669.017 Я 602 Яндимиркин, Е. М. Особенности превращений в лазерно-легированных слоях чугуна, полученных методом инжекции порошка карбида бора [Текст] / Е. М. Яндимиркин, С. Д. Прокошкин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 5 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): чугуны -- легирование металлов -- металлы -- тяжелые металлы -- лазеры -- инжекции -- методы инжекции -- карбиды бора -- бор -- порошки карбидов бора -- гелий -- непрерывные лазеры -- легированные слои -- кристаллизация -- структурно-фазовые превращения -- фазовые превращения Аннотация: Методом инжекции порошка карбида бора в атмосфере гелия при использовании непрерывного лазера были получены легированные слои на чугуне ВЧ-70. Исследованы структурно-фазовые превращения, происходящие при кристаллизации и охлаждении легированных слоев. Доп.точки доступа: Прокошкин, С. Д. |
538.935 В 549 Вихрова, О. В. Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих дельта (Mn) -легированные слои [Текст] / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 9-12 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантово-размерные структуры -- квантовые ямы -- квантовые точки -- легированные слои -- полупроводники -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы свойства структур, содержащих квантовую яму InGaAs или квантовые точки InAs, а также дельта-легированные углеродом и марганцем слои. Основная часть слоев получена методом МОС-гидридной эпитаксии, а дельта (Mn) -легированные слои - низкотемпературным лазерным распылением непосредственно в эпитаксиальном реакторе. Исследуемые структуры имели три канала проводимости: дельта (С) -легированный слой, дельта (Mn) -легированный слой и квантовые ямы или смачивающий слой. Вклад каждого из каналов в общую проводимость зависел от температуры измерений. Изучена фотолюминесценция структур при варьировании толщины дельта (Mn) -легированного слоя. Доп.точки доступа: Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Iikawa, F.; Brasil, M. J. S. P. |
539.2 К 593 Козырь, Аркадий Валентинович (канд. техн. наук; ст. преподаватель каф. ФМиЛТ). Исследование состава, структуры и свойств упрочненных слоев, сформированных хромоникелевыми сплавами методом ЭИЛ, после коррозионных испытаний в 0, 1 Н. растворе H2SO4 [Текст] / А. В. Козырь, Т. В. Глабец, А. Д. Верхотуров // Вестник Амурского государственного университета. - 2007. - Вып. 39. Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 13-18. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Физика Физика твердого тела Машиностроение Металловедение Кл.слова (ненормированные): электроискровое легирование -- ЭИЛ -- легированные слои -- исследования -- сплавы -- хромоникелевые сплавы -- коррозия -- коррозийная стойкость -- сталь Аннотация: В данной статье приводятся результаты исследования по определению влияния физико-химических свойств хромоникелевых материалов и сформированных ими электроискровых слоев на коррозионные свойства полученных покрытий. Доп.точки доступа: Глабец, Татьяна Васильевна (канд. техн. наук; доц. каф. общетехнических дисциплин); Верхотуров, Анатолий Демьянович (д-р техн. наук; директор) |
Структурно-фазовое состояние системы Ti-Si, обработанной компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 32-36 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): плазменные потоки -- компрессионные плазменные потоки -- приповерхностные слои -- фазовые превращения -- легированные слои -- дендриты -- титановые покрытия -- кремниевые подложки -- силициды титана Аннотация: Исследованы особенности структурных изменений и закономерности фазовых превращений в приповерхностных слоях системы "титановое покрытие-кремниевая подложка" после обработки компрессионными плазменными потоками. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Квасов, Н. Т.; Петухов, Ю. А.; Асташинский, В. М.; Кузьмицкий, А. М. |
Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 14. - С. 8-17 : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): ферромагнетизм -- полупроводниковые структуры -- GaAs -- легированные слои -- дельта-легированные слои -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- метод лазерного распыления -- мишени (физика) -- твердотельные мишени -- марганец -- Mn -- металлоорганические соединения -- одиночные дельта-легированные слои -- ростовые циклы -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитополевые зависимости -- нелинейные магнитополевые зависимости -- петля гистерезиса -- холловское сопротивление -- температурные зависимости -- магнитосопротивление -- отрицательное магнитосопротивление -- точка Кюри -- Кюри точка -- коэрцитивная сила Аннотация: Показано наличие ферромагнетизма в полупроводниковых GaAs структурах, полученных сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления твердотельных мишеней в едином ростовом цикле и содержащих одиночный дельта-легированный слой марганца. Структуры демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла с петлей гистерезиса (коэрцитивная сила около 80 Oe) и отрицательное магнитосопротивление (до 4% в поле 3000 Oe) при температурах ниже точки Кюри (~ 30 K). Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В. |
Фотонная активация синтеза пленок NiO [Текст] / С. Б. Кущев [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 1. - С. 48-53
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- оксидные пленки -- фотонная обработка -- однофазные эпитаксиальные пленки -- легированные слои -- стехиометрический состав -- некогерентное излучение Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы фазовый состав, структура и ориентация слоев, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным светом пленок Ni на воздухе. Выявлен эффект фотонной обработки, проявляющийся в снижении пороговой температуры начала твердофазной реакции с образованием пленок NiO. Показана зависимость роста пленок NiO от дозы облучения и структуры исходных пленок Ni. Установлены режимы формирования однофазных эпитаксиальных пленок NiO. Доп.точки доступа: Кущев, С. Б.; Канныкин, С. В.; Бугаков, А. В.; Санин, В. Н. |
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1073-1077 : ил. - Библиогр.: с. 1077 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): волноводы -- диэлектрические волноводы -- инфракрасное излучение -- скин-эффект -- гетеролазеры -- слои -- слои GaAs -- легированные слои -- легирование -- твердые растворы Аннотация: Проанализирована возможность использования нормального скин-эффекта для создания диэлектрического волновода для длинноволнового излучения. Предложен диэлектрический волновод, совмещенный с гетеролазером, сформированный из нелегированного слоя GaAs, окруженного сильно легированными слоями твердых растворов n- и p-Al[x]Ga[1-x]As, от которых, благодаря нормальному скин-эффекту, излучение отражается. Показано, что для создания эффективного волновода надо использовать слои твердого раствора n-Al[x]Ga[1-x]As с x<0. 45, концентрацией электронов N>5x10{18} см{-3} и слои твердого раствора p-Al[x]Ga[1-x]As любого состава с концентрацией дырок P>=3x10{19} см{-3}. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
546 А 794 Арбенин, Д. Е. Выбор условий выращивания нелегированных и легированных слоев GaAs с использованием эмпирической модели процесса мос-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. Е. Арбенин, Е. В. Бурляева, А. А. Мармалюк // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 1. - С. 5-10 : Рис. 5. - Библиогр.: с. 9-10 (8 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- эпитаксия -- гидридная эпитаксия -- процесс эпитаксии -- гетероструктура -- легированные слои -- нелегированные слои Аннотация: Рассмотрены полуэмпирические зависимости, выведенные для оценки влияния проведения процесса МОС-гидридной эпитаксии на характеристики выращиваемых эпитаксальных слоев на основе GaAs. Доп.точки доступа: Бурляева, Е. В.; Мармалюк, А. А. |
53.07 Л 385 Легирование бором гетероструктур Si[1-x]Ge[x]/Si в процессе сублимации кремния в среде германа [Текст] / В. Г. Шенгуров [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 24-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- бор -- легирование слоев -- кремний -- сублимация кремния -- процессы сублимации -- германий -- низкотемпературное выращивание -- процессы выращивания -- монокристаллический кремний -- ток -- легированные слои Аннотация: Сообщается о контролируемом легировании эпитаксиальных слоев Si[1-x]Ge[x] бором в процессе низкотемпературного (~ 500° C) выращивания гетероструктур SiGe/Si (100) испарением легированного бором кремниевого источника в среде германа. Источником является легированная бором пластина монокристаллического кремния, нагреваемая до ~ 1300° C пропусканием тока. С использованием данного источника были выращены гетероструктуры с селективно легированными слоями и резким профилем легирования. Максимальная концентрация атомов бора в слоях составляла ~ 1· 10{19} cm{-3}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p24-30.pdf Доп.точки доступа: Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.; Шенгуров, Д. В.; Жукавин, Р. Х.; Дроздов, М. Н. |
537.311.33 О-827 Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния [Текст] / А. А. Лебедев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 90-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремний -- карбид кремния -- эпитаксиальные слои -- радиационно-компенсированные эпитаксиальные слои -- проводимость -- восстановление проводимости -- процессы восстановления -- отжиг -- радиационная компенсация -- температуры -- политипы карбида кремния -- легированные слои -- легирование -- облучение Аннотация: Было проведено исследование процессов восстановления проводимости радиационно-компенсированных эпитаксиальных слоев различных политипов карбида кремния p-типа проводимости. Показано, что созданная облучением компенсация SiC сохраняется при отжигах меньше или равно 1000°C. Практически полное восстановление проводимости происходит при T больше или равно 1200°C. Данный характер отжига радиационной компенсации не зависит от политипа карбида кремния и исходного уровня легирования эпитаксиального слоя. Определенные температуры полного отжига значительно превосходят рабочие температуры приборов SiC. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p90-94.pdf Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Богданова, Е. В.; Григорьева, М. В.; Лебедев, С. П.; Козловский, В. В. |
539.2 К 289 Кастро, Р. А. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As[2]Se[3]) [1-x]Bi[x] [Текст] / Р. А. Кастро, авт. Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 622-624 : ил. - Библиогр.: с. 624 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая поляризация -- аморфные пленки -- сравнительный анализ -- диэлектрические процессы -- легирование висмутом -- триселенид мышьяка -- висмут -- Bi -- беспримесные слои -- легированные слои Аннотация: Проведен сравнительный анализ процесса диэлектрической поляризации, происходящего в беспримесных и легированных висмутом слоях модифицированного триселенида мышьяка. Установлено, что как сходство, так и различие поляризационных явлений обусловлено особенностями внутренней структуры исследуемых материалов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p622-624.pdf Доп.точки доступа: Грабко, Г. И. |
539.2 М 695 Михеев, В. М. Температурные особенности электросопротивления 2D - электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях [Текст] / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 11. - С. 2102-2110. - Библиогр.: с. 2110 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температуры -- электросопротивление -- 2D-электроны -- примесные ионы -- легированные слои Аннотация: В модели жестких сфер на плоскости рассмотрены пространственные корреляции примесных ионов в тонких легированных слоях при конечных температурах. Показано, что в системах с раздельным легированием корреляции в расположении примесных ионов ослаблены тепловым движением электронов при достаточно низких температурах (ниже гелиевых). Изучены температурные зависимости электрического сопротивления вырожденных 2D - электронов в гетероструктурах с раздельным легированием на примере Al[x]Ga[1-x]As/GaAs. |
539.21:535 О-627 Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон / Н. К. Морозова [и др.] ; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва) // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1014-1021 : ил. - Библиогр.: с. 1021 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- микрокатодолюминесценция -- МКЛ -- фотоотражение -- катодолюминесценция -- КЛ -- ионно-легирование -- кислород -- легированные слои -- спектры микрокатодолюминесценции -- сульфид кадмия -- стехиометрия подложек -- подложки -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- радиационный отжиг -- теория антипересекающихся зон -- антипересекающиеся зоны -- наночастицы -- твердые растворы Аннотация: Исследованы спектры микрокатодолюминесценции и фотоотражения слоев CdS (O), ионно-легированных кислородом до 4 x 10{20} см{-3}. Методика съемки спектров микрокатодолюминесценции давала информацию из объема легированного слоя. Получены экситонные спектры микрокатодолюминесценции, которые определяют концентрацию растворенного кислорода в слоях CdS (O) и влияние отклонения от стехиометрии подложек. В режиме катодолюминесценции растрового электронного микроскопа КЛ РЭМ исследована однородность ионно-легированных слоев. Установлено возникновение светящихся участков, которые обязаны полосе ~630 нм. Выяснена причина усиления этой микрокатодолюминесценции при радиационном отжиге и подтверждена ее природа как свечение центров F{+} в CdS. Получены новые результаты по спектрам фотоотражения, которые описывают особенности поведения кислорода как изоэлектронной примеси типа HMAs на поверхности слоев. Показано, что сера полностью связывает и удаляет кислород из CdS (O). Чистый по кислороду CdS остается на поверхности в виде наночастиц, размер которых зависит от концентрации кислорода в слое. Результаты не противоречат теории антипересекающихся зон. In this work were explored microcathodoluminescence (MCL) and photoreflection spectra of CdS (O) layers ion-implanted with oxygen in quantity 4 x 10{20} cm{-3}. The investigation method of MCL spectra gave the information from volume of doped layer. Excitons spectra, which show up concentration of oxygen in CdS (O) layers and influence of deviation from stoichiometry in substrates, were obtained. Homogeneity of implanted layers was investigated in CL SEM. The interdependence between light areas and band MCL ~ 630 nm was revealed. The role of radiation annealing in appearance of this band was cleared and its nature as luminescence F{+} centre CdS was confirmed. New results were obtained by photoreflection spectra, which describe specific features of oxygen, as isoelectronic HMAs impurity, on the surface of layers. It was shown that sulfur completely couple and remove oxygen out of CdS (O). Oxygen-free CdS remain on surface in form of nanoparticles, which size depends on oxygen concentration in volume of CdS (O). Results correspond to band anticrossing theory. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1014-1021.pdf Доп.точки доступа: Морозова, Н. К.; Канахин, А. А.; Мирошникова, И. Н.; Галстян, В. Г.; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва) |
539.2 У 525 Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании / И. В. Осинных [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1164-1168 : ил. - Библиогр.: с. 1168 (45 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентная спектроскопия -- метод фотолюминесцентной спектроскопии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- легирование кремнием -- кремний -- Si -- слои -- GaN -- нитрид галлия -- аммиак -- низкотемпературная фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- рекомбинация -- межзонная рекомбинация -- экситоны -- свободные экситоны -- легированные слои -- правило Хайнса -- Хайнса правило -- энергия ионизации Аннотация: Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы свойства легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака. Показано, что низкотемпературная фотолюминесценция обусловлена рекомбинацией связанных на донорах экситонов при концентрациях атомов кремния до 10{19} см{-3}. При концентрации атомов кремния 1. 6 x 10{19} см{-3} в спектре фотолюминесценции доминирует полоса свободных экситонов, в более сильно легированных слоях - полоса межзонной рекомбинации. Наблюдалось уменьшение энергии связи экситонно-донорного комплекса с ростом уровня легирования. С использованием правила Хайнса для GaN, согласно которому энергия связи комплекса составляет 0. 2 от энергии ионизации донора E[D], показано, что E[D] уменьшается с ростом концентрации кремния N[D]. Этот эффект описывается зависимостью E[D]=E{opt}[D]-alpha N{1/3}[D], где E[D]{opt} - энергия ионизации одиночного атома кремния в GaN. Было получено значение коэффициента alpha=8. 4 x 10{-6} мэВ/см{-1}, показывающего уменьшение глубины залегания края примесной зоны с ростом концентрации кремния. GaN: Si layers grown by ammonia molecular beam epitaxy were investigated by photoluminescence technique. It was shown that low-temperature photoluminescence is conditioned by recombination of neutral donor-bound excitons at silicon concentration below 10{19} cm{-3}. Free exciton band dominates at silicon concentration ~ 1. 6 x 10{19} cm{-3}, in more heavy doped layers photoluminescence is attributed to band-to-band recombination. Decrease of exciton-neutral donor complex energy with rise of silicon concentration N[D] was observed. Following Haynes rule for GaN the activation energy for donor-bound exciton is 0. 2 of the ionization energy of the donor E[D], so E[D] decreases with rise of silicon concentration. This effect is described by law E[D] = E{opt}D - N{1/3}[D] where E{opt}[D] is the ionization energy of an silicon isolated atom in GaN. The coefficient value alpha = 8. 4 x 10{-6} meV/cm{-1} has been obtained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1164-1168.pdf Доп.точки доступа: Осинных, И. В.; Журавлев, К. С.; Малин, Т. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет |