Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков [Текст] / А. М. Бадалян [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 36-45 : ил. - Библиогр.: с. 44-45 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- наноструктурированные тонкие слои -- формирование слоев -- газогетерогенный синтез -- металлокомплексы -- летучие металлокомплексы -- малоразмерные летучие металлокомплексы -- медь -- кремниевые подложки -- кварцевые подложки -- полупроводники -- диэлектрики -- формиатные металлокомплексы -- осажденные слои -- зернистые структуры -- металлическое состояние -- наноразмерные зерна Аннотация: Представлен и исследован новый метод формирования наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов. Наноструктурированные тонкие слои меди на кремниевых и кварцевых подложках синтезированы из малоразмерных формиатных металлокомплексов на основе совмещенного синтеза-переноса. Выявлено, что осажденный слой имеет характерную плотно упакованную зернистую структуру с преимущественным содержанием меди в металлическом состоянии Cu{0} наноразмерных зерен. Доп.точки доступа: Бадалян, А. М.; Бахтурова, Л. Ф.; Каичев, В. В.; Кашников, Б. П.; Поляков, О. В.; Пчеляков, О. П.; Смирнов, Г. И. |
Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В. |
539.2 М 597 Микроструктурные особенности упорядочения углерода, образующегося при карбонизации стружки сосны [Текст] / Г. С. Олейник [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 5. - С. 87-95 : ил. - Библиогр.: с. 94-95 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углерод -- упорядочение углерода -- древесина -- стружка сосны -- карбонизация стружки -- исследования -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- отжиг стружки -- аргон -- графеновые слои -- монолитные элементы структуры -- ленточные образования -- межслоевые расстояния -- формирование слоев Аннотация: Исследованиями методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что упорядочение углерода, образующегося при отжиге стружки сосны в среде аргона при T=1900 и 2250{o}C, проходит с участием графеновых слоев и образованием на их основе монолитных элементов структуры в форме ленточных образований. Слои являются в различной степени изогнутыми, расстояние между ними в таких образованиях изменяется (диапазон межслоевых расстояний 0. 34-0. 38 nm). Укрупнение указанных элементов структуры проходит за счет формирования новых слоев из матричной составляющей. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/05/p87-95.pdf Доп.точки доступа: Олейник, Г. С.; Переселенцева, Л. Н.; Вишняков, Л. Р.; Вишнякова, Е. Л.; Котко, А. В. |
537.311.33 Ф 796 Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире [Текст] / А. А. Шемухин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 83-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремний -- ультратонкие слои -- формирование слоев -- сапфиры -- ионы -- КНС-структуры -- кремний на сапфире -- ионное облучение -- рекристаллизационный отжиг -- кремниевые пленки -- кристалличность -- имплантация Аннотация: Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si{+}, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p83-89.pdf Доп.точки доступа: Шемухин, А. А.; Балакшин, Ю. В.; Черныш, В. С.; Патракеев, А. С.; Голубков, С. А.; Егоров, Н. Н.; Сидоров, А. И.; Малюков, Б. А.; Стаценко, В. Н.; Чумак, В. Д. |
539.2 О-754 Особенности формирования графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок / Э. А. Ильичев [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 2. - С. 10-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графеновые слои -- углеродные пленки -- кремний-углеродные пленки -- формирование слоев -- приборные структуры -- технологические процедуры -- атомы углерода -- термодиффузия -- гетерограницы слоев -- коэффициенты диффузии -- фазовые переходы -- углеродные квазижидкости Аннотация: Обсуждаются результаты формирования на приборных структурах графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок посредством использования последовательности технологических процедур, включающих процессы термодиффузии атомов углерода, их накопления на гетерогранице слоев с существенно различными коэффициентами диффузии и последующего фазового перехода углеродная квазижидкость-графеновый слой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/02/p10-15.pdf Доп.точки доступа: Ильичев, Э. А.; Кириленко, Е. П.; Петрухин, Г. Н.; Рычков, Г. С.; Сахаров, О. А.; Хамдохов, Э. З.; Чернявская, Е. С.; Шупегин, М. Л.; Щекин, А. А.; Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва) |