539.2 Б 342 Баязитов, Р. М. Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода [Текст] / Р. М. Баязитов, И. Б. Хайбуллин, Р. И. Баталов, Р. М. Нурутдинов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионная имплантация -- карбид кремния -- кремний Аннотация: Исследована структура и инфракрасное поглощение в слоях кубического карбида кремния (beta-SiC), сформированных путем непрерывной высокодозной имплантации ионов углерода (C{+}) в кремний (E=40 keV, D=5ъ10{17} cm{-2}) с последующей обработкой имплантированных слоев мощным наносекундным импульсным ионным пуском (С{+}, tau=50 ns, E=300 keV, W=1.0-1.5 J/cm{2}). Просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция свидетельствуют о формировании крупнозернистого поликристаллического слоя beta-SiC с размером зерна до 100 nm. Характерной особенностью сформированных слоев является дендритная поверхностная морфология, что объясняется кристаллизацией из расплава, сильно переохлажденного относительно точки плавления beta-SiC Доп.точки доступа: Хайбуллин, И.Б.; Баталов, Р.И.; Нурутдинов, Р.М. |
539.2 Б 28 Баталов, Р. И. Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния [] / Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 5-8. - Библиогр.: с. 8 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомные кластеры; воздействия; дефекты; деформация; дислокации; ИК-области; кластеры; кремниевые структуры; кремний; монокристаллический кремний; нанофотоника; обработка; пластическая деформация; преципитаты; радиационные воздействия; структуры; термическая обработка; фотолюминесценция Аннотация: Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области. Доп.точки доступа: Баязитов, Р. М.; Хуснуллин, Н. М.; Теруков, Е. И.; Кудоярова, В. Х.; Мосина, Г. Н.; Андреев, Б. А.; Крыжков, Д. И. |
Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности. Доп.точки доступа: Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И. |
Особенности импульсной обработки слоев кремния, имплантированных ионами эрбия [Текст] / Р. И. Баталов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 40-44
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- эрбий -- тонкослойные твердые растворы -- слои кремния -- импульсная ионная обработка -- микроструктуры Аннотация: Проведено формирование тонкослойных твердых растворов эрбия в кремнии, а также синтез силицидов эрбия с использованием непрерывной имплантации кремния ионами эрбия и последующей импульсной ионной обработки. Структурные и оптические свойства сформированных слоев Si: Er исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции. Установлена зависимость перераспределения атомов эрбия, микроструктуры слоев Si: Er и их фотолюминесценции в ближней ИК-области от концентрации атомов эрбия и режимов импульсных воздействий. Доп.точки доступа: Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Нурутдинов, Р. М.; Крыжков, Д. И.; Гайдук, П. И.; Маркуш, К. П.; Алвеш, Э. |
Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi[2]/Si (111) [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 122-130. - Библиогр.: c. 130 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионная имплантация -- ионный отжиг -- гетероструктуры -- импульсный ионный отжиг -- кремний -- монокристаллический кремний -- приповерхностные области -- сверхвысоковакуумная очистка -- оптическая отражательная спектроскопия -- спектроскопия комбинационного рассеяния -- хром -- дисилицид хрома -- преципитаты -- эпитаксиальное ориентирование -- поликристаллические преципитаты -- атомарночистые поверхности -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si (111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr+) с дозами от 6 10{15} до 6 10{16} cm{-2}, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi[2]). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850{o}C образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 10{16} cm{-2}. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi[2], которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста. Доп.точки доступа: Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Галкин, К. Н.; Ваванова, С. В.; Петрушкин, И. А.; Маслов, А. М.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Шустов, В. А. |