Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec.


Доп.точки доступа:
Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В.


539.2
О-232


   
    Образование поверхностных структур на монокристаллическом кремнии при воздействии мощного ионного пучка наносекундной длительности [Текст] / В. С. Ковивчак [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 24. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- монокристаллический кремний -- поверхностные структуры -- образование структур -- ионные пучки -- мощные пучки -- мощные ионные пучки -- протон-углеродные пучки -- исследования -- наносекундная длительность -- морфологические особенности -- механизмы формирования
Аннотация: Исследовано образование структур на поверхности монокристаллического кремния при воздействии мощного протон-углеродного пучка наносекундной длительности. Описаны морфологические особенности возникающих структур. Рассмотрены возможные механизмы их формирования.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/24/p88-94.pdf

Доп.точки доступа:
Ковивчак, В. С.; Панова, Т. В.; Кривозубов, О. В.; Давлеткильдеев, Н. А.


536.42
С 873


   
    Структурные превращения наноглобулярного углерода под воздействием импульсного электронного пучка с высокой плотностью энергии [Текст] / Ю. Г. Кряжев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 7. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.375
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
углерод -- глобулярный углерод -- технический углерод -- структурные превращения -- электронные пучки -- импульсные пучки -- импульсные электронные пучки -- субмиллисекундные импульсы -- электронное облучение -- плотность энергии -- графитоподобные структуры -- образование структур -- морфологические построения -- микроскопия высокого разрешения -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия
Аннотация: При воздействии на глобулярный углерод (технический углерод марки T-900) субмиллисекундных импульсов электронного облучения с плотностью энергии 40 J/cm{2} наблюдаются ярко выраженные структурные превращения углерода с образованием высокоупорядоченных графитоподобных структур и оригинальных морфологических построений. Это подтверждается методами просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/07/p1-6.pdf

Доп.точки доступа:
Кряжев, Ю. Г.; Коваль, Н. Н.; Лихолобов, В. А.; Тересов, А. Д.; Дроздов, В. А.; Тренихин, М. В.