+ С 875 Струнин, В. И. Моделирование процесса разложения силана в высокочастотной плазме [Текст] / В. И. Струнин, А. А. Ляхов, Г. Ж. Худайбергенов, В. В. Шкуркин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 114 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- плазма -- пленки -- разложение силана -- силан Аннотация: Построена модель, описывающая процесс разложения силана в разряде высокочастотной аргоновой плазмы. На основании численных расчетов получены концентрации продуктов разложения SiH[4] и концентрации продуктов синтеза (высших силанов), проанализирована роль метастабильных атомов аргона в образовании радикала SiH[3] и высших силанов Доп.точки доступа: Ляхов, А.А.; Худайбергенов, Г.Ж.; Шкуркин, В.В. |
22.37 Р 449 Реутов, В. Ф. Упорядоченные гелиевые поры в аморфном кремнии, индуцированном облучением низкоэнергетическими ионами гелия [Текст] / В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.78 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- гелиевые поры -- ионное облучение -- нанопоры Аннотация: Тонкие, прозрачные в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), самонесущие пластинки кремния (001) облучали в (110)-торец низкоэнергетическими (E=17 keV) ионами He{+} в интервале доз 5*10{16}-4,5*10{17} cm{-2} при комнатной температуре. Послерадиационными ПЭМ исследованиями структуры Si вдоль пробега ионов установлено, что в области наибольшего повреждения тонких кристаллов Si формируется слой аморфного кремния (a-Si), по всей ширине которого зарождаются и растут гелиевые поры диаметром 2-5 nm и плотностью до 3*10{17} cm{-3}. Формирование нанопор в слое a-Si сопровождается их линейным упорядочением в виде цепочек, ориентированных вдоль направления движения ионов. Отсутствие пор в неаморфизованной области образца с максимальной концентрацией внедренного гелия объясняется десорбцией атомов гелия из тонкого кристалла в процессе облучения. В результате отжига при 600`C в сохранившемся слое a-Si наблюдается рост объема пор за счет захвата неподвижными порами атомов гелия из аморфной матрицы. Показано, что преимущественным состоянием имплантированного в аморфный Si гелия после облучения является его состояние в виде твердого раствора. В аморфном кремнии, легированном гелием, обнаружены линейные структурные особенности диаметром около 1 nm и плотностью около 10{7} cm{-1}, которые интерпретированы как ионные треки от низкоэнергетических ионов He{+} Доп.точки доступа: Сохацкий, А.С. |
Андреев, А. А. Особенности световых вольт-амперных характеристик p-i-n-структур на аморфном кремнии при туннельно-дрейфовом механизме переноса темнового тока [Текст] / А. А. Андреев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1363-1366
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-i-n-структуры -- вольт-амперные характеристики -- аморфный кремний -- туннельно-дрейфовый механизм переноса тока -- темновой ток Аннотация: Экспериментально изучены световые и темновые вольт-амперные характеристики p-i-n-структур на аморфном кремнии (альфа-Si : H) с малыми диффузионными длинами дырок (меньше толщины i-слоя p-i-n-структуры). Показано, что прямые ветви темновых вольт-амперных характеристик таких структур могут быть описаны присущей диодам инжекционной зависимостью с фактором неидеальности диода, в 2-3 раза превышающим максимальное значение 2, предсказываемое теорией для генерационно-рекомбинационных токов в p-n-переходе. Темновой ток всегда оказывается много меньше фототока ячейки при смещении порядка напряжения холостого хода фотоячейки. Темновые токи не могут участвовать в формировании световой вольт-амперной характеристики. Спад фототока с увеличением фотонапряжения при смещении, меньшем напряжения холостого хода, определяется не темновой инжекцией, а снижением коэффициента собирания и возрастающей ролью обратной диффузии электронов в p-контакт. В случае смещения выше напряжения холостого хода обратная диффузия становится доминирующей компонентой тока. |
Возбуждение эрбия в гетерогенной нанокристаллической матрице аморфного кремния [Текст] / М. С. Бреслер [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1664-1667. - Библиогр.: с. 1667 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эрбий -- возбуждение эрбия -- гетерогенная нанокристаллическая матрица -- нанокристаллические матрицы -- аморфный кремний -- силикат эрбия -- газовая фаза -- магнетронная камера Аннотация: Исследовалась кинетика распада фотолюминесценции эрбия на длине волны 1. 54 мюm в пленках аморфного гидрогенизированного кремния, полученных при больших концентрациях кислорода в газовом разряде магнетронной камеры. Результаты показали, что оптически активный эрбий может находиться как в полупроводниковой матрице аморфного кремния, так и в диэлектрических нанокристаллах силиката эрбия, образующихся в этом случае. Определено соотношение концентраций возбужденного эрбия в аморфном кремнии и нанокристаллах, а также время передачи возбуждения от эрбия в аморфном кремнии эрбию, находящемуся в нанокристаллах. Рассмотрен механизм возбуждения эрбия в такой гетерогенной системе. Измеренный внешний квантовый выход фотолюминесценции эрбия на длине волны 1. 54 мюm при комнатной температуре составил 0. 3-0. 4 процента. Доп.точки доступа: Бреслер, М. С.; Гусев, О. Б.; Терюков, Е. И; Ундалов, Ю. К.; Селюженок, Н. А. |
Размерный эффект при генерации оптической второй гармоники кремниевыми наночастицами [Текст] / О. А. Акципетров [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 2. - С. 72-76
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- композитный слой -- спектры интенсивности излучения -- оптическая вторая гармоника -- кристаллический кремний -- нанокристаллиты -- размерные эффекты -- структурные дефекты -- оптические переходы Аннотация: В измеренных при комнатной температуре спектрах интенсивности излучения второй гармоники, генерируемой при отражении от композитного слоя аморфного кремния с включениями кристаллического кремния (нанокристаллитами), обнаружен размерный эффект: при уменьшении среднего размера нанокристаллитов от 100 до 30~нм спектральный пик вблизи 3. 3~эВ сдвигается в коротковолновую область на 0. 12~эВ, при этом ширина пика возрастает в полтора раза. В качестве возможного механизма этого эффекта обсуждается влияние структурных дефектов на параметры оптических переходов в нанокристаллитах. Доп.точки доступа: Акципетров, О. А.; Бессонов, В. О.; Никулин, А. А.; Гун, Ц.; Хуан, С.; Чень, К. |
Голоденко, А. Б. Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния [Текст] / А. Б. Голоденко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 87-91 : ил. - Библиогр.: с. 91 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремний -- аморфный кремний -- атомные структуры -- фрактальные структуры -- твердые вещества -- некристаллические твердые вещества -- системы итерационных функций -- СИФ -- радиальная функция распределения -- РФР -- оценка адекватности -- адекватность (физика) -- плотность связей -- распределения углов -- диэдрические углы -- валентные углы -- оборванные межатомные связи -- плотность атомных структур Аннотация: Рассмотрен способ построения фрактальной модели некристаллического твердого вещества на примере аморфного кремния. В системах итерационных функций аргументам придается физический смысл диэдрических (двугранных) и валентных углов элементарной кристаллографической ячейки. Адекватность модели оценена по радиальной функции распределения, плотности атомной структуры, распределения валентных и диэдрических углов, плотности оборванных межатомных связей. |
Курова, И. А. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1624-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1628 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические свойства -- слоистые пленки -- аморфный кремний -- гидрированный кремний -- температурные зависимости -- фотопроводимость пленок -- нелегированные пленки -- интенсивность освещения -- фоточувствительность пленок -- стандартные пленки -- темновая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурное гашение -- электрические свойства -- оборванные связи -- кремний -- акцепторные центры -- коэффициенты захвата Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130-420 K) и интенсивностей освещения (0. 1-60 мВт·см{-2}). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок. Доп.точки доступа: Ормонт, Н. Н. |
Корчагина, Т. Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN[x]: H с применением фемтосекундных импульсных отжигов [Текст] / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, B. N. Chichkov // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1660-1665 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование нанокластеров -- нанокластеры -- кристаллизация нанокластеров -- кремний в пленках -- пленки -- фемтосекундные импульсы -- импульсные отжиги -- подложки из стекла -- стекло -- плазмо-химические методы -- лазерные отжиги -- титан-сапфировые лазеры -- структурные изменения -- спектроскопия света -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- молярные доли -- аморфный кремний -- импульсная кристаллизация -- импульсная обработка Аннотация: Пленки SiN[x]: H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380{o}C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния ~1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния (x > 1. 25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1-2 нм. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Chichkov, B. N. |
536.42 Ф 796 Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии [Текст] / В. И. Рудаков [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 122-128. - Библиогр.: c. 128 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): силицид кобальта -- ультратонкие слои -- магнетронное распыление -- термический отжиг -- кремний -- аморфный кремний -- Si -- alpha-Si -- жертвенные слои -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектрометрия -- времяпролетная масс-спектрометрия -- оже-электронная спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- рентгеновский дисперсионный микроанализ Аннотация: Исследованы процессы формирования ультратонких слоев CoSi2 в структурах Ti (8 nm) /Co (10 nm) /Ti (5 nm), TiN (18 nm) /Ti (2 nm) /Co (8 nm) и TiN (18 nm) /Co (8 nm), полученных магнетронным распылением на поверхности Si (100). Структуры подвергались двухстадийному быстрому термическому отжигу. В промежутке между стадиями отжига с поверхности химически удалялся "жертвенный" слой, а на две последние структуры дополнительно наносился аморфный кремний alpha-Si толщиной 17 nm. На различных этапах технологического маршрута проводилось комплексное исследование структур с помощью времяпролетной "катионной" вторичной ионной масс-спектрометрии, оже-электронной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии, совмещенной с рентгеновским дисперсионным микроанализом. Показано, что представленный комплекс аналитических измерений позволяет эффективно решать проблемы, связанные с физическим контролем процесса образования ультратонких слоев силицидов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p122-128.pdf Доп.точки доступа: Рудаков, В. И.; Денисенко, Ю. И.; Наумов, В. В.; Симакин, С. Г. |
530.1 Г 935 Гудков, А. Л. Свойства планарных джозефсоновских переходов Nb/альфа-Si/Nb с различной степенью легирования альфа-Si-прослойки [Текст] / А. Л. Гудков, М. Ю. Куприянов, А. Н. Самусь // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 5. - С. 939-952 : рис. - Библиогр.: с. 951-952 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): планарные джозефсоновские переходы -- Nb/альфа-Si/Nb -- переходы -- степень легирования -- альфа-Si-прослойка -- аморфный кремний -- легирующая примесь -- вольфрам -- легирование Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований свойств планарных джозефсоновских переходов Nb/альфа-Si/Nb с различной степенью легирования прослойки из аморфного кремния. В качестве легирующей примеси был использован вольфрам. Доп.точки доступа: Куприянов, М. Ю.; Самусь, А. Н. |
543.4/.5 П 429 Повышение точности рентгенофлуоресцентного анализа пленок Si[1] - [x]Ge[x] [Текст] / Н. И. Машин [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 3. - С. 361-364 : Рис. 2, табл. 2. - Библиогр.: с. 364 (10 назв. )
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): пленки Si[1] - [x]Ge[x] -- аморфный кремний -- пленочные структуры -- кремний-германиевые пленки Аннотация: Проведены исследования по поиску приемов повышения точности рентгенофлуоресцентного определения состава и толщины тонких пленок Si1 - xGex, нанесенных на поликор. Рассчитаны поправочные коэффициенты, учитывающие эффекты взаимного влияния элементов в изучаемых пленочных структурах. Показана возможность достижения необходимого уровня точности определения их состава и толщины. Доп.точки доступа: Машин, Н. И.; Леонтьева, А. А.; Лебедева, Р. В.; Туманова, А. Н. |
53:51 К 713 Косминская, Ю. А. Самосборка островковых систем аморфного кремния с помощью полевой селективности [Текст] / Ю. А. Косминская, А. А. Мокренко, В. И. Перекрестов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 99-105 : ил. - Библиогр.: с. 105 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- Si -- аморфный кремний -- конденсаты -- аморфные конденсаты -- поверхность конденсатов -- островковые системы -- самосборка островковых систем -- полевая селективность -- структурно-морфологические характеристики -- микроскопия -- электронная микроскопия -- растровая микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- методы микроскопии -- метод растровой электронной микроскопии -- процессы самоорганизации -- одинаковые формы (физика) -- островки (физика) -- размеры островков -- математические модели -- электрические поля -- атомы кремния -- ионизированные атомы -- осаждение атомов Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии изучены структурно-морфологические характеристики поверхности аморфных конденсатов Si. Были обнаружены процессы самоорганизации одинаковых форм и размеров островков. Создана математическая модель, которая отчасти объясняет самоорганизацию островковых систем в условиях предельно слабых пересыщений, при наличии вблизи ростовой поверхности электрического поля и осаждении ионизированных атомов Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p99-105.pdf Доп.точки доступа: Мокренко, А. А.; Перекрестов, В. И. |
539.2 Н 813 Номоев, А. В. Синтез, строение наночастиц металл/полупроводник Ag/Si, полученных методом испарения-конденсации [Текст] / А. В. Номоев, авт. С. П. Бардаханов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 8. - С. 46-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): металлы -- полупроводники -- наночастицы -- композитные наночастицы -- наноструктуры -- композитные наноструктуры -- строение наночастиц -- синтез наночастиц -- метод испарения-конденсации -- электроны -- релятивистские пучки -- кремний -- аморфный кремний -- серебро -- насыщенные пары -- аргон -- пучки электронов -- исследования -- образование наночастиц Аннотация: Высокопроизводительным методом испарения веществ релятивистским пучком электронов впервые синтезированы композитные наноструктуры металл/полупроводник: композитные наночастицы Ag/Si, наночастицы ядро-оболочка Ag@Si. Ядро Ag является кристаллическим, а оболочка состоит из аморфного кремния. Выявлено, что для получения таких частиц необходимо учитывать давление насыщенных паров испаряемых веществ. Проведены исследования зависимости размеров частиц от расхода аргона и мощности пучка электронов. Установлено, что основным процессом образования наночастиц Ag@Si является коагуляция, формирование оболочки уменьшает размер частиц. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/08/p46-53.pdf Доп.точки доступа: Бардаханов, С. П. |
537.311.33 М 744 Модель для описания особенности на аккумуляционной ветви вольт-фарадных характеристик МОП-конденсаторов с наночастицами кремния в окисле [Текст] / В. А. Стучинский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Конденсаторы Кл.слова (ненормированные): МОП-конденсаторы -- металл-окисел-полупроводник -- ВФХ -- вольт-фарадные характеристики -- аккумуляционные ветви -- особенности -- кремний -- окислы -- наночастицы -- нановключения -- заряды -- носители заряда -- инжекция носителей заряда -- линейные цепочки -- туннельная миграция -- туннельные расстояния -- кристаллы -- нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- планарные массивы нанокристаллов -- инжекция дырок -- монополярная инжекция -- полупроводники -- аморфный кремний -- кластеры кремния Аннотация: Предложена модель для описания особенности, формирующейся на НЧ ВФХ МОП-конденсаторов с нановключениями Si в окисле. Возникновение особенности связывается с изменением на частоте измерения ВФХ заряда, накапливающегося в окисле в результате инжекции носителей заряда из контактов и их туннельной миграции сквозь окисел по линейным цепочкам наночастиц в условиях разброса туннельных расстояний в цепочках. Свойства модели проиллюстрированы на простейшем примере МОП-конденсатора с планарным массивом кремниевых нанокристаллов в окисле и монополярной инжекцией дырок из слоя обогащения p-полупроводника. Приведена вольт-фарадная кривая, измеренная на конденсаторе с кластерами аморфного кремния в окисле, которая весьма напоминает кривые с двугорбой особенностью, предсказываемые моделью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p45-52.pdf Доп.точки доступа: Стучинский, В. А.; Камаев, Г. Н.; Ефремов, М. Д.; Аржанникова, С. А. |
539.2 О-754 Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний [Текст] / Ю. С. Вайнштейн [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 312-315 : ил. - Библиогр.: с. 315 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- кремний -- кристаллические наночастицы -- плазмохимическое осаждение -- метод плазмохимического осаждения -- газовая фаза -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фотоответ -- фотоэлектрические свойства Аннотация: Слои гидрогенизированного аморфного кремния с кристаллическими наночастицами получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с добавлением тетрафторсилана в газовую смесь. Исследована кинетика фотолюминесценции слоев и фотоэлектрические свойства структур на их основе. Структуры характеризуются значительной эффективностью фотоответа в видимой области спектра, причем положение максимума спектра фотоответа зависит от приложенного смещения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p312-315.pdf Доп.точки доступа: Вайнштейн, Ю. С.; Коньков, О. И.; Кукин, А. В.; Ельцина, О. С.; Беляков, Л. В. |
539.2 О-754 Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом [Текст] / А. Г. Казанский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 518-523 : ил. - Библиогр.: с. 522-523 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- пленки кремния -- кремний -- аморфный кремний -- гидрогенизированный кремний -- плазмохимическое осаждение -- моносилан -- водород -- смеси -- нанокристаллические фазы -- фотопроводимость -- температурные зависимости -- энергия квантов -- кванты -- нанокристаллы кремния Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом при относительной доли водорода в газовой смеси, соответствующей условиям начала формирования нанокристаллической фазы в структуре получаемых пленок. Получен необычный для пленок аморфного гидрогенизированного кремния характер поведения фотопроводимости и спектральной зависимости коэффициента поглощения. Температурные зависимости фотопроводимости исследованных пленок зависели от энергии падающих квантов. Для энергии квантов 1. 3 эВ наблюдался эффект температурного гашения фотопроводимости. Длительное освещение исследованных пленок приводило к некоторому уменьшению коэффициента поглощения в области энергий квантов 1. 2-1. 5 эВ. Полученные результаты объясняются возможным присутствием нанокристаллов кремния в структуре исследованных пленок и их влиянием на фотоэлектрические и оптические свойства. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p518-523.pdf Доп.точки доступа: Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Хенкин, М. В. |
621.315.592 О-931 Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных a-Si:H и тандема muc-Si:H + a-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I-V-характеристик [Текст] / А. А. Андреев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 952-959 : ил. - Библиогр.: с. 958 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- аморфный кремний -- методы определения эффективности -- кпд -- темновые вольт-амперные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптическое излучение -- фотопреобразование -- плотность тока -- фотоны -- кристаллические соединения -- экспериментальные результаты Аннотация: Целью работы являлось применение к такому нестандартному полупроводниковому материалу, как аморфный кремний, метода определения эффективности, (кпд) наногетероструктурных многопереходных A{III}B{V} солнечных элементов из анализа темновых вольт-амперных характеристик. Исследовались a-Si: H и a-Si: H/muc-Si: H структуры, без светорассеивающего подслоя и антиотражающего покрытия. Измерения темновых вольт-амперных характеристик показали, что зависимость тока от напряжения содержит несколько экспоненциальных участков. Расчеты эффективности преобразования оптического излучения СЭ были выполнены для каждого участка темновой вольт-амперной характеристики. Это позволило получить зависимость потенциальной эффективности солнечного элемента от плотности тока генерации или потока фотонов. Наблюдаемое соответствие данных из экспериментальных характеристик и расчетов можно считать удовлетворительным и приемлемым, а методика измерения и анализа темновых вольт-амперных характеристик, предложенная и апробированная для СЭ на основе кристаллических соединений A{III}B{V}, приобретает универсальный характер. Проведенный анализ характеристик p-i-n-структур из аморфного кремния и основанный на этом расчет потенциальных эффективностей расширяют наше понимание этого класса приборов, позволяют улучшить технологию и эффективность фотопреобразования таких СЭ. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p952-959.pdf Доп.точки доступа: Андреев, А. А.; Андреев, В. М.; Калиновский, В. С.; Покровский, П. В.; Теруков, Е. И. |
621.315.592 В 586 Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства [Текст] / А. В. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 769-774 : ил. - Библиогр.: с. 773-774 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное облучение -- облучение лазером -- фемтосекудное лазерное облучение -- гидрогенизированный аморфный кремний -- аморфный кремний -- кремний -- пленки кремния -- структурные свойства -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- лазерная обработка -- неоднородность поверхности -- фотопроводимость -- спектральные зависимости -- коэффициент поглощения -- фототоки Аннотация: Исследовано влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si : H) на изменение их структурных, фотоэлектрических и оптических свойств. Использованные в работе условия проведения лазерной обработки различной интенсивности приводили к неоднородному по поверхности изменению структуры пленки. Рост интенсивности облучения приводил к увеличению вклада нанокристаллической фазы в усредненную по поверхности образца структуру, а также к увеличению проводимости и фотопроводимости исследованных образцов. В то же время спектральная зависимость коэффициента поглощения для всех исследованных образцов, полученная методом постоянного фототока, имела форму, характерную для пленок аморфного кремния. Полученные результаты указывают на возможность увеличения фотопроводимости в пленках a-Si : H в результате их облучения фемтосекундными лазерными импульсами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p769-774.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, А. В.; Казанский, А. Г.; Кашкаров, П. К.; Коньков, О. И.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Хенкин, М. В.; Кукин, А. В.; Beresna, M.; Kazansky, P. |
621.315.592 К 729 Косяченко, Л. А. Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей [Текст] / Л. А. Косяченко, Е. В. Грушко, Т. И. Микитюк // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 482-486 : ил. - Библиогр.: с. 486 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поглощательная способность -- кристаллический кремний -- аморфный кремний -- теллурид кадмия -- CdTe -- диселенид индия -- диселенид галлия -- спектральное распределение -- солнечное излучение -- коэффициент поглощения -- солнечные панели -- длина волны -- поглощение фотонов -- фотоны Аннотация: Исследованы зависимости поглощательной способности полупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si), аморфного кремния (a-Si), теллурида кадмия (CdTe), диселенида индия (CuInSe[2], CIS) и диселенида галлия (CuGaSe[2], CGS). Расчеты выполнены с учетом спектрального распределения стандартного солнечного излучения AM1. 5 и коэффициентов поглощения материалов. Показано, что в области длин волн lambda=lambda[g]=hc/E[g] практически полное поглощение фотонов в солнечном излучении AM1. 5 достигается в c-Si при толщине d=7-8 мм, в a-Si при d=30-60 мкм, в CdTe при d=20-30 мкм, в CIS и CGS при d=3-4 мкм. Полученные результаты отличаются от литературных данных для этих материалов (особенно для c-Si), когда толщина полупроводника, необходимая для полного поглощения солнечного излучения, идентифицируется с эффективной глубиной проникновения света на некоторой длине волны в области фундаментального поглощения полупроводника. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p482-486.pdf Доп.точки доступа: Грушко, Е. В.; Микитюк, Т. И. |
621.315.592 В 586 Влияние примеси Sn на оптические и структурные свойства тонких кремниевых пленок [Текст] / В. В. Войтович [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1331-1335 : ил. - Библиогр.: с. 1335 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесь олова -- олово -- Sn -- тонкие кремниевые пленки -- кремниевые пленки -- структура пленок -- оптические свойства -- аморфный кремний -- кремний -- кристаллизация кремния -- осаждение пленок -- подложки -- кристаллические фазы -- высоковакуумный отжиг -- нанокристаллы -- температура отжига -- отжиг Аннотация: Исследовано влияние примеси олова на структуру и оптические свойства тонкопленочного аморфного кремния. Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. Уже непосредственно после осаждения пленки на подложку (~300°C) в образцах с оловом присутствует кристаллическая фаза кремния. Высоковакуумный отжиг (350-750°C) приводит к росту кристаллической фазы в пленках с оловом (размер нанокристаллов возрастает от ~3. 0 до 4. 5 нм). В то же время в пленках без олова происходит лишь увеличение степени ближнего порядка. Кремниевая пленка без олова остается аморфной во всем интервале температур отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1331-1335.pdf Доп.точки доступа: Войтович, В. В.; Неймаш, В. Б.; Красько, Н. Н.; Колосюк, А. Г.; Поварчук, В. Ю.; Руденко, Р. М.; Макара, В. А.; Петруня, Р. В.; Юхимчук, В. О.; Стрельчук, В. В. |