539.2 Г 646 Гомоюнова, М. В. Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней атомов поверхности кремния [Текст] : обзор / М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 30-34 (203 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- атомное строение поверхности -- кремний -- фотоэлектронная спектроскопия -- фотоэлектронная спектросопия остовных уровней Аннотация: Обобщены результаты исследований атомного строения поверхности монокристаллического кремния (как чистой, так и с различными адсорбционными покрытиями) , выполненных в последние годы методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней высокого разрешения с использованием синхротронного излучения. Кратко описаны физические основы метода, техника эксперимента, методика обработки спектров и определения энергетических сдвигов остовных уровней атомов приповерхностного слоя. Особое внимание уделено поверхностным модам 2p-спектров кремния, наблюдаемых для основных типов реконструкции поверхности кристалла (Si (111) -7x7 и Si (100) -2x1) , и раскрытию взаимосвязи этих мод с особенностями атомного строения данных поверхностей. Подробно проанализированы работы, посвященные системе Ge/Si, представляющей большой интерес для развития наноэлектроники, а также проблеме адсорбции многих металлов и ряда газов на основных гранях кремния. Результаты этих исследований наглядно демонстрируют высокий потенциал рассмотренного метода для получения уникальной по своей детальности информации о структуре адсорбированных слоев и перестройке поверхности подложки, стимулированной адсорбцией. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/10/page-1.html.ru Доп.точки доступа: Пронин, И. И. |