539.2
П 932


    Пшеничнюк, С. А.
    Энергетические распределения электронов, эмитированных с поверхности вольфрамовых острий, покрытых алмазоподобными пленками [Текст] / С. А. Пшеничнюк, Ю. М. Юмагузин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 112 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
автокатоды -- алмазоподобные пленки -- алмазоподобные покрытия -- вольфрамовые острия -- полевая эмиссионная спектроскопия -- эмитеры
Аннотация: Представлены энергетические распределения электронов, эмитированных с поверхности алмазоподобных острийных катодов под действием сильного электрического поля. Алмазоподобные покрытия были получены на очень тонких вольфрамовых остриях методом ионно-лучевого осаждения в сверхвысоком вакууме. Структура углеродных пленок на вольфрамовых остриях исследована методом полевой эмиссионной микроскопии. Также в работе представлены результаты по временной стабильности полевого эмиссионного тока изготовленных автокатодов и вольт-амперные характеристики Фаулера-Нордгейма. На основе приведенных результатов предложена модель автокатода с относительно тонким алмазоподобным покрытием, объясняющая полученные распределения по энергии.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-105.html.ru

Доп.точки доступа:
Юмагузин, Ю. М.




    Пшеничнюк, С. А.
    Химическая чистота алмазоподобных пленок, полученных методом ионно-лучевого осаждения [Текст] / С. А. Пшеничнюк, Ю. М. Юмагузин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.102-103 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Техника--Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
алмазоподобные пленки -- тонкие пленки -- ионно-лучевое осаждение -- кремниевые подложки -- химическая чистота -- масс-спектрометрия
Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследован элементный состав образцов тонких алмазоподобных пленок, полученных в сверхвысоком вакууме путем ионно-лучевого осаждения на поверхностях кремниевых подложек. Качественный анализ результатов и их сравнение с данными, полученными для образцов графита и пироуглерода, показал высокую химическую чистоту полученных алмазоподобных покрытий


Доп.точки доступа:
Юмагузин, Ю.М.


537.311.33
С 173


    Самойленко, З. А.
    Влияние электромагнитного облучения на фазовый состав кластеризованных пленок CN[x] [Текст] / З. А. Самойленко, Е. И. Пушенко [и др.] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 57-62. - Библиогр.: c. 62 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
электромагнитное облучение -- аморфные пленки -- фазовый состав -- кластеризованные пленки -- рентгеноструктурный анализ -- кластеры -- графит -- карбонитрид -- нитрид углерода -- алмазоподобные пленки -- алмаз
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии видимого диапазона исследовано влияние электромагнитного облучения белым и ультрафиолетовым (УФ) светом на фазовый состав аморфных пленок CN[x]. Пленки имели разномасштабный атомный порядок в виде аморфных (30 Angstrem) кластеров графитовой фазы, кристаллических кластеров 50-100 Angstrem графитовой, алмазной и карбонитридной фаз и межкластерной среды с ближним атомным порядком 1-2 Angstrem. Показано, что облучение растущей поверхности пленок белым светом стимулирует рост мелких кластеров графитовой фазы. Облучение УФ светом подавляет развитие кластеров графитовой и карбонитридной фаз, стимулируя преимущественный рост (1. 5%) алмазной фазы. Показано, что изменение мезоскопического фазового состава пленок CN[x] вызывает изменение ширины запрещенной зоны для видимой области спектра от E[g]=0. 75 eV для пленок, облученных белым светом до E[g]=1. 75 eV при облучении слоев УФ-светом.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p57-62.pdf

Доп.точки доступа:
Пушенко, Е. И.; Ивахненко, Н. Н.; Варюхин, В. Н.; Прудников, А. М.; Шалаев, Р. В.




   
    Определение оптимального вакуума при полевой эмиссии из алмазоподобной пленки [Текст] / К. В. Рейх [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 119-122. - Библиогр.: c. 121-122 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
полевая эмиссия -- алмазоподобные пленки -- эмиссия электронов -- вакуум -- ударная ионизация -- DLC-пленки
Аннотация: Предложена модель, объясняющая эффект аномально высокой полевой эмиссии электронов из алмазоподобных пленок при низком вакууме. Показано, что эффект связан с образованием на пленке заряда положительных ионов, возникающих из-за ионизации остаточных газов в межэлектродном пространстве. Определена величина вакуума, соответствующая максимальному току эмиссии.


Доп.точки доступа:
Рейх, К. В.; Эйдельман, Е. Д.; Дидейкин, А. Т.; Вуль, А. Я.




   
    Инфракрасная спектроскопия алмазоподобных кремний-углеродных пленок [Текст] / Б. П. Горшунов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 111-115. - Библиогр.: c. 115 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
инфракрасная спектроскопия -- алмазоподобные пленки -- кремний-углеродные пленки -- нанокластеры -- металлосодержащие пленки
Аннотация: Выполнены первые измерения инфракрасных спектров металлосодержащих алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Показано, что оптический отклик подсистемы свободных носителей заряда в металлосодержащих (хром) пленках может быть описан в рамках простой модели, рассматривающей носители, локализованные внутри кластеров размером несколько нанометров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности управления электрическими и диэлектрическими свойствами пленок с помощью технологических методов их синтеза и соответствующего контроля за размерами, концентрацией и проводимостью металлических нанокластеров.


Доп.точки доступа:
Горшунов, Б. П.; Шупегин, М. Л.; Иванов, В. Ю.; Прохоров, А. С.; Спектор, И. Е.; Волков, А. А.




   
    Влияние облучения ионами на остаточные напряжения в алмазоподобных пленках [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 80-83. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
внутренние остаточные напряжения -- алмазоподобные пленки -- тонкие пленки -- потенциал смещения подложки -- морфология поверхности пленки
Аннотация: Рассмотрена зависимость внутренних остаточных напряжений в тонких алмазоподобных пленках, выращенных методом PECVD, от наиболее важных параметров выращивания, таких как мощность возбуждающего ВЧ-разряда и потенциал смещения подложки. Результат показал, что механические напряжения в пленках достигают наивысшей величины 1. 9 ГПа при наименьших из использованных значений мощности и потенциала. Напряжение уменьшается с увеличением обоих параметров и мало зависит от толщины пленки в диапазоне от 0. 1 до 1 мкм. Облучение полученных пленок ионами аргона с энергией 300 кэВ и фосфора с энергией 200 кэВ привело к уменьшению величины сжимающего напряжения с ростом дозы ионов вплоть до его инверсии. AFM-исследование облученных пленок выявило заметные изменения морфологии их поверхности.


Доп.точки доступа:
Карасев, П. А.; Подсвиров, О. А.; Виноградов, А. Я.; Азаров, А. Ю.; Карасев, Н. Н.; Смирнов, А. С.; Титов, А. И.; Коркин, И. В.; Поплевкин, С. В.




   
    Пространственные структуры, образующиеся при высокотемпературном вакуумном отжиге алмазоподобной пленки, нанесенной на кремниевую подложку [Текст] / М. Б. Цетлин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 5-9. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
вакуумный отжиг -- алмазоподобные пленки -- фотоэмиссионные микроскопы -- атомно-силовые микроскопы
Аннотация: Процесс сверхвысоковакуумного отжига алмазоподобной пленки, напыленной на кремниевую подложку, изучался in situ с помощью фотоэмиссионного микроскопа, установленного на источнике синхротронного излучения MAX-lab. После отжига пленка исследовалась ex situ с помощью атомно-силового микроскопа. Обнаружено, что при температуре, превышающей 1000°С, происходит графитизация пленки и, кроме того, на ее поверхности появляются округлые образования размером несколько микрон с сердцевиной размером 0. 2 мкм. Фотоэмиссионные изображения этих образований показали, что на их поверхности присутствует кремний. По-видимому, взаимодействие углеродной пленки с кремниевой подложкой начинается с середины образования, а на следующей стадии распространяется на прилегающую область.


Доп.точки доступа:
Цетлин, М. Б.; Захаров, А. А.; Маслаков, К. И.; Михеева, М. Н.; Линдау, И.




   
    Получение алмазоподобных пленок в процессе магнетронного распыления графитовой мишени [Текст] / А. В. Костановский [и др. ] // Теплофизика высоких температур. - 2009. - Т. 47, N 1. - С. 141-144 . - ISSN 0040-3644
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
осаждение пленок -- алмазоподобные пленки -- полупроводниковые пленки -- магнетронное распыление -- графитовые мишени
Аннотация: Целью данной работы является экспериментальная реализация метода осаждения алмазоподобных полупроводниковых пленок в процессе магнетронного распыления графитовой мишени и фотоактивации адатомов углерода на поверхности подложки. По сравнению с ионными и электронными методами распыления магнетрон позволяет значительно уменьшить влияние отраженных от мишени высокоэнергетических ионов (электронов) и вторичных электронов.


Доп.точки доступа:
Костановский, А. В.; Жиляков, Л. А.; Пронкин, А. А.; Кириллин, А. В.


539.21:535
И 755


   
    Ионно-плазменная обработка монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x~ 0.04) и оптическое просветление алмазоподобными углеродными пленками [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 8. - С. 83-88. - Библиогр.: c. 88 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.374
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
ионно-плазменная обработка -- оптическое просветление -- алмазоподобные пленки -- углеродные пленки -- кадмий-цинк-теллур -- плазма -- аргон -- азот -- водород -- спектры поглощения -- оптические покрытия -- переходные слои -- плазменная очистка
Аннотация: Изучено влияние ионно-плазменной обработки монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x~0. 04), которая проводилась перед нанесением просветляющего покрытия - алмазоподобной углеродной пленки a-C: H: N, на оптические свойства получаемой структуры. Обработка проводилась в плазме аргона, азота или водорода. Контроль оптических свойств системы a-C: H: N/Cd[1-x]Zn[x]Te показал, что наиболее эффективной, с точки зрения повышения пропускания структуры, является обработка в плазме аргона. Предложена модель оптической системы, учитывающая формирование переходных слоев после плазменной обработки и влияние типа ионов на их характеристики. Проведен анализ спектров поглощения системы a-C: H: N/Cd[1-x]Zn[x]Te, позволивший установить присутствие полос, соответствующих валентным и деформационным колебаниям C-H-связей, а также C-C- и C=O-связям, наличие которых необходимо учитывать при конструировании и синтезе изучаемых оптических покрытий.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/08/p83-88.pdf

Доп.точки доступа:
Клюй, Н. И.; Лозинский, В. Б.; Лукьянов, А. Н.; Мороженко, В. А.; Савкина, Р. К.; Сизов, Ф. Ф.; Смирнов, А. Б.; Дериглазов, В. А.


546
О-232


   
    Образование тонких углеродных пленок при воздействии фемтосекундного лазерного излучения в вакууме [Текст] / К. С. Хорьков [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2012. - Т. 55, вып. 6. - С. 17-19. - Библиогр.: с. 19 (7 назв.) . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 24.1 + 24.52
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом

   Химия твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
лазерная абляция -- ультракороткие лазерные импульсы -- стеклоуглероды -- алмазоподобные пленки -- тонкие углеродные пленки -- фемтосекундное лазерное излучение -- лазерное напыление -- лазерные системы -- наноразмерные материалы
Аннотация: Рассмотрено получение тонкопленочных углеродных покрытий методом лазерной абляции стеклоуглерода в вакууме 10{-4} Торр. Показаны результаты напыления при использовании Yb: KGW лазерной системы, которая имеет следующие параметры: центральная длина волны излучения 1030 нм, частота повторения импульсов 10 кГц, длительность импульса 280 фс, энергия в импульсе 150 мкДж и диаметр сфокусированного пятна порядка 50 мкм.


Доп.точки доступа:
Хорьков, К. С.; Герке, М. Н.; Прокошев, В. Г.; Аракелян, С. М.


537.311.33
П 764


   
    Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 27-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.379 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

   Радиоэлектроника

   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленки -- алмазоподобные пленки -- алмазоподобные углеродные пленки -- АУП -- применение пленок -- осаждение пленок -- кристаллы -- пропускание кристаллов -- просветление кристаллов -- арсенид галлия -- полуизолирующий арсенид галлия -- спектры -- ИК-области спектра -- плазма -- исследования -- предварительная обработка -- плазменная обработка -- оптическое пропускание -- различные газы
Аннотация: Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1-1. 5 mum позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4-15 mum, причем предварительная обработка в плазме H{+} или Ar{+} увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p27-34.pdf

Доп.точки доступа:
Клюй, Н. И.; Липтуга, А. И.; Лозинский, В. Б.; Лукьянов, А. Н.; Оксанич, А. П.; Тербан, В. А.


538.9
В 923


   
    Выделение алмазоподобной пленки на поверхность никеля при ионной имплантации углерода с одновременным облучением электронами / Ю. В. Мартыненко [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 10. - С. 675-681
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
никель -- ионная имплантация углерода -- углерод -- алмазоподобные пленки -- ускоренные электроны
Аннотация: Исследовалось одновременное облучение никеля ионами C\{+\} с энергиями 10-30 кэВ и электронами с энергиями 1-5 кэВ при температурах мишеней 300-1000 градусов С. Обнаружен эффект выделения внедренных атомов углерода на поверхности образца и образования прозрачной углеродной пленки с преимущественной sp\{3\}-гибридизацией. Пленка достигает толщины в несколько десятков нм. Образование пленок объясняется ускорением формирования углеродных структур при облучении ускоренными электронами.


Доп.точки доступа:
Мартыненко, Ю. В.; Коршунов, С. Н.; Белова, Н. Е.; Скорлупкин, И. Д.; НИЦ "Курчатовский институт"; НИЦ "Курчатовский институт"; НИЦ "Курчатовский институт"; НИЦ "Курчатовский институт"


536.42
С 387


   
    Синтез углеродных пленок в плазмохимическом реакторе на базе пучково-плазменного разряда / Е. Г. Шустин [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 97-102. - Библиогр.: c. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.375
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленки -- синтез углеродных пленок -- плазмохимические реакторы -- пучково-плазменные разряды -- алмазоподобные пленки -- ионные потоки -- компьютерное моделирование -- DLC-пленки -- зарядовая релаксационная спектроскопия -- адсорбция паров -- адсорбирующие материалы -- химические сенсоры
Аннотация: Разработана модификация плазмохимического реактора на основе пучково-плазменного разряда для осаждения углеродных, в том числе алмазоподобных (DLC) пленок, отличающаяся от известных методов простотой управления энергетическими характеристиками ионного потока, воздействующего на пленку в процессе осаждения. Описана техника компьютерного моделирования характеристик ионного потока на электроизолированную поверхность в режиме модуляции потенциала плазмы, позволяющая прогнозировать энергию и поток ионов, воздействующих на осаждаемую пленку. Получены образцы DLC-пленок на металлических подложках. Методом зарядовой релаксационной спектроскопии выявлен эффект влияния адсорбированных паров воды и спирта на электрофизические свойства пленок, что свидетельствует о возможности использования полученных пленок в качестве активного адсорбирующего материала для химических сенсоров.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p97-102.pdf

Доп.точки доступа:
Шустин, Е. Г.; Исаев, Н. В.; Клыков, И. Л.; Песков, В. В.; Поляков, В. И.; Руковишников, А. И.; Темирязева, М. П.


539.21:537
К 720


    Костановский, А. В.
    Образование алмазоподобной пленки методом магнетронного распыления графитовой мишени при воздействии потоком излучения от модели черного тела / А. В. Костановский, А. А. Пронкин, И. А. Костановский // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 7. - С. 35-41 : ил. - Библиогр.: с. 41 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
алмазоподобные пленки -- магнетронное распыление -- графитовые мишени -- излучение -- высокие температуры -- фотоэлектронная спектроскопия
Аннотация: Реализован метод магнетронного распыления графитовой мишени при воздействии на поверхность осаждаемой пленки потока излучения от высокотемпературной модели черного тела. Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронами исследован элементный состав, а также структура пленок. Проведенные исследования показали, что при плотности потока излучения в спектральном диапазоне 170-255 nm не менее 1. 5·10{-4} W/m{2} могут быть получены химически чистые алмазоподобные пленки.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/07/p35-41.pdf

Доп.точки доступа:
Пронкин, А. А.; Костановский, И. А.


661.2/.6
О-627


   
    Оптические свойства структур на пористом кремнии с пленками нанофазного алмаза / О. В. Семенова [и др.]. // Химическая технология. - 2014. - № 7. - С. 401-405. - Библиогр.: с. 405 (10 назв. ) . - ISSN 1684-5811
УДК
ББК 35.20
Рубрики: Химическая технология
   Технология неорганических веществ

Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- пленки нанофазного алмаза -- нанофазные алмазы -- оптические свойства структур -- алмазоподобные пленки -- антиотражающие покрытия -- защитные покрытия -- солнечные элементы
Аннотация: Получены структуры на пористом кремнии с пленками нанофазного алмаза. Исследовано влияние толщины пленки нанофазного алмаза на коэффициент отражения данных структур.


Доп.точки доступа:
Семенова, О. В. (кандидат технических наук); Меркушев, Ф. Ф.; Раилко, М. Ю.; Подорожняк, С. А.; Патрушева, Т. Н. (доктор технических наук); Корец, А. Я. (кандидат физико-математических наук); Холькин, А. И. (академик); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН (Москва)


544.6
Э 455


   
    Электрохемилюминесценция в алмазоподобных углеродных пленочных электродах, легированных азотом / Д. В. Снежко [и др.] // Электрохимия. - 2014. - Т. 50, № 3. - С. 292-298 . - ISSN 0424-8570
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
допированные азотом -- алмазоподобные пленки -- механизм реакции -- кореагент -- электрохемилюминесценция
Аннотация: В данной работе представлены результаты исследования алмазоподобных углеродных пленок (АПП), легированных азотом, для изготовления электродов электрохимических и электрохемилюминесцентных (ЭХЛ) ячеек. Поверхностная наноморфология модифицированных электродов была изучена с использованием метода атомно-силовой микроскопии.


Доп.точки доступа:
Снежко, Д. В.; Жолудов, Ю. Т.; Белаш, О. М.; Кукоба, А. В.; Рожицкий, Н. Н.