621.315.592 З 179 Зайцев, В. Б. Особенности фотолюминесценции органических молекул в пористом кремнии [Текст] / В. Б. Зайцев, Г. С. Плотников, Ю. В. Рябчиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 31 (8 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- пористый кремний -- молекулы родамина В -- антрацен -- сенсибилизация люминесценции -- кремниевые наноструктуры Аннотация: Методом люминесцентной спектроскопии изучался характер взаимодействия с кремниевыми наноструктурами молекул родамина В и антрацена, которые диаметрально различаются своими электрофизическими и оптическими свойствами. Показано принципиальное отличие во взаимодействии таких органических молекул с кремниевыми наноструктурами и различным размером пор и обнаружено явление спектральной сенсибилизации люминесценции нанопористого кремния молекулами антрацена. Доп.точки доступа: Плотников, Г. С.; Рябчиков, Ю. В. |
621.315.592 Б 740 Богобоящий, В. В. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком p-Cd(x)Hg(1-x)Te при ионно-лучевом травлении [Текст] / В. В. Богобоящий, А. П. Власов, И. И. Ижнин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.58 (19 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- конверсия типа проводимости -- ионно-лучевое травление -- донорный комплекс -- проводимость Аннотация: На основе анализа процессов химической диффузии ртути в узкощелевых твердых растворах p-Cd(x)Hg(1-x)te:As предложен механизм конверсии типа проводимости при ионно-лучевом травлении. Показано, что n-p-конверсия типа проводимости в этом случае обусловлена образованием донорного комплекса мышьяк в подрешетке Te-межузельный атом Hg, а концентрация электронов в конвертируемом слое соответствует концентрации введенной примеси мышьяка. Результаты теоретического анализа подтвержены даннымии экспериментального исследования профиля распределения концентрации электронов в конвертированном в процессе ионно-лучевого травления n-слое эпитаксиальной структуры p-Cd(x)Hg(1-x)Te:As Доп.точки доступа: Власов, А.П.; Ижнин, И.И. |
621.315.592 М 473 Мелехов, А. П. Поверхность Ферми квазидвумерного электронного газа [Текст] / А. П. Мелехов, А. Б. Дюбуа // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.73 (2 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): поверхность Ферми -- квазидвумерный электронный газ -- потенциальная яма Аннотация: Построена модель энергетического состояния квазидвумерного электронного газа на основе прямоугольной потенциальной ямы конечной глубины. Установлен вид поверхности Ферми и характер ее трансформации в диапазоне от истинно двкмерного газа до трехмерного Доп.точки доступа: Дюбуа, А.Б. |
621.315.592 К 231 Каримов, М. Влияние скорости последиффузионной закалки и термообработки на термостабильность времени жизни носителей заряда в перекомпенсированном n-SiB,S [Текст] / М. Каримов, А. К. Караходжаев // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.56 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): кремний -- закалка -- термообработка -- время жизни -- перекомпенсированные полупроводники Аннотация: Исследовалось влияние скорости закалки в интервале 0,6-250 град/мин и при повторной термообработке до 1020 К на время жизни носителей заряда тау в перекомпенсированном n-Si Доп.точки доступа: Караходжаев, А.К. |
621.315.592 В 268 Вейс, А. Н. Особенности коэффициента отражения в (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te(x=0.05-0.20 [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.9-10 (18 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- коэффициент отражения -- индий Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения R в твердых растворах (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te с содержанием индия в шихте x=0.05-0.20 при Т=300 К. В спектрах R(лямбда) каждого из исследованных образцов выявлены два минимума коэффициента отражения: коротковолновый, расположенный при лямбда=1-2 мкм, и длинноволновый, расположенный при лямбда=25-30 мкм, обусловленный плазменными колебаниями свободных электронов. Проанализированы особенности в проявлении коротковолновых минимумов в зависимостях R(лямбда). Показано, что эти минимумы могут быть связаны с неоднородностями в пространственном распределении индия в образцах |
621.315.592 Д 400 Джакели, В. Г. Комбинационные механизмы ионизации и рекомбинации и генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках [Текст] / В. Г. Джакели, З. С. Качлишвили, М. Г. Хизанишвили, Э. Г. Хизанишвили // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.68 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): германий -- ионизация -- примеси -- рекомбинация Аннотация: В работе предложен новый комбинационный механизм рекомбинации - ударно-тепловой (УТ). Вычислен соответствующий коэффициент рекомбинации как для чистых, так и для легированных образцов Ge. Установлены условия, при которых УТ-механизм рекомбинации, по сравнению с лэксовским каскадным механизмом, является доминирующим. Проводится вычислительный эксперимент, при котором учитываются комбинационные механизмы ионизации и рекомбинации, а также процесс перезарядки примесных центров Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Качлишвили, З.С.; Хизанишвили, М.Г.; Хизанишвили, Э.Г. |
621.315.592 К 790 Кревчик, В. Д. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле [Текст] / В. Д. Кревчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.73 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- магнитное поле -- поглощение света -- примеси Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Грунин, А.Б.; Семенов, М.Б. |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Образование центров E4 (E[c]-0,76 эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- радиационные дефекты -- центры -- электронное облучение Аннотация: В работе исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (E[c]-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шоттки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)*10{15} см{3}. Концентрация центров определялась из спектров DLTS. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров Е4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в НО. В НО скорость введения нелинейно возрастает с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр Е4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Суржиков, А.П. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Расчет профилей радиационных дефектов в КРТ при импульсном ионном воздействии [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.89 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- диффузия -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: В работе рассматривается возникновение и эволюция профилей радиационных дефектов в КРТ при воздействии на него высокоточными ионными импульсами. Приводится математическая модель радиационного дефектообразования с учетом влияния на него возникающего неоднородного нестационарного температурного поля, а также полей механических квазистатических и динамических напряжений. Приводятся примеры расчета и сравнение расчетных и экспериментальных данных Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Шульга, С.А. |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Введение радиационных дефектов в GaAs при высоких температурах [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N11. - Библиогр.: с.90 (5 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Изучены дозовые зависимости концентрации радиационных дефектов при облучении GaAs в температурном интервале 380-550`C Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |
621.315.592 А 920 Атаев, А. К. Магнетотермоэдс p-InSb при большом градиенте температуры в зависимости от одноосной деформации [Текст] / А. К. Атаев, М. М. Гаджиалиев, Т. Н. Эфендиева // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.76 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): антимонид индия -- деформация -- магнетотермоэдс -- термоэдс Аннотация: В работе изучается поведение термоэдс дырочного InSb при большом градиенте температуры в магнитном поле и влияние на нее одноосной деформации Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml Доп.точки доступа: Гаджиалиев, М.М.; Эфендиева, Т.Н. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. (???? 1). Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью кадмий-ртуть-теллур [Текст] / А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2003. - N8. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): кадмий -- полупроводники -- полупроводниковая мишень -- ртуть -- теллур Аннотация: В работе предлагается математическая модель, описывающая взаимодействие мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью Cd[x]Hg[1-x]Te (кадмий-ртуть-теллур, или КРТ), приводятся результаты численного моделирования и сравнение их с экспериментом Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: c. 7 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремний-германиевые наноструктуры -- метод псевдопотенциала -- германиевые кластеры -- кремний -- нанокластеры Аннотация: Методом потенциала изучены электронные состояния (энергии локализованных и резонансных уровней, волновые функции, зарядовая плотность состояний) и спектры оптического поглощения германиевых кластеров в матрице кремния. Исследована возможность описания кластерных состояний Ge в Si методом эффективной массы. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
621.315.592 К 137 Кадушкин, В. И. Разогрев 2D-электронов в скрещенных магнитном и электрическом полях [Текст] / В. И. Кадушкин // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 20-21 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): разогрев 2D-электронов -- электрон-электронные взаимодействия -- электронные полупроводниковые системы -- разогрев -- эффект разогрева Аннотация: Экспериментально исследован разогрев двумерных 2D-электронов. Установлено, что эффекты разогрева двумерных электронов идентичны объемному случаю. Установлена зависимость эффективной электронной температуры от электрического поля. |
621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Магнитные параметры кристаллов Hg[1-x]Mn[x]Se[1-y]S[y] и Hg[1-x]Mn[x]Te[1-y]S[y] [Текст] / П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 68 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): магнитные явления -- физика магнитных явлений -- магнитная восприимчивость -- кластеры -- кластерная подсистема -- кристаллы Аннотация: Проведены исследования полумагнитных полупроводниковых твердых растворов Hg[1-x]Mn[x]Se и Hg[1-x]Mn[x]Te[1-y]Se[y]. |
621.315.592 Д 211 Даунов, М. И. Электронные фазовые переходы металл-диэлектрик под давлением в полупроводниках [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 53 ( 35 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): сильнолегированные компенсированные полупроводники -- полупроводники -- делокализация дырок -- электроны -- фазовые диаграммы Аннотация: Рассматривается влияние всестороннего давления на характер перехода металл-диэлктрик в слаболегированных и сильнолегированных компенсированных полупроводниках. Показано, как сказывается гибридизация резонансных квазилокализованных примесных состояниями зонного континуума на этот переход. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 7. - Библиогр.: с. 76-77 ( 10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- вариозные структуры КРТ -- электрофизические параметры Аннотация: В работе проведено численное моделирование влияния широкозонного и узкозонного вариозных слоев на результаты холловских измерений концентрации и подвижности носителей заряда эпитаксильных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ. Исследование зависимости относительно различия между эффективными методами значениями электрофизических параметров, полученных в эксперименте, и параметров основного "рабочего" слоя эпитаксильной пленки от характеристик вариозного слоя показало неравназначное влияние широкозонного и узкозонного слоев. Доп.точки доступа: Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П. |
621.315.592 О 520 Оксенгендлер, Б. Л. О природе радиационной стойкости компенсированного кремния [Текст] / Б. Л. Оксенгендлер, М. Каримов, М. С. Юнусов, А. К. Карахождаев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 7. - Библиогр.: с. 93 ( 7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): компенсированный кремний -- природная стойкость кремния -- кремний Аннотация: Потенциальный рельеф внутри полупроводника, модулированный изоэлектронными примесями, влияет на характер квазихимических реакций, что дает возможность управлять дефектным составом и , в конечном итоге, видом спектра локальных электронных уровней в запрещенной зоне. Доп.точки доступа: Каримов, М.; Юнусов, М. С.; Карахождаев, А. К. |
621.315.592 К 774 Краевчик, В. Д. Эффект гибридизации размерного и магнитного квантования в спектрах оптического поглощения наногетеросистем с D{ (-) } - состояниями [Текст] / В. Д. Краевчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 72 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): размерное квантование -- магнитное квантование -- оптическое поглощение -- квазинульмерные системы -- нанокристаллы -- диэлектрические матрицы -- нелинейная оптоэлектроника Аннотация: Теоретически исследовано магнитопоглощение света комплексами квантовая точка - D{ (-) } - центр, синтезированными в прозрачной диэлектрической матрице, с учетом дисперсии размеров квантовых точек (КТ) . В приближении эффективной массы получено аналитическое выражение для коэффициента примесного магнитопоглощения света продольной по отношению к направлению квантующего магнитного поля поляризации. Доп.точки доступа: Грунин, А. Б.; Семенов, М. Б. |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов. |