, А. Н. |
621.315.592 Ш 642 Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными Si-слоями [Текст] / М. В. Шалеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 202-206 : ил. - Библиогр.: с. 206 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- напряженные слои -- Si-слои -- оптическое возбуждение -- наноостровки -- буферные слои -- Ge (Si) -- квантовые точки -- полупроводники -- InAs/GaAs Аннотация: Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge (Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge (Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge (Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p202-206.pdf Доп.точки доступа: Шалеев, М. В.; Новиков, А. В.; Байдакова, Н. А.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, О. А.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф. |
539.2 С 750 Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si (001) -гетероструктур с самоформирующимися наноостровками [Текст] / З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное воздействие -- нейтроны -- электролюминесценция кремния -- ЭЛ -- кремний -- гетероструктуры -- Ge/Si -- подложки -- Si (001) -- самоформирующиеся наноостровки -- наноостровки -- диоды -- кремниевые диоды -- носители заряда -- пространственная локализация -- наноструктуры -- диффузия -- радиационные дефекты -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- оптоэлектронные устройства -- сравнительный анализ Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого p-i-n-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge (Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p230-234.pdf Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Качемцев, А. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Оболенский, С. В.; Шенгуров, Д. В. |
621.315.592 И 889 Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si (001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии [Текст] / П. А. Бородин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 414-418 : ил. - Библиогр.: с. 418 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- СТС -- локальная плотность состояний -- ЛПС -- наноостровки -- туннельные спектры -- GeSi/Si (001) -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- КЯ -- токовые изображения -- пространственное распределение -- энергетическое распределение -- поверхностные островки -- гетероструктуры Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si (001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si (001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge[0. 3]Si[0. 7]/Si (001) проявляют свойства гетероструктур I типа. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p414-418.pdf Доп.точки доступа: Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
621.315.592 Э 949 Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si[1-x]Ge[x] [Текст] / В. В. Стрельчук [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 665-672 : ил. - Библиогр.: с. 671-672 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- рентгеновская дифракция -- наноостровки -- самоорганизованные наноостровки -- пространственное упорядочение -- однослойные структуры -- буферные слои -- квантовые точки -- КТ -- напряженные буферные слои -- диффузионные процессы -- пространственно-неоднородные напряжения -- упругие напряжения Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии, микро-спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей рентгеновской дифракции исследованы особенности пространственного упорядочения наноостровков SiGe в однослойных структурах, сформированных на напряженном буферном подслое Si[1-x]Ge[x]. Показано, что рост наноостровков на подслое Si[1-x]Ge[x] не только стимулирует эффект их пространственного упорядочения, но и усиливает роль интердиффузионных процессов. Наблюдаемое необычно высокое увеличение объема островков в процессе эпитаксии связано с индуцированной неоднородным полем упругих деформаций аномально сильной диффузией материала из буферного подслоя в островки. Анизотропия формы и пространственного упорядочения островков обсуждается как следствие анизотропии диффузионных процессов в поле пространственно-неоднородных упругих напряжений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p665-672.pdf Доп.точки доступа: Стрельчук, В. В.; Николенко, А. С.; Литвин, П. М.; Кладько, В. П.; Гудыменко, А. И.; Валах, М. Я.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В. |