539.2 Т 529 Толстогузов, А. Б. Послойный анализ методом вторично-ионной масс-спектрометрии с измерением тока в цепи образца [Текст] / А. Б. Толстогузов, У. Барди, С. П. Ченакин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 44-51 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): послойный анализ -- вторично-ионная масс-спектроскопия -- магнетронное напыление -- диоксид титана Аннотация: Детально обсуждаются особенности метода измерения интегрального тока в цепи образца в комбинации с вторично-ионной масс-спектрометрией (ВИМС) при послойном анализе различных тонко-пленочных структур. Приведены результаты профилирования многослойных покрытий CrN/AIN, нанесенных методом магнетронного напыления на поверхность никелевого сплава, пленок диоксида титана на нержавеющей стали и коррозионных слоев, сформированных на поверхности магниевого сплава при взаимодействии с ионной жидкостью. Эти результаты дают основание рассматривать предложенный метод измерения тока образца как полезное и информативное дополнение к традиционному послойному анализу методом ВИМС. Доп.точки доступа: Барди, У.; Ченакин, С. П. |
539.2 Р 598 Рогов, А. В. Применение сеточного полого катода для очистки подложек перед вакуумным напылением [Текст] / А. В. Рогов, авт. А. А. Лозован // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 99-103. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вакуумное напыление -- магнетронное напыление -- очистка подложек -- полый катод -- сеточный полый катод Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований использования газового разряда в режиме сеточного полого катода для очистки подложек перед магнетронным напылением и их финишной полировки. Исследована зависимость эффективности ионного распыления от давления и мощности разряда. Выявлен существенный вклад в этот процесс переосаждения распыленного материала. Обнаружен эффект сглаживания микронеровностей и улучшения оптического качества молибденовых полированных монокристаллических подложек (зеркал). Доп.точки доступа: Лозован, А. А.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность) |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. Термостойкий диод Шоттки TiB[х]-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 463-467 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фосфид галлия -- магнетронное напыление -- омические контакты -- термостойкие диоды -- диоды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiBx-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiB[x]-GaP. Показано, что контактная система TiB[x]-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600oC. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У. |
621.315.592 Г 944 Гуляев, А. М. О воздействии оптического излучения на чувствительность газовых сенсоров на основе пленок SnO[2-x] [Текст] / А. М. Гуляев, Ле Ван Ван, О. Б. Сарач, О. Б. Мухина // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 742-746 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическое излучение -- газовые сенсоры -- светодиоды -- магнетронное напыление Аннотация: Проведено исследование влияния излучения красного, желтого, зеленого, синего светодиодов на чувствительность газовых сенсоров на основе пленок диоксида олова, полученных реактивным магнетронным напылением с добавками Sb, In и каталитическими покрытиями Pt, Pd к парам этилового, изопропилового спиртов, ацетона, бензола. Впервые показано, что все виды излучения для всех перечисленных реагентов увеличивают чувствительность сенсоров при дозах реагентов 1-10 ppm от 2 до 100 раз в случае низкой чувствительности сенсоров без облучения. Обнаружено, что характер зависимости чувствительности сенсоров от интенсивности облучения определяется типом каталитического покрытия, линейно возрастая в случае Pd и резко увеличивается при максимальной интенсивности в случае Pt. Обсуждается природа данного явления с позиций адсорбции паров и процессов проводимости кристаллитов пленок диоксида олова. Доп.точки доступа: Ле Ван Ван; Сарач, О. Б.; Мухина, О. Б. |
669.1 Ш 538 Шефтель, Е. Н. Рентгеновские исследования влияния температуры отжига на фазово-структурное состояние пленок Fe[79]Zr[10]N[11], полученных магнетронным напылением [Текст] / Е. Н. Шефтель, С. И. Утицких [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 503-508. - Библиогр.: с. 508 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металлургия черных металлов Кл.слова (ненормированные): рентгеновские исследования -- температурные режимы -- отжиг -- магнетронное напыление -- фазово-структурное состояние -- тонкие пленки -- Fe[79]Zr[10]N[11] Аннотация: Пленки Fe[79]Zr[10]N[11], толщиной 0. 7 мкм на стеклянных подложках получены методом высокочастотного реактивного магнетронного напыления. Доп.точки доступа: Утицких, С. И.; Иванов, А. Н.; Инуе, М.; Фуджикава, Р. |
537.6 Ш 538 Шефтель, Е. Н. Влияние условий магнетронного напыления и последующего отжига на структуру и магнитные свойства пленок Fe[97-x]Zr[3]N[x] [Текст] / Е. Н. Шефтель, П. К. Кесарева [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 1. - С. 45--53. - Библиогр.: с. 53 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнетронное напыление -- отжиг -- магнитные свойства -- тонкие пленки -- Fe[97-x]Zr[3]N[x] -- напыление -- рентгеноструктурный анализ Аннотация: Методом рентгеноструктурного анализа исследована структура тонких пленок Fe[97-x]Zr[3]N[x] в зависимости от условий напыления, и последующего отжига. Доп.точки доступа: Кесарева, П. К.; Усманова, Г. Ш.; Утицких, С. И.; Перов, Н. С.; Инуе, Е. М.; Фуждикава, Р. |
Внедрение лития в кремниевые пленки, полученные магнетронным напылением [Текст] / Ю. Е. Рогинская [и др. ] // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 9. - С. 1069-1078 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Магнетохимия Кл.слова (ненормированные): пленки кремния -- магнетронное напыление -- внедрение лития -- деградация Аннотация: Методом магнетронно-плазменного распыления мишени из поликристаллического кремния получены пленки аморфного кремния толщиной от 32 до 214 нм на различных подложках (медь и титан, полированные и шероховатые). Доп.точки доступа: Рогинская, Ю. Е.; Кулова, Т. Л.; Скундин, А. М.; Брук, М. А.; Жихарев, Е. Н.; Кальнов, В. А. |
Новый тип наноструктурированных композитных Si/C электродов [Текст] / Ю. Е. Рогинская [и др. ] // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 11. - С. 1289-1296 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1296 (17 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): композиты кремний-углерод -- тонкопленочные электроды -- магнетронное напыление -- внедрение лития -- деградация Аннотация: Методом магнетронного распыления при послойном нанесении компонентов были получены пленки композитов кремний - углерод с относительным объемным содержанием кремния и углерода. Доп.точки доступа: Рогинская, Ю. Е.; Кулова, Т. Л.; Скундин, А. М.; Брук, М. А.; Жихарев, Е. Н.; Кальнов, В. А.; Логинов, В. Б. |
Антоненко, С. В. Одностадийный метод синтеза углеродных наносистем [Текст] / С. В. Антоненко, О. С. Малиновская // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 3. - С. 132-134. - Библиогр.: с. 134 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вакуум -- магнетронное напыление -- одностадийные методы синтеза -- углеродные наносистемы -- инертные газы -- постоянный ток Аннотация: Углеродные наносистемы получены одностадийным методом магнетронного напыления, которое проводилось на постоянном токе в вакуумной камере в атмосфере инертного газа на специально приготовленные подложки - слюду или AL, покрытые тонким Au-слоем. Доп.точки доступа: Малиновская, О. С. |
Установка магнетронного напыления геттерных покрытий в малоапертурных камерах [Текст] / В. В. Анашин [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 6. - С. 127-130. - Библиогр.: с. 130 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- вакуумные структуры -- геттерные покрытия -- малоапертурные камеры -- магнетронное напыление -- установка магнетронного напыления Аннотация: Описывается установка магнетронного напыления тонкопленочных покрытий, предназначенная для нанесения геттерных покрытий в протяженных вакуумных структурах сложной апертуры. Доп.точки доступа: Анашин, В. В.; Жуков, А. А.; Краснов, А. А.; Семенов, А. М. |
Князева, А. Г. Модель роста покрытия в условиях магнетронного напыления [Текст] / А. Г. Князева, С. А. Шанин // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 76-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): магнетронное напыление -- математическое моделирование -- модификация поверхности твердых тел -- растущее покрытие Аннотация: Сформулирована и исследована математическая модель роста покрытия при магнетронном напылении. Исследовано влияние основных технологических и кинетических параметров на динамику роста покрытия. Доп.точки доступа: Шанин, С. А. |
Осаждение YBa[2]Cu[3]O[7-delta] пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления [Текст] / Н. В. Востоков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 60-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): подложки (физика) -- пленки (физика) -- осаждение пленок -- магнетронное напыление -- метод магнетронного напыления -- тонкие пленки -- формирование пленок -- процессы напыления -- технологические параметры -- процессы роста Аннотация: Исследованы особенности формирования пленок YBa[2]Cu[3]O[7-delta] на обеих сторонах подложки при их поочередном нанесении методом магнетронного напыления в геометрии on- axis. При напылении пленки на первую сторону подложки, на ее второй стороне формируется тонкая пленка, которая может служить качественным подслоем при получении пленки заданной толщины на второй стороне подложки. Показано, что контроль свойств пленки, сформировавшейся на обратной стороне подложки в процессе напыления на лицевую сторону, может служить тестом на оптимизацию технологических параметров роста. Доп.точки доступа: Востоков, Н. В.; Дроздов, Ю. Н.; Мастеров, Д. В.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Исследование границы раздела слой-подложка в структурах Si-SiO[2]-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс [Текст] / Е. Ф. Венгер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1224-1228 : ил. - Библиогр.: с. 1228 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- структуры -- Si-SiO[2]-p-Si -- кремниевые квантовые точки -- температурные зависимости -- фотоэдс -- граничные электронные состояния -- ГЭС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- слой-подложка -- магнетронное напыление -- кремниевые подложки -- кремниевые нанокристаллы -- оксидная матрица -- высокотемпературный отжиг -- нанокристаллы -- окисление Аннотация: Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO[2] на кремниевую подложку p-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO[2]. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел. Доп.точки доступа: Венгер, Е. Ф.; Кириллова, С. И.; Корсунская, Н. Е.; Старая, Т. Р.; Хоменкова, Л. Ю.; Савченко, А. В.; Goldstein, Y.; Savir, E.; Jedrzejewski, J. |
536.42 Р 598 Рогов, А. В. Формирование наночастиц золота и их агрегатов в жидкости при магнетронном напылении [Текст] / А. В. Рогов, авт. С. С. Фанченко // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 129-135. - Библиогр.: c. 134-135 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): наночастицы золота -- золото -- магнетронное напыление -- конденсация в инертной жидкости -- ILC-метод -- агрегация -- агрегаты наночастиц -- агломераты наночастиц -- растворы наночастиц -- осаждение наночастиц -- время экспозиции -- режимы напыления Аннотация: Проведены экспериментальные исследования влияния режима осаждения на размер наночастиц Au и их агрегатов, полученных с помощью метода конденсации в нейтральной жидкости. В рамках предложенной модели показано, что формирование как наночастиц, так и их агрегатов происходит в тонком приповерхностном слое за счет его перенасыщения внедренными атомами и образующимися наночастицами при протоке жидкости через локализованную зону напыления. Этот процесс прекращается после выхода из этой зоны за счет перемешивания. Размер наночастиц и сформированных агрегатов определяется плотностью потока осаждаемых частиц и временем экспозиции в зоне напыления. Конечный размер наночастиц слабо зависит от времени экспозиции, тогда как для размера агрегатов данный параметр является определяющим. Это позволяет получать концентрированный раствор практически монодисперсных наночастиц с малой степенью агрегации за счет выбора режима напыления и многократного пропускания жидкости через зону напыления. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p129-135.pdf Доп.точки доступа: Фанченко, С. С. |
539.21:535 М 126 Магнетронное и импульсное лазерное напыление наночастиц и несплошных пленок Ag и Au и исследование их оптических свойств [Текст] / Н. В. Лянгузов [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 10. - С. 90-95. - Библиогр.: c. 95 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- лазерное напыление -- магнетронное напыление -- импульсное лазерное напыление -- золото -- серебро -- спектры поглощения -- плазмонные резонансы -- плазмонное поглощение Аннотация: Исследованы различные режимы получения наночастиц Ag и Au методами магнетронного и импульсного лазерного напыления и особенности спектров поглощения, связанные с плазмонными резонансами. Для получения наночастиц серебра малых размеров (5-10 nm) с большой плотностью поверхностного распределения определен оптимальный режим получения: повышенное давление аргона (2. 5*10{-2} Torr) и малое напряжение разряда (100 V). Массивы наночастиц Au, полученные методом импульского лазерного напыления, проявляют более высокую однородность при напылении на подложки при температуре 200{o}C в вакууме, нежели при комнатной температуре в атмосфере аргона. Показано, что положение максимума плазмонного поглощения сдвигается в область меньших длин волн при снижении значения эквивалентной толщины пленок металлов и зависит не только от данного значения, но и от типа подложки, которая определяет морфологические характеристики массивов наночастиц. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/10/p90-95.pdf Доп.точки доступа: Лянгузов, Н. В.; Кайдашев, В. Е.; Широков, В. Б.; Кайдашев, Е. М. |
621.315.592 И 889 Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnO[x] [Текст] / В. В. Болотов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 109-112 : ил. - Библиогр.: с. 112 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- газочувствительные свойства -- химические реагенты -- нанокомпозиты -- пористый кремний -- диоксид олова -- метод магнетронного напыления -- магнетронное напыление -- окисление -- гетеропереходы -- электрические характеристики -- нанокристаллы -- сенсорные структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ Аннотация: Исследованы электрофизические характеристики и чувствительность к химическим реагентам слоев гетерофизических нанокомпозитов на основе пористого кремния и нестехиометрического диоксида олова por-Si/SnO[x], полученных методом магнетронного напыления олова с последующим окислением. Показано, что в слоях нанокомпозитов формируется система распределенных гетеропереходов (нанокристаллы Si/SnO[x]), определяющих электрические характеристики таких структур. Определена чувствительность тестовых сенсорных структур, созданных на основе нанокомпозитов por-Si/SnO[x] к NO[2]. Предложен механизм влияния адсорбции молекул NO[2] на вольт-амперные характеристики гетеропереходов por-Si (p) /SnO[x] (n). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p109-112.pdf Доп.точки доступа: Болотов, В. В.; Росликов, В. Е.; Курдюкова, Е. А.; Кривозубов, О. В.; Стенькин, О. В.; Чередов, Д. В. |
539.2 М 842 Мостовой, А. И. Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах n-ТiО[2]/p-Si / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 788-792 : ил. - Библиогр.: с. 792 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотипные гетеропереходы -- магнетронное напыление -- метод магнетронного напыления -- напыление пленок -- пленки -- подложки -- поликристаллический кремний -- электрические свойства -- поверхностные состояния -- механизмы -- туннельно-рекомбинационные механизмы -- границы раздела -- туннелирование -- обратные токи -- токи -- гетеропереходы Аннотация: Изготовлены анизотипные гетеропереходы n-ТiО[2]/p-Si методом магнетронного напыления пленки ТiО[2] на полированную подложку поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства, и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO[2]/Si при малых прямых смещениях V, туннелирование при V больше 0. 6 В. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Anisotype heterojunctions n-TiO[2]/p-Si were fabricated by TiO[2] thin films deposition onto poly-Si substrates using the magnetron sputtering technique. Electrical properties of the heterojunctions were investigated and the dominating transport mechanisms were established: multistep tunnel-recombination via surface states at the metallurgical interface TiO[2]/Si under low forward bias V; tunneling at forward bias V > 0. 6V. The reverse current through the heterojunctions under investigation was analyzed within the tunnel mechanism. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p788-792.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д. |
539.2 В 586 Влияние ионной обработки на свойства пленок In[2]O[3]:Sn / П. Н. Крылов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 859-863 : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): свойства пленок -- пленки ITO -- оксид индия -- магнетронное напыление -- метод реактивного ВЧ магнетронного напыления -- температура подложки -- индий -- олово -- электропроводность -- рентгеноаморфные пленки -- оптическое поглощение -- длина волны -- ионная обработка Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50 °C без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры. The paper shows the change in the properties of ITO films depending on the ion current and the temperature of the substrate. The films were prepared by reactive RF magnetron sputtering with simultaneous ion-beam treatment. Ion treatment of the growing film during the deposition process slightly changes the relative amount of tin and indium, but significantly increases the electrical conductivity. The films obtained at temperatures below 50°С without ion treatment are the X-ray amorphous. Ion treatment and increase the condensing temperature leads to crystallization of the films and the optical absorption edge shifts towards shorter wavelengths. Increasing the ionic current treatment causes the appearance of texture. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p859-863.pdf Доп.точки доступа: Крылов, П. Н.; Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Гильмутдинов, Ф. З. |
539.2 И 889 Исследование механизмов взаимодействия NO[2] и поверхности слоев нанокомпозита por-Si/SnO[x] / В. В. Болотов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1371-1375 : ил. - Библиогр.: с. 1374-1375 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектроскопия инфракрасного поглощения -- методы спектроскопии инфракрасного поглощения -- инфракрасное поглощение -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- поверхность нанокомпозитов -- нанокомпозиты -- методы магнетронного напыления -- магнетронное напыление -- свободные носители заряда -- слои нанокомпозитов -- кристаллиты -- свободные дырки -- адсорбция -- CVD -- методы CVD -- пористый кремний Аннотация: Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследованы механизмы взаимодействия молекул NO[2] с поверхностью нанокомпозитов por-Si/SnO[x], полученных методами магнетронного напыления и CVD (chemical vapor deposition). Наблюдаемое увеличение концентрации свободных носителей заряда в слоях нанокомпозитов por-Si/SnO[x] объясняется изменением зарядового состояния P[b]-центров за счет образования нейтрального комплекса "поверхностный дефект - адсорбированная молекула NO[2]" с генерацией свободного носителя заряда в объеме кристаллита. В слоях нанокомпозита, полученного методом CVD, рост концентрации свободных дырок при адсорбции NO[2] значительно менее выражен в сравнении с композитом, полученным методом магнетронного напыления, что обусловлено конкурирующим каналом взаимодействия молекул NO[2] с электронейтральными P[b]-центрами. The mechanism of the interaction of NO[2] molecules with the surface of por-Si/SnO[x] nanocomposites obtained by magnetron sputtering and CVD methods has been studied. The observed growth of free carrier concentration in the por-Si/SnO[x] nanocomposit layers has been explained by changing of charge state of P[b]-centers caused by formation of neutral complexes "surface defect - absorbed NO[2] molecule" with free carrier generation in the volume of silicon crystallite. The layers of the por-Si/SnO[x] nanocomposite obtained by CVD show far less growth of free carrier concentration at NO[2] absorption as compared with the layers obtained by magnetron sputtering. This effect has been explained by presence of the competitive interaction process of NO[2] molecules with the electro neutral P[b]-centers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1371-1375.pdf Доп.точки доступа: Болотов, В. В.; Кан, В. Е.; Макушенко, Р. К.; Бирюков, М. Ю.; Ивлев, К. Е.; Росликов, В. Е.; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Омский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук |
533.9 К 850 Крылов, П. Н. Оптические свойства пленок ITO, полученных высокочастотным магнетронным напылением с сопутствующей ионной обработкой / П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1421-1424 : ил. - Библиогр.: с. 1424 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- свойства пленок -- тонкие пленки -- оксид индия -- ITO -- метод реактивного высокочастотного напыления -- реактивное высокочастотное напыление -- ионная обработка -- обработка ионами -- показатель преломления -- оптическое пропускание -- удельное сопротивление -- запрещенные зоны -- магнетронное напыление Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO (indium tin oxide), полученных методом реактивного высокочастотного напыления с одновременной ионной обработкой. Пленки ITO имеют в оптическом диапазоне 450-1100 нм пропускание 80%, ширину запрещенной зоны 3. 50-3. 60 эВ, показатель преломления 1. 97-2. 06. Все характеристики пленок зависят от тока ионной обработки. Ионная обработка в процессе напыления уменьшает удельное сопротивление пленок ITO, минимальное значение сопротивления составляет 2 x 10{-3} Ом x см. Обнаружена деградация пленок с высоким удельным сопротивлением при хранении на воздухе. The paper shows the change in the properties of ITO films prepared by reactive RF magnetron sputtering with simultaneous ion treatment. ITO films have in the optical range 450-1100 nm transmittance > 80%, the band gap of 3. 50-3. 60 eV, the refractive index of 1. 97-2. 06. All properties of the films depend on the current ion treatment. Ion treatment during deposition reduces the resistivity of ITO films, the minimum resistivity value is 2 x 10{-3}Om x cm. It was detected degradation of films with high resistivity when stored in air. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1421-1424.pdf Доп.точки доступа: Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Удмуртский государственный университет; Удмуртский государственный университетУдмуртский государственный университет |