+ П 583 Попок, В. Н. Влияние высоких доз имплантации и плотности ионного тока на свойства пленок полиимида [Текст] / В. Н. Попок, И. И. Азарко, Р. И. Хайбуллин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.93 (26 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Техника--Материаловедение--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионное облучение -- полиимидные пленки -- электропроводящие полимеры Аннотация: Тонкие пленки полиимида были имплантированы ионами Ar{+} и Ar{2+} с энергиями 40 и 80 keV соответственно в широком интервале доз 2.5ъ 10{14}-1.5ъ 10{17} cm{-2} и плотностей ионного тока 1-16 muA/cm{2}. Изучено влияние режимов ионной имплантации на электрические, парамагнитные и оптические характеристики приповерхностного слоя полимера, модифицированного ионным облучением. Показано, что эффект радиационно-стимулированного термолиза полиимида и особенности его химического строения обусловливают монотонный рост электропроводности облученного слоя с увеличением плотности ионного тока при заданной дозе имплантации. Напротив, при неизменной плотности ионного тока с увеличением дозы имплантации наблюдается скачкообразный характер роста электропроводности, а также снижение концентрации парамагнитных центров и оптического пропускания модифицированного слоя полиимида. Наблюдаемые зависимости электрофизических характеристик полимера от дозы имплантации и плотности тока интерпретируются в рамках модели структурной перестройки карбонизированной фазы полимера, формируемой в условиях ионного облучения Доп.точки доступа: Азарко, И.И.; Хайбуллин, Р.И. |
Бешенков, В. Г. Импульсы частиц, эмитированных мишенью при интенсивном облучении низкоэнергетичными ионами [Текст] / В. Г. Бешенков, А. Б. Григорьев, В. А. Марченко // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 113-114 (21 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Атомная физика Кл.слова (ненормированные): импульсы частиц -- ионное облучение -- эмиссия Аннотация: Измерены суммарные импульсы частиц, эмитированных мишенью при интенсивном распылении ионами тяжелых инертных газов с энергией E[0]~0.5 keV. Для жидкой и находящейся при предплавильной температуре мишени из Ga измеренные значения близки к ожидаемым импульсам распыленных металлических атомов и отраженных ионов, для мишеней из Cu и Zr они заметно больше. Выдвинуто предположение, что причина избыточного импульса --- распыление имплантируемых в мишень атомов газа-распылителя. Оценочная средняя энергия этих атомов Доп.точки доступа: Григорьев, А.Б.; Марченко, В.А. |
22.37 Р 449 Реутов, В. Ф. Упорядоченные гелиевые поры в аморфном кремнии, индуцированном облучением низкоэнергетическими ионами гелия [Текст] / В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.78 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- гелиевые поры -- ионное облучение -- нанопоры Аннотация: Тонкие, прозрачные в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), самонесущие пластинки кремния (001) облучали в (110)-торец низкоэнергетическими (E=17 keV) ионами He{+} в интервале доз 5*10{16}-4,5*10{17} cm{-2} при комнатной температуре. Послерадиационными ПЭМ исследованиями структуры Si вдоль пробега ионов установлено, что в области наибольшего повреждения тонких кристаллов Si формируется слой аморфного кремния (a-Si), по всей ширине которого зарождаются и растут гелиевые поры диаметром 2-5 nm и плотностью до 3*10{17} cm{-3}. Формирование нанопор в слое a-Si сопровождается их линейным упорядочением в виде цепочек, ориентированных вдоль направления движения ионов. Отсутствие пор в неаморфизованной области образца с максимальной концентрацией внедренного гелия объясняется десорбцией атомов гелия из тонкого кристалла в процессе облучения. В результате отжига при 600`C в сохранившемся слое a-Si наблюдается рост объема пор за счет захвата неподвижными порами атомов гелия из аморфной матрицы. Показано, что преимущественным состоянием имплантированного в аморфный Si гелия после облучения является его состояние в виде твердого раствора. В аморфном кремнии, легированном гелием, обнаружены линейные структурные особенности диаметром около 1 nm и плотностью около 10{7} cm{-1}, которые интерпретированы как ионные треки от низкоэнергетических ионов He{+} Доп.точки доступа: Сохацкий, А.С. |
22.37 С 891 Суворов, А. Л. Автоионно-микроскопические анализы роли различных компонентов слаборазбавленных сплавов вольфрама в формировании дефектной структуры областей развития каскадов атомных смещений [Текст] / А. Л. Суворов, А. Г. Залужный [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.121-122 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): автоинно-микроскопические исследования -- атомные смещения -- вакансии -- вольфрам -- вольфрамовые сплавы -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Приведены некоторые новые результаты комплексных автоионно-микроскопических исследований радиационных эффектов в сверхчистом вольфраме ВЧВ, технически чистом вольфраме ВА-3 и четырех слаборазбавленных сплавах вольфрама: П39А (W-Hf-C), ВТ-15 (W-1.5% ThO[2]), ВР-5 (W-5% Re), ВЖ-2 (W-2% Fe). Облучение образцов осуществлялось во внешнем устройстве ионами Ar{+} и Ni{+} с энергией 35 keV. Плотность ионного тока во всех случаях поддерживалась равной j=2.0 muA, флюенс облучения составлял Phi {t}=5*10{14} ion/cm{2}. Изучены особенности кластеризации единичных вакансий в облученных образцах во взаимосвязи с уровнем и типом содержащихся в них примесей. Получены и проанализированы распределения комплексов вакансий в облученных образцах по числу объединенных в них единичных вакансий. Обнаружено заметное различие таких распределений для объемов обедненных зон и объемов материала вне их. Косвенно измерены средние значения длин цепочек фокусированных замещающих столкновений атомов в образцах с различным уровнем и разным типом примесей. По этим результатам оценена эффективность захвата собственных междоузельных атомов различными примесями в вольфраме Доп.точки доступа: Залужный, А.Г.; Бобков, А.Ф.; Зайцев, С.В.; Бабаев, В.П.; Гусева, М.И.; Коршунов, С.Н.; Николаева, И.Н.; Залужный, А.А. |
32.86 М 350 Матьев, В. Ю. Двумерное движение газа в кюветах лазеров с ядерной накачкой при небольших энерговкладах в газ [Текст] / В. Ю. Матьев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N3. - Библиогр.: с.35 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): движение газа -- ионное облучение -- лазерные кюветы -- лазеры -- ядерная накачка Аннотация: Рассмотрено распределение скорости двумерного движения газа в лазерных кюветах, облучаемых ионами, при небольших энерговкладах ионов в газовую среду. Показано, что для плавно-неоднородного энерговклада двумерное движение разделяется на два квазиодномерных: продольная скорость газа практически однородна поперек кюветы и определяется поперечно-усредненным энерговкладом, тогда как поперечная скорость определяется разностью между локальным энерговкладом и поперечно-усредненным |
539.2 К 630 Комаров, Ф. Ф. Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm Доп.точки доступа: Ювченко, В.Н. |
539.2 К 682 Королев, Д. Н. Образование нановыделений при распаде пересыщенных твердых растворов в треках быстрых тяжелых ионов [Текст] / Д. Н. Королев, А. Е. Волков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 68 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- нановыделения -- нанокластеры -- распад твердых растворов -- твердые растворы -- треки -- трубчатые гетероструктуры -- тяжелые ионы Аннотация: Прохождение быстрых тяжелых ионов через вещество сопровождается сильным возбуждением электронной подсистемы материала. Последующая релаксация этого возбуждения приводит к значительному кратковременному (<10{-9} s) нагреву материала в нанометрической окрестности траектории налетающей частицы. Исследуется стимулированное подобными термическими вспышками зарождение нанокластеров в пересыщенных твердых растворах. Показано, что образование наноразмерных выделений происходит, когда температура в треке достигает значений, при которых характерное время зарождения становится меньше времени охлаждения трека. Область наиболее эффективного зарождения выделений может не совпадать с осью трека. Начальная цилиндрическая неоднородность пространственной плотности зарождающихся кластеров может в дальнейшем приводить к возникновению наноразмерных трубчатых гетероструктур, вытянутых вдоль траектории тяжелых ионов. Определены параметры системы, наиболее благоприятные для режима трубчатого зарождения выделений. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-64.html.ru Доп.точки доступа: Волков, А. Е. |
539.2 С 654 Сорокин, М. В. Условия зарождения наноостровков в поверхностных термических вспышках при облучении материалов быстрыми тяжелыми ионами [Текст] / М. В. Сорокин, А. Е. Волков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 120-121 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- наноостровки -- термические вспышки Аннотация: Энергия, теряемая быстрыми тяжелыми ионами (БТИ) в веществе, значительно возбуждает электронную подсистему материала, в то время как ионная подсистема первоначально остается практически невозмущенной. Последующая передача энергии от возбужденных электронов к атомам мишени может приводить к кратковременному локальному повышению температуры (термическая вспышка) , которое может стимулировать фазовые переходы в наноразмерной области вблизи траектории пролетающей частицы. Исследуется возможность зарождения наноостровков в области таких вспышек на поверхности материалов облучаемых БТИ. Предполагается, что наноостровки могут появиться при условиях, когда характерное время зарождения становится меньше времени остывания области вспышки. Показано, что область, соответствующая максимуму скорости зарождения, может оказаться смещенной относительно центра вспышки. Это может привести к появлению кольцевого распределения зародышей наноостровков вблизи траектории БТИ. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-117.html.ru Доп.точки доступа: Волков, А. Е. |
620.18 Х 654 Хмелевская, В. С. Структуры в облученных металлических материалах, армированные икосаэдрическими кластерами [Текст] / В. С. Хмелевская, А. В. Накин, В. Г. Малынкин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N6. - Библиогр.: с.37 (12 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- металлы -- радиационное повреждение -- неравновесное состояние -- кластеры -- молекулярная динамика -- дифракционные эффекты Аннотация: Рассмотрены особенности обнаруженного неравновесного состояния, индуцируемого ионным облучением в металлических материалах (твердые растворы систем Fe-Ni, Fe-Cr-Ni, Ni-Cr, Cu-Ni, Fe-Cr,V-Ti-Cr, а также чистые металлы Zr и Ti) при высоких уровнях радиационного повреждения. В области существования данного состояния наблюдаются сильные аномалии свойств, относящихся как к ионной, так и к электронной подсистемам металла. Кроме того, его возникновение сопровождается существенными дифракционными эффектами - расщеплением рентгеновских линий, а также, как показывают электронно-микроскопические наблюдения, формированием кластерной структуры. Моделирование методами молекулярной динамики позволяет предположить, что наблюдаемые кластеры есть атомные группы икосаэдрической (пятерной симметрии), образовавшиеся в окрестности радиационных вакансий. Данные кластеры армируют матрицу, что должно приводить к существенному изменению прочностных и электронных свойств материала Доп.точки доступа: Накин, А.В.; Малынкин, В.Г. |
Вайсбурд, Д. И. Методика определения термического сопротивления контакта диэлектрик-подложка при интенсивных режимах облучения диэлектрика [Текст] / Д. И. Вайсбурд, В. Ф. Пичугин, М. И. Чебодаев // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N12. - Библиогр.: с.43 (17 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- нагрев -- термическое сопротивление -- экспресс-методика Аннотация: Исследован нагрев диэлектриков при импульсно-периодическом облучении образцов ионным пучком. Решением уравнения теплопроводности являются вынужденные колебания температуры образца относительно среднего значения с частотой следования импульсов облучения. Средняя за период колебаний температура вначале растет, а затем, насыщаясь, приближается к квазистационарному значению, которое полностью определяется термическим сопротивлением контакта образец-подложка при фиксированных условиях облучения. Предложен метод нахождения средней за период облучения температуры диэлектрика в режиме насыщения, на основе которого построена экспресс-методика определения термического сопротивления контакта, базирующаяся на импульсно-периодическом нагреве образца ионным или электронным пучком умеренной плотности и прецизионном измерении средней температуры. Определена погрешность экспресс-методики и область ее применимости. При помощиметодики расчета термического сопротивления контакта предложен способ нахождения энергии, уходящей на распыление поверхности образца ионным пучком (sputtering) Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Пичугин, В.Ф.; Чебодаев, М.И. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Расчет профилей радиационных дефектов в КРТ при импульсном ионном воздействии [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.89 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- диффузия -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: В работе рассматривается возникновение и эволюция профилей радиационных дефектов в КРТ при воздействии на него высокоточными ионными импульсами. Приводится математическая модель радиационного дефектообразования с учетом влияния на него возникающего неоднородного нестационарного температурного поля, а также полей механических квазистатических и динамических напряжений. Приводятся примеры расчета и сравнение расчетных и экспериментальных данных Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Шульга, С.А. |
537.534.35:669.017.620:669-170 С 989 Сюткина, В. И. Формирование ультрамелкозернистой структуры при фазовых превращениях и облучении в металлах и сплавах с дальним порядком [Текст] / В. И. Сюткина, Н. Н. Сюткин // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 8. - Библиогр.: с. 89 (22 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): металлы -- сплавы -- ультрамелкозернистая структура -- ионное облучение -- чистый иридий -- иридий -- наноструктуры -- наноструктурные материалы -- ультрамикрокристаллические материалы Аннотация: В настоящей работе приведены исследования авторов по получению ультрамелкозернистой структуры в металлах и сплавах с дальним порядком с помощью фазовых превращений и ионного облучения. Показано, что при определенных режимах ионного облучения возможно существенно измельчить структуру чистого иридия, а совмещая процессы атомного упорядочения, старения и фазовой перекристаллизации в бинарных и тройных сплавах, - создавать структуру микродуплекс, обладающую высокими механическими свойствами. Доп.точки доступа: Сюткин, Н. Н. |
669 Р 697 Романьков, С. Е. Влияние толщины исходной пленки алюминия и ионного облучения на формирование структуры алитированных слоев на титане при отжиге [Текст] / С. Е. Романьков, Е. Л. Ермаков [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 6. - Библиогр.: с. 72 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): алюминий -- титан -- напыление -- ионное облучение -- алитированные слои -- отжиг Аннотация: Методом термического напыления на образцы из титана, которые использовались в качестве подложки, был нанесен слой алюминия толщиной 3, 5 и 7 мкм. Доп.точки доступа: Ермаков, Е. Л.; Орозбаев, Р. О.; Мамаева, А.; Вдовиченко, Е. В. |
538.971 Т 691 Трифонов, Н. Н. Моделирование динамического изменения состава поверхности вольфрама при ионном облучении с учетом осаждения примесей углерода [Текст] / Н. Н. Трифонов, Д. К. Когут, В. А. Курнаев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 3. - С. 7-10 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- поверхность вольфрама -- вольфрам -- ионы Ar -- углерод Аннотация: В работе проведено моделирование процесса очистки ионами Аr поверхности вольфрама, покрытой углеводородной пленкой, с учетом переосаждения примеси графита. Увеличение энергии ионов аргона с 200 до 1000 эВ приводит к существенному ускорению очистки. При увеличении притока примеси графита на поверхность скорость очистки замедляется. Доп.точки доступа: Когут, Д. К.; Курнаев, В. А. |
539.2 Л 887 Лысова, Г. В. Анализ влияния энергии межатомного взаимодействия и структуры сплавов Fe-Cr на процессы РИС после ионного облучения [Текст] / Г. В. Лысова, Г. А. Биржевой, М. И. Захарова, Н. П. Соловьев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 3. - С. 11-16 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сплавы Fe-Cr -- ионное облучение -- энергия межатомного взаимодействия -- радиационно-индуцированная сегрегация Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа профилей радиационно-индуцированной сегрегации хрома после облучения модельных сплавов Fe- (9, II, 14) ат. % Сr ионами Не\{+\} с энергией 30 кэВ флуенсами 10\{19\}-10\{21\} ион/м\{2\} при температуре 450 градусов С и данные об изменении модулей нормальной упругости и структуры данных сплавов в зависимости от концентрации в них Cr. Показано, что межузельный механизм миграции является определяющим при сегрегации хрома вблизи поверхности. Установлена корреляция между характером изменения модулей упругости, упорядочения, величины поверхностной сегрегации и распухания сплавов Fe-Cr в зависимости от концентрации в них Cr. Доп.точки доступа: Биржевой, Г. А.; Захарова, М. И.; Соловьев, Н. П. |
539.2 А 659 Андрианова, Н. Н. Моделирование дефектообразования в материалах при высоких флуенсах ионного облучения [Текст] / Н. Н. Андрианова, авт. А. М. Борисов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 3. - С. 23-26 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- флуенсы ионного облучения -- радиационные повреждения материалов Аннотация: Приводятся и обсуждаются результаты аналитических оценок и компьютерного моделирования уровня радиационных повреждений dpa с учетом распыления материалов при ионной бомбардировке. Показано, что расчеты стационарного уровня радиационных повреждений необходимы при интерпретации закономерностей дефектообразования в материалах при высоких флуенсах ионного облучения. Доп.точки доступа: Борисов, А. М. |
669 О-355 Овчинников, В. В. Анализ изменений структурного состояния сплава ВД1 (Al-Cu-Mg-Mn) под воздействием ионного облучения Ar{+}, E = 40кэВ) методом просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / В. В. Овчинников, Н. В. Гущина [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 4. - С. 404-411. - Библиогр.: с. 411 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): сплавы -- ВД1 -- ионное облучение -- структурное состояние -- электронная микроскопия -- просвечивающая микроскопия -- субзернистые структуры Аннотация: Методом электронной микроскопии установлено, что облучение Ar{+} с энергией 40 кэВ холоднодеформированного алюминиевого сплава ВД1 системы (Al-Cu-Mg-Mn) приводит к формированию в нем развитой субзеренной структуры с равноосными, свободными от дислокаций субзернами. Доп.точки доступа: Гущина, Н. В.; Махинько, Ф. Ф.; Чемеринская, Л. С.; Школьников, А. Р.; Можаровский, С. М.; Филиппов, А. В.; Кайгородов, Л. И. |
Влияние плотности ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута, криптона и ксенона на развитие водородных блистеров в кремнии [Текст] / В. Ф. Реутов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 9. - С. 63-70. - Библиогр.: c. 70 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионизационные потери -- кремний -- водородные блистеры -- ионное облучение -- атермический выход водорода -- блистеры -- водородная пористость -- ионная имплантация Аннотация: Приведены экспериментальные результаты, свидетельствующие о радиационно-индуцированном атермическом выходе водорода из монокристаллического кремния при облучении высокоэнергетичными тяжелыми ионами Bi+ (E=710 MeV), Kr+ (E=85 и 250 MeV) и Xe+ (E=130 MeV). Уменьшение концентрации водорода зависит от величины удельных ионизационных потерь энергии высокоэнергетичными тяжелыми ионами. При высоких удельных ионизационных потерях ионами Bi+ с E=710 MeV (22. 5 keV/nm) концентрация водорода уменьшается до значения, не позволяющего визуализировать блистеры в оптическом и электронном микроскопах (по-видимому, до 1 at. % в пике расчетного концентрационного профиля водорода). При средних значениях удельных ионизационных потерь энергии (12. 5 keV/nm - облучение ионами Xe+ с E=130 MeV, 9. 5 keV/nm - облучение ионами Kr+ с E=250 MeV, 8. 5 keV/nm - облучение ионами Kr+ с E=85 MeV) концентрация водорода уменьшается лишь до уровня, не влияющего на формирование блистеров, однако определяющего условия их разрушения, т. е. формирование флэкингов. Доп.точки доступа: Реутов, В. Ф.; Залужный, А. Г.; Кобзев, А. П.; Сохацкий, А. С. |
Ивченко, В. А. Структура дефектов в Pt, инициированных нейтронным и ионным облучением [Текст] / В. А. Ивченко, Е. В. Медведева, В. В. Овчинников // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 26-32
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевая ионная микроскопия -- нанокристаллические состояния -- приповерхностный объем -- радиационные повреждения -- нейтронное облучение -- ионное облучение Аннотация: Прямым методом полевой ионной микроскопии обнаружен эффект формирования нанокристаллических состояний структуры в приповерхностном объеме платины (99. 99%) в результате облучения ионами аргона с энергией 30 кэВ до флуенсов 10\{16\}-10\{17\} см\{-2\}. Установлены пространственное распределение и строение радиационных повреждений в Pt, облученной в реакторе ИВВ-2М при температуре ~ 310 К до флуенсов быстрых (Е больше 0. 1 МэВ) нейтронов 6. 7 х 10\{17\} см\{-2\} и 3. 5 х 10\{18\} см\{-2\}. Доп.точки доступа: Медведева, Е. В.; Овчинников, В. В. |
Гурович, Б. А. Физические механизмы, лежащие в основе процесса селективного удаления атомов [Текст] / Б. А. Гурович, К. Е. Приходько // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 2. - С. 179-195 : 16 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 195 (24 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): селективное удаление атомов -- ионное облучение -- диффузионные процессы -- наноэлементы -- электроны -- ионы Аннотация: Изложен современный взгляд на природу процесса селективного удаления атомов (СУА) - управляемого преобразования свойств и состава многоатомных веществ под действием ионного облучения. Рассмотрены основные эффекты, сопровождающие СУА, и возможные механизмы, за счет которых этот процесс может реализоваться. Доп.точки доступа: Приходько, К. Е. |