621.382.2; 621.373.122 В 791 Воторопин, С. Д. Анализ автодинного эффекта радиоимпульсного генератора [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков, С. М. Смольский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 236-241. - Библиогр.: с. 70 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): автодинный эффект -- радиоимпульсный генератор -- импульсная модуляция -- автосмещение Аннотация: Представлены теоретические и экспериментальные результаты исследований автодинного генератора с импульсной модуляцией, находящегося под воздействием собственного отраженного излучения. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика в зависимости от величины времени запаздывания отраженного излучения. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить их эксплуатационные характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Экспериментальные результаты получены для генераторного модуля "Тигель-08", выполненного по гибридно-интегральной технологии на диоде Ганна миллиметрового диапазона длин волн. Доп.точки доступа: Носков, В. Я.; Смольский, С. М. |
621.382 Г 577 Говорков, А. В. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия [Текст] / А. В. Говорков, А. Я. Поляков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 18-24 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- рекомбинация носителей тока -- нитрид галлия -- плотность дислокаций Аннотация: Исследовалась связь между плотностью ямок травления, выявляемых в GaN селективным травлением в эвтектике KOH/NaOH, и плотностью дислокаций, выявленных методом ПЭМ, а также связь между плотностью дислокаций и плотностью областей в виде темных точек, которые наблюдаются в GaN в картинах распределения интенсивности сигналов микрокатодолюминесценции и наведенного тока. Показано, что селективное травление может служить надежным экспресс-методом определения типа и плотности дислокаций в GaN в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}, а методы МКЛ и НТ могут быть использованы для экспрессного неразрушающего контроля плотности дислокаций в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}. Установлена также связь с дислокациями ряда глубоких электронных и дырочных ловушек. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Югова, Т. Г.; Смирнов, Н. Б.; Петрова, Е. А.; Меженный, М. В.; Марков, А. В.; Ли, И.- Х.; Пиртон, С. Дж. |
621.382 Б 441 Бельник, С. А. Дефекты со светлым контрастом в режиме наведенного тока в светоизлучающих структурах на основе GaN [Текст] / С. А. Бельник, П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 34-37 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие структуры -- GaN -- наведенный ток -- квантовые ямы Аннотация: Методом наведенного тока исследованы светоизлучающие структуры с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN. Показано, что исследование зависимости наведенного тока от энергии пучка позволяет оценить долю неравновесных носителей заряда, рекомбинирующих в квантовых ямах. Обнаружены два типа дефектов со светлым контрастом. Показано, что светлый контраст связан с формированием каналов повышенной проводимости поперек структуры с квантовыми ямами. Исследована зависимость контраста от тока пучка. Доп.точки доступа: Вергелес, П. С.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б. |
621.382 Ф 369 Феклисова, О. В. Исследование электрических и оптических свойств кремния, содержащего кислородные преципитаты [Текст] / О. В. Феклисова, А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 38-41 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремний -- кислородные преципитаты -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Методами наведенного электронным пучком тока (НТ), нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ) и фотолюминесценции (ФЛ) исследовались свойства кремния n-типа, содержащего кислородные преципитаты, введенные посредством трехстадийного отжига. Методом НТ выявлено наличие протяженных дефектов с концентрацией меньше равно 10\{9\} см\{-3\}. Из величины контраста оценена концентрация электрически активных дефектов, образующихся в кремнии в процессе преципитации кислорода, которая затем сравнивалась с концентрацией, полученной из данных НСГУ. Сравнение спектров в образцах с кислородными преципитатами и пластически деформированных кристаллах позволило предположить, что спектры ГУ и ФЛ кремния с кислородными преципитатами определяются, главным образом, наличием дислокаций. Доп.точки доступа: Терещенко, А. Н.; Штейнман, Э. А.; Якимов, Е. Б. |
621.382 Ч-965 Чучева, Г. В. Определение электрофизических характеристик структур металл-окисел-полупроводник по данным вольт-емкостного анализа области обеднения поверхности полупроводника [Текст] / Г. В. Чучева, Р. Д. Тихонов, А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 4. - С. 108-112. - Библиогр.: с. 112 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): металл-окисел-полупроводник -- вольт-емкостный анализ -- вольт-емкостная спектроскопия -- полупроводники -- электрофизические характеристики -- сверхтонкие окислы -- тонкие окислы Аннотация: Итоги настоящей работы приводят к необходимости переоценки многих результатов вольт-емкостной спектроскопии пограничных состояний в м. о. п.-структурах, в особенности на основе тонких и сверхтонких окислов. Доп.точки доступа: Тихонов, Р. Д.; Ждан, А. Г.; Нарышкина, В. Г. |
621.382 Г 200 Гарбер, Г. З. Моделирование скачков выходной мощности квазиактивного сверхвысокочастотного ограничителя на p-i-n диодах [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1518-1523. - Библиогр.: с. 1523 (6 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование скачков мощности -- выходная мощность -- p-i-n диоды -- сверхвысокочастотные ограничители -- свч-ограничители Аннотация: Разработана программа моделирования во временной области GaAs интегральной схемы ограничителя мощности на двух p-i-n-диодах путем численного решения задачи с начальными условиями для нелинейной системы уравнений, описывающей электрическую схему ограничителя. Показано, что для ограничителя с 1. 8-микронным i-слоем на частоте 9. 4 ГГц зависимость амплитуды основной гармоники тока через диод от амплитуды основной гармоники напряжения на нем является S-образной и именно эта S-образность для детектирующего диода является причиной скачков выходной мощности. Приведены результаты моделирования ограничителя с 1. 2-микронным i-слоем на частотах 3, (. 4 и 25 ГГц наблюдается амплитудная модуляция выходного сигнала. |
621.382 К 630 Комаров, С. М. Бумажный транзистор [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 9. - С. 18 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- бумажные транзисторы -- кремний -- микросхемы -- электрический ток -- полевые транзисторы -- изоляторы -- бумажные дисплеи Аннотация: Ученые сделали транзистор на бумажной основе вместо кремниевой. |
Генерация широкополосного хаотического сигнала в автоколебательной системе с нелинейной линией передачи на магнитостатических волнах [Текст] / С. В. Гришин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 89-98. - Библиогр.: c. 97-98 (30 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): хаотические сигналы -- автоколебательные системы -- нелинейные линии передачи -- магнитостатические волны -- ферромагнитные пленки -- спиновые волны -- кольцевые автоколебательные системы -- полевые транзисторы Аннотация: Проведено экспериментальное исследование широкополосной хаотической генерации в диапазоне сверхвысоких частот в кольцевой автоколебательной системе, включающей твердотельный усилитель мощности и широкополосную нелинейную линию передачи на основе ферромагнитной пленки при возбуждении в ней различных типов магнитостатических волн. Установлено, что "зашумление" собственных мод кольцевой автоколебательной системы, возбуждаемых в полосе пропускания линии передачи на магнитостатических волнах, происходит за счет параметрического возбуждения спиновых волн магнитостатической волной и нелинейности усилителя мощности. Показано, что возникновение непрерывного спектра у генерируемого широкополосного хаотического сигнала обусловлено наличием падающего участка на динамической характеристике нелинейной линии передачи при возбуждении поверхностной магнитостатической волны. Доп.точки доступа: Гришин, С. В.; Гришин, В. С.; Храмов, А. Е.; Шараевский, Ю. П. |
Исследование статических характеристик и особенностей процесса переключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 12. - С. 78-84. - Библиогр.: c. 84 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): интегральные тиристоры -- тиристоры -- тиристоры с внешнем полевым управлением -- переходные процессы -- переключение Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования статических параметров и переходных процессов переключения нового высоковольтного быстродействующего прибора ключевого типа - интегрального тиристора с внешним полевым управлением - и их зависимости от геометрических и электрофизических характеристик базовых слоев n+pnn'p+-структуры прибора. Показано, что остаточное сопротивление высоковольтного (~2. 5 kV) микротиристорного чипа во включенном состоянии существенно меньше, чем у аналогичных IGBT, а быстродействие достаточно высокое. Одним из достоинств разработанного прибора является его многофункциональность - способность работать в различных режимах эксплуатации. В частности, он может быть выключен не только шунтированием n+p-эмиттера внешним МОП-транзистором, но и путем запирания импульсом тока управления, а также в режиме каскадного выключения. В этих режимах существенно возрастает предельное значение выключаемого тока. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Зитта, Н. Ф.; Матвеев, В. И. |
Носов, Юрий. Страсти по транзистору [Текст] : оратория в трех частях с прологом и эпилогом / Ю. Носов // Знание-сила. - 2008. - N 11. - С. 100-105. - Окончание следует . - ISSN 0130-1640
Рубрики: Радиоэлектроника История радиоэлектроники Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- изобретение транзисторов Аннотация: Об изобретении транзистора. Доп.точки доступа: Шокли, Уильям (физик) \у.\ |
Носов, Юрий. Страсти по транзистору [Текст] : оратория в трех частях с прологом и эпилогом / Ю. Носов // Знание-сила. - 2008. - N 12. - С. 95-102. - Окончание. Нач.: N 11 . - ISSN 0130-1640
Рубрики: Полупроводниковые приборы История радиоэлектроники Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- изобретение транзисторов Аннотация: История изобретения транзистора. Доп.точки доступа: Шокли, Уильям (физик) \у.\ |
Воторопин, С. Д. Анализ автодинного эффекта радиоимпульсного генератора с частотной модуляцией [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков, С. М. Смольский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 80-88. - Библиогр.: c. 88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): автодинные генераторы -- автодины -- Ганна диоды -- диоды Ганна -- радиоимпульсные генераторы -- частотные модуляции Аннотация: Представлены результаты исследований автодинного генератора с одновременной импульсной и частотной модуляцией, находящегося под воздействием собственного отражённого излучения. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика в зависимости от величины времени запаздывания отражённого излучения при произвольном законе модуляции частоты. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Результаты анализа подтверждены созданными экспериментальными образцами автодинных датчиков на основе генераторов на диодах Ганна миллиметрового диапазона, использующих описанные принципы действия. Доп.точки доступа: Носков, В. Я.; Смольский, С. М. |
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы Fe[x]Si[1-x] [Текст] / А. С. Паршин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 9. - С. 41-48
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые свойства -- тонкие пленки -- электроны Аннотация: Из экспериментальных спектров характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы Fe[x]Si[1-x] (0 меньше равно x меньше равно 1) вычислены произведения средней длины неупругого пробега на дифференциальное поперечное сечение неупругого рассеяния электронов. Предложен новый подход для количественного анализа содержания компонентов композитной среды. Доп.точки доступа: Паршин, А. С.; Александрова, Г. А.; Долбак, А. Е.; Пчеляков, О. П.; Ольшанецкий, Б. З.; Овчинников, С. Г.; Кущенков, С. А. |
Мастеров, Д. В. Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O [Текст] / Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 9. - С. 49-54
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- пленки -- статические характеристики -- высокочастотные характеристики Аннотация: Исследуются корреляции между статическими параметрами и добротностью резонансных контуров мегагерцового диапазона. Контуры представляют собой планарные катушки индуктивности с собственной емкостью, изготовляемые на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O. Показано, что статические характеристики исследуемого контура обратимо изменяются при циклических отжигах, в то время как добротность контура этим свойством не обладает. Доп.точки доступа: Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках AlN/SiC [Текст] / А. Н. Алексеев [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 16. - С. 65-71
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): многослойные гетероструктуры -- мощные полевые транзисторы -- аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста нитридных транзисторных гетероструктур на подложки AlN/SiC. Использование многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN позволило практически воспроизвести основные приборные свойства гетероструктур, несмотря на более шероховатую по сравнению с сапфиром поверхность исходных подложек AlN/SiC. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках AlN/SiC, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений. Доп.точки доступа: Алексеев, А. Н.; Александров, С. Б.; Бырназ, А. Э.; Кокин, С. В.; Красовицкий, Д. М.; Павленко, М. В.; Петров, С. И.; Погорельский, М. Ю.; Погорельский, Ю. В.; Соколов, И. А.; Соколов, М. А.; Степанов, М. В.; Ткаченко, А. Г.; Чалый, В. П.; Шкурко, А. П. |
Нечаев, И. Приставка к мультиметру для проверки стабилитронов [Текст] / И. Нечаев // Радио. - 2008. - N 5. - С. 57-58. - Библиогр.: с. 58 (5 назв. ) . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): 200 мВ -- MY-63 -- М830 -- М838 -- маломощные стабилитроны -- мультиметры -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- приставки радиотехнические -- проверка стабилитронов -- стабилитроны -- схемы принципиальные -- цифровые мультиметры Аннотация: Предлагаемое устройство предназначено для проверки маломощных стабилитронов, наиболее часто применяемых радиолюбителями, и позволяет определять не только напряжение стабилизации, но и дифференциальное сопротивление как стабилитронов, так и других приборов, используемых для стабилизации напряжения. Выполнено оно в виде приставки к цифровым мультиметрам М830, М838, MY-63 и аналогичными с пределом измерения постоянного напряжения 200 мВ. |
Полевые n-канальные транзисторы КП7173А [Текст] / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2008. - N 6. - С. 41-42 : 10 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): n-канальные транзисторы -- КП7173А -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы Аннотация: Мощные кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением канала, с включенным между затвором и истоком двуанодным защитным стабилитроном и мощным защитным диодом, включенным между стоком и истоком, изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для использования в источниках питания телевизионных приемников, мощных высоковольтных преобразователях, телекоммуникационных системах и другой электронной аппаратуре. Доп.точки доступа: Киселев, В. \.\ |
Полевые транзисторы серии КП511 [Текст] / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2008. - N 7. - С. 43-44 : 8 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): n-канальные транзисторы -- КП511А -- КП511Б -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы Аннотация: Кремниевые n-канальные полевые транзисторы средней мощности КП511А, КП511Б с изолированным затвором, обогащением канала, со встроенным защитным диодом, включенным в обратной полярности между истоком и стоком, изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы предназначены для работы в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Доп.точки доступа: Киселев, В. \.\ |
Бутов, А. Управление тринисторами MCR100-6 [Текст] / А. Бутов // Радио. - 2008. - N 12. - С. 35-36 : 7 рис. - Библиогр.: с. 36 (1 назв. ) . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): MCR100-6 -- генераторы релаксационные -- принципиальные схемы -- релаксационные генераторы -- реле времени -- схемы принципиальные -- тринисторы -- управление тринисторами -- фотореле Аннотация: Возможность использовать некоторые обычные тринисторы как закрываемые при их работе в цепях постоянного тока позволяет строить различные устройства по предельно простым схемам, например, узлы защиты от перегрузок, узлы управления мощными полевыми транзисторами, работающими в переключательном режиме. А эффект "памяти" тринисторов позволяет создавать на них простейшие управляемые триггеры там, где потребовалось бы применение логических микросхем или как минимум двух транзисторов. |
Кремниевые полевые транзисторы серии КП406 [Текст] / материал подгот. А. Нефедов // Радио. - 2008. - N 12. - С. 49-50 : 6 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): КП406А-5 -- КП406А3 -- КП406А9 -- кремниевые полевые транзисторы -- переключательные элементы -- полевые транзисторы -- предельно допустимые значения -- технические характеристики -- транзисторы -- цоколевка Аннотация: Полевые n-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором КП406А3, КП406А9 и КП406А-5, оснащенные защитным встроенным обратно включенным диодом между выводами стока и истока, предназначены для использования в качестве переключательных элементов. Доп.точки доступа: Нефедов, А. \.\ |