Пшеничнюк, С. А. Химическая чистота алмазоподобных пленок, полученных методом ионно-лучевого осаждения [Текст] / С. А. Пшеничнюк, Ю. М. Юмагузин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.102-103 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Техника--Материаловедение Кл.слова (ненормированные): алмазоподобные пленки -- тонкие пленки -- ионно-лучевое осаждение -- кремниевые подложки -- химическая чистота -- масс-спектрометрия Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследован элементный состав образцов тонких алмазоподобных пленок, полученных в сверхвысоком вакууме путем ионно-лучевого осаждения на поверхностях кремниевых подложек. Качественный анализ результатов и их сравнение с данными, полученными для образцов графита и пироуглерода, показал высокую химическую чистоту полученных алмазоподобных покрытий Доп.точки доступа: Юмагузин, Ю.М. |
535.338.43.533.59 И 264 Игнатенко, П. И. Дифрактометрические исследования влияния условий получения алмазных пленок на монокристалл кремния [Текст] / П. И. Игнатенко, И. В. Сельская // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с. 79 (8 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): алмазные пленки -- дифрактометрия -- кремниевые подложки -- рост пленок -- синтез пленок Аннотация: Дифрактометрическим методом исследовано влияние параметров синтеза на рост алмазных пленок. При концентрации метана 2 и 4%, температурах подложек 1073, 1173, 1273 К с повышением давления, от5 до 22 кПа, увеличивается скорость роста алмазной пленки. Максимальная скорость роста (1,2 нм/с) имеет место при давлении 21,3 кПа, температуре подложки 1173 К и концентрации метана 4%. При этом, ка правило, растут текстурированные алмазные пленки с текстурой <110> либо <311>, либо с двойной текстурой <110>+<311> Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Сельская, И.В. |
537 К 823 Крикунов, А. И. Планарный эффект Холла в тонкопленочных магнитных структурах. Пленки кобальта на кремниевых подложках [Текст] / А. И. Крикунов, Ю. Ф. Огрин // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N6. - Библиогр.:с.731 (14 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- магнитная анизотропия -- магнитное поле -- планарный эффект Холла -- тонкие пленки кобальта -- ферромагнитные тонкие пленки -- эффект Холла Аннотация: Экспериментально исследованы полевая и угловая зависимости планарного эффекта Холла(ПЭХ) в ферромагнитных тонких пленках кобальта на кремниевых подложках. Обнаружено удвоение периода угловой зависимости ПЭХ при переходе от сильных магнитных полей к слабым, а также что в области промежуточных магнитных полей нарушена симметрия угловой зависимости относительно оси абцисс и имеет место гистерезисное поведение ПЭХ, проявляющееся как в полевой, так и в угловой завыисимости. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Огрин, Ю.Ф. |
539.2 Б 797 Болховитянов, Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, авт. О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П. |
621.315.592 А 661 Андронов, А. А. Стимулированное излучение гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при комнатной температуре в условиях оптической накачки [Текст] / А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 177-180 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическая накачка -- стимулированное излучение -- гетероструктуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- арсенид галлия -- кремниевые подложки Аннотация: Сообщается об экспериментальном наблюдении стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1. 4-4. 5 мкм гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при оптической накачке. В экспериментах использовались варизонные образцы Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенные на подложках GaAs и Si с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция таких структур наблюдалась при температурах 77-300 K при импульсной накачке образцов Nd : YAG-лазером (длина волны 1. 064 мкм). При комнатной температуре стимулированное излучение наблюдалось на длинах волн 1. 4-1. 7 мкм. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из объемных варизонных структур Cd[x]Hg[1-x]Te на подложках Si и GaAs. Доп.точки доступа: Ноздрин, Ю. Н.; Окомельков, А. В.; Бабенко, А. А.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Смирнов, Р. Н. |
Тонкопленочная структура PZT/SiC на кремниевой подложке: формирование, структурные особенности и диэлектрические свойства [Текст] / И. П. Пронин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 19. - С. 46-52 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- кремниевые подложки -- диэлектрические свойства Аннотация: Получена новая тонкопленочная сегнетоэлектрическая структура. Основу данной структуры составляет пленка, сформированная на тонких (толщиной 90-100 nm) монокристаллических слоях карбида кремния политипов 3C-SiC и 4H-SiC, полученных на кремниевых подложках новым методом твердофазной эпитаксии. Сообщается о методах формирования данной гетеросистемы, ее структурных и диэлектрических характеристиках. Доп.точки доступа: Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Климов, В. А.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А. |
Структурно-фазовое состояние системы Ti-Si, обработанной компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 32-36 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): плазменные потоки -- компрессионные плазменные потоки -- приповерхностные слои -- фазовые превращения -- легированные слои -- дендриты -- титановые покрытия -- кремниевые подложки -- силициды титана Аннотация: Исследованы особенности структурных изменений и закономерности фазовых превращений в приповерхностных слоях системы "титановое покрытие-кремниевая подложка" после обработки компрессионными плазменными потоками. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Квасов, Н. Т.; Петухов, Ю. А.; Асташинский, В. М.; Кузьмицкий, А. М. |
Чубенко, Е. Б. Видимая фотолюминесценция пленок ZnO, сформированных электрохимическим методом на кремниевых подложках [Текст] / Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, M. Balucani // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 24. - С. 74-80 : ил. - Библиогр.: с. 80 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кристаллические пленки -- фотолюминесценция -- цинк -- Zn -- оксид цинка -- ZnO -- электрохимическое осаждение -- кремниевые подложки -- водные растворы -- нитрат цинка -- буферные слои -- никель -- Ni -- дифрактометрия -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- кристаллические решетки -- гексагональные кристаллические решетки -- спектры -- области спектров -- комнатная температура Аннотация: Сплошные кристаллические пленки оксида цинка (ZnO) толщиной 6-10 mum получены электрохимическим осаждением из водных растворов нитрата цинка на кремниевых подложках с буферным слоем никеля. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено, что пленки имеют гексагональную кристаллическую решетку с преимущественной ориентацией (0002). Полученные пленки ZnO показали сильную фотолюминесценцию в видимой области спектра при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Бондаренко, В. П.; Balucani, M. |
Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков [Текст] / А. М. Бадалян [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 36-45 : ил. - Библиогр.: с. 44-45 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- наноструктурированные тонкие слои -- формирование слоев -- газогетерогенный синтез -- металлокомплексы -- летучие металлокомплексы -- малоразмерные летучие металлокомплексы -- медь -- кремниевые подложки -- кварцевые подложки -- полупроводники -- диэлектрики -- формиатные металлокомплексы -- осажденные слои -- зернистые структуры -- металлическое состояние -- наноразмерные зерна Аннотация: Представлен и исследован новый метод формирования наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов. Наноструктурированные тонкие слои меди на кремниевых и кварцевых подложках синтезированы из малоразмерных формиатных металлокомплексов на основе совмещенного синтеза-переноса. Выявлено, что осажденный слой имеет характерную плотно упакованную зернистую структуру с преимущественным содержанием меди в металлическом состоянии Cu{0} наноразмерных зерен. Доп.точки доступа: Бадалян, А. М.; Бахтурова, Л. Ф.; Каичев, В. В.; Кашников, Б. П.; Поляков, О. В.; Пчеляков, О. П.; Смирнов, Г. И. |
Дмитриев, А. С. Генерация микроволнового динамического хаоса в кольцевой автоколебательной системе на комплементарной металл-окисел-полупроводниковой структуре [Текст] / А. С. Дмитриев, Е. В. Ефремова, А. Ю. Никишов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 9. - С. 82-89 : ил. - Библиогр.: с. 88-89 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): динамический хаос -- микроволновый динамический хаос -- хаотические колебания -- генерация колебаний -- автоколебательные системы -- хаотические автоколебательные системы -- кольцевые автоколебательные системы -- хаотические системы -- микросхемы -- интегральные микросхемы -- монолитные интегральные микросхемы -- кремниевые подложки -- металл-окисел-полупроводниковые структуры -- мощность -- спектральная плотность -- диапазоны частот Аннотация: Предложена, реализована и исследована хаотическая автоколебательная система в виде монолитной интегральной микросхемы на кремниевой подложке. В эксперименте получена устойчивая генерация хаотических колебаний с максимумом спектральной плотности мощности в диапазоне частот 2. 8-3. 8 GHz. Доп.точки доступа: Ефремова, Е. В.; Никишов, А. Ю. |
Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В. |
Возможность получения пленок (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ш. Н. Усмонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1131-1136 : ил. - Библиогр.: с. 1135-1136 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): растворы -- твердые растворы -- непрерывные твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- антимонид галлия -- GaSb -- пленки -- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- кремниевые подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- рентгенограммы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные характеристики -- фоточувствительность структур -- p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- инжекционное обеднение Аннотация: Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] (x = 0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] в интервале температур 20-200°С. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V exp (JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения. Доп.точки доступа: Усмонов, Ш. Н.; Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Сапаров, Д.; Холиков, К. Т. |
Структура тонких пленок Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3], нанесенных на кремниевые подложки методом импульсного лазерного напыления [Текст] / В. Л. Романюк [ и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 5. - С. 37-40 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновский дифракционный анализ -- электронография -- атомносиловая микроскопия -- кремниевые подложки -- метод импульсного лазерного напыления Аннотация: Методом импульсного лазерного испарения с использованием Nd: YAG лазера, работающего в режиме свободной генерации, получены сегнетоэлектрические тонкие пленки Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3] на кремниевых подложках при температурах 200 и 450 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Романюк, В. Л.; Гременок, В. Ф.; Меркулов, В. С.; Соболь, В. Р.; Ташлыков, И. С. |
Спектры люминесценции гегсагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии [Текст] / М. Е. Компан [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2326-2330. - Библиогр.: с. 2330 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры люминесценции -- люминесценция -- карбид кремния -- мозаичные пленки -- метод твердотельной эпитаксии -- пленки карбида кремния -- кремниевые подложки Аннотация: Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках. Доп.точки доступа: Компан, М. Е.; Аксянов, И. Г.; Кулькова, И. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А. |
Андрусенко, Д. А. Фототермоакустическое преобразование в композитных системах "пористая матрица-жидкость" [Текст] / Д. А. Андрусенко, Р. М. Бурбело, А. Г. Кузьмич // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 9-16 : ил. - Библиогр.: с. 16 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композитные системы -- фототермоакустические преобразования -- матрицы -- пористые матрицы -- пористая матрица-жидкость -- экспериментальные исследования -- композиты -- кремниевые подложки -- монокристаллические кремниевые подложки -- амплитуды -- фотоакустические сигналы -- термоиндуцированные напряжения -- процессы релаксации Аннотация: Экспериментально исследованы особенности фототермоакустического преобразования в системах вида: слой композита "пористый кремний-жидкость" на монокристаллической кремниевой подложке. Показано, что наличие жидкости в порах приводит к существенному увеличению амплитуды и крутизны фронтов фотоакустического сигнала, что объясняется значительным вкладом давления жидкости в термоиндуцированные напряжения в образце. Экстремумы в зависимостях фотоакустического сигнала от времени, наблюдаемые для жидкости с малой вязкостью, связываются с процессом релаксации давления жидкости в порах. Доп.точки доступа: Бурбело, Р. М.; Кузьмич, А. Г. |
Исследование границы раздела слой-подложка в структурах Si-SiO[2]-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс [Текст] / Е. Ф. Венгер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1224-1228 : ил. - Библиогр.: с. 1228 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- структуры -- Si-SiO[2]-p-Si -- кремниевые квантовые точки -- температурные зависимости -- фотоэдс -- граничные электронные состояния -- ГЭС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- слой-подложка -- магнетронное напыление -- кремниевые подложки -- кремниевые нанокристаллы -- оксидная матрица -- высокотемпературный отжиг -- нанокристаллы -- окисление Аннотация: Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO[2] на кремниевую подложку p-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO[2]. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел. Доп.точки доступа: Венгер, Е. Ф.; Кириллова, С. И.; Корсунская, Н. Е.; Старая, Т. Р.; Хоменкова, Л. Ю.; Савченко, А. В.; Goldstein, Y.; Savir, E.; Jedrzejewski, J. |
661.2/.6 С 387 Синтез наноструктур на основе оксида цинка [Текст] / П. П. Горбик [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2011. - Т. 84, вып. 3. - С. 365-368. - Библиогр.: c. 368 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химическая технология Технология неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- метод газовой эпитаксии -- нановискеры оксида цинка -- нанокластеры -- наноразмерные кристаллы -- оксид цинка -- полевая электронная эмиссия -- рентгенофазовый анализ Аннотация: Предложена методика синтеза наноразмерных квазиодномерных кристаллов оксида цинка методом газовой эпитаксии по механизму пар - жидкость - кристалл. Доп.точки доступа: Горбик, П. П.; Дубровин, И. В.; Демченко, Ю. А.; Кашин, Г. Н.; Дадыкин, А. А. |
536.42 Н 725 Новая технология газогетерогенного синтеза наноструктурированных металлических слоев из малоразмерных летучих металлокомплексов [Текст] / А. М. Бадалян [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 113-118. - Библиогр.: c. 118 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные слои -- металлические слои -- газогетерогенный синтез -- тонкие слои -- ультратонкие слои -- медь -- кремниевые подложки -- кварцевые подложки -- формиатные металлокомплексы -- летучие металлокомплексы -- совмещенный синтез-перенос -- наноразмерные гранулы Аннотация: Предложена и экспериментально апробирована новая технология формирования тонких наноструктурированных слоев на полупроводниковых и диэлектрических подложках газогетерогенным синтезом из малоразмерных летучих комплексов металлов. Тонкие наноструктурированные слои меди на кремниевых и кварцевых подложках получены из малоразмерных летучих формиатных комплексов в условиях процесса совмещенного синтеза-переноса. Установлено, что медь в слоях, полученных этим методом, преимущественно находится в металлическом состоянии (Cu{0}) в виде плотно упакованных наноразмерных гранул с характерной структурой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p113-118.pdf Доп.точки доступа: Бадалян, А. М.; Бахтурова, Л. Ф.; Каичев, В. В.; Поляков, О. В.; Пчеляков, О. П.; Смирнов, Г. И. |
621.375 Э 717 Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 21-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): галлий -- нитрид галлия -- нитриды -- кремний -- кремниевые подложки -- полуполярное направление -- слои нитрида галлия -- выращивание слоев -- технологические методы -- алюминий -- нитрид алюминия -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- хлоридные системы -- HVPE -- рентгеновская дифракция -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- полосы рекомбинации -- экситонные полосы рекомбинации -- донорно-акцепторные полосы рекомбинации Аннотация: Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия на кремниевой подложке ориентации (100). Экспериментально показано, что создание специально ориентированного тонкого 600 nm слоя нитрида алюминия методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе (HVPE) позволяет получить рост нитрида галлия в полуполярном направлении. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции для лучших слоев omega[theta] (0004) =30 arcmin; в спектрах фотолюминесценции GaN при 77 K проявляются экситонная и донорно-акцепторные полосы рекомбинации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p21-26.pdf Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Полетаев, Н. К.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П. |
621.382 С 243 Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 6. - С. 90-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- светодиодные структуры -- нитриды -- кремниевые подложки -- кремний -- карбид кремния -- SiC -- эпитаксиальные нанослои -- твердофазная эпитаксия -- метод твердофазной эпитаксии -- дислокации -- плотность дислокаций -- электролюминесценция -- фотолюминесценция Аннотация: Впервые выращена светодиодная структура на основе III-нитридов на подложке кремния (111) с использованием нанослоя SiC (50-200 nm), полученного методом твердофазной эпитаксии. При этом достигается рекордно низкая плотность дислокаций несоответствия решеток <10{8} cm{-2} при общей плотности дислокаций ~ 8·10{8} cm{-2}. Измерены спектры фото- и электролюминесценции полученных структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/06/p90-95.pdf Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Жуков, С. Г.; Заварин, Е. Е.; Лундин, В. В.; Синицын, М. А.; Рожавская, М. М.; Цацульников, А. Ф.; Трошков, С. И.; Феоктистов, Н. А. |