621.192 П 440 Подвязный, А. А. О зеемановском световом сдвиге частоты радиооптического резонанса в оптически ориентированных изотопах щелочных металлов [Текст] / А. А. Подвязный, А. А. Саканцев, В. В. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N 9. - Библиогр.: 5 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): магнитомеры -- оптическая накачка -- буферный газ Аннотация: Представлены результаты расчета тензорной и векторной компонент светового сдвига частоты радиооптического резонанса в оптически ориентированных парах калия, рубидия и цезия. Показана возможность взаимной компенсации тензорной и векторной компонент соответствующим выбором знака поляризации света накачки. Рассмотрено влияние буферных инертных газов аргона и гелия на величину зеемановского светового сдвига резонансной частоты в условиях неразрешенного радиочастотного спектра поглощения паров рубидия-87. Доп.точки доступа: Саканцев, А. А.; Семенов, В. В. |
621.375 Х 227 Харчев, О. П. Нестабильность частоты пассивного стандарта частоты на газовой ячейке, обусловленная флуктуациями света оптической накачки [Текст] / О. П. Харчев // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 7. - Библиогр.: с. 896 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): газовые ячейки -- флуктуация света -- оптическая накачка -- лазерные диоды Аннотация: Приведены результаты иследования нестабильности частоты пассивного стандарта частоты на рубидиевой ячейке поглощения, обусловленной флуктуациями интенсивности света оптической накачки, с учетом спектрального распределения флуктуаций интенсивности, позволяющие анализировать использование различных источников света. Отмечено преимущество лазеров и лазерных диодов по сравнению с безэлектродными спектральными лампами. |
535 Б 391 Безвербный, А. В. Временная динамика оптической накачки неподвижных атомов в основном состоянии в слабых световых полях [Текст] / А. В. Безвербный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 5. - Библиогр.: с. 944 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): атомы -- неподвижные атомы -- оптическая накачка -- временная динамика -- основное состояние -- слабые световые поля Аннотация: Исследуется динамика оптической накачки мультипольных моментов основного состояния неподвижных атомов в случае малого насыщения замкнутого дипольного перехода. |
621.3 П 141 Паленов, Д. А. Особенности релаксации энергии электронного возбуждения в связанных молекулярно-твердотельных системах на основе кремниевых нанокристаллов при интенсивной оптической накачке [Текст] / Д. А. Паленов, Д. М. Жигунов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1370-1374 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремниевые нанокристаллы -- оптическая накачка -- фотолюминесценция структур -- ионы эрбия -- молекулярно-твердотельные системы Аннотация: Рассмотрена феноменологическая модель переноса и релаксации энергии электронного возбуждения в связанных системах на основе ансамблей кремниевых нанокристаллов при интенсивной оптической накачке. Рассчитанные зависимости относительных концентраций доноров и акцепторов энергии от уровня оптического возбуждения сравниваются с экспериментальными данными по фотолюминесценции структур с кремниевыми нанокристаллами в окружении молекул кислорода или ионов эрбия. На основе сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей сделаны оценки параметра связи, характеризующего взаимодействие экситонов в кремниевых нанокристаллах и окружающих акцепторов энергии для таких систем. Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Шалыгина, О. А.; Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю. |
621.315.592 А 661 Андронов, А. А. Стимулированное излучение гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при комнатной температуре в условиях оптической накачки [Текст] / А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 177-180 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическая накачка -- стимулированное излучение -- гетероструктуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- арсенид галлия -- кремниевые подложки Аннотация: Сообщается об экспериментальном наблюдении стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1. 4-4. 5 мкм гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при оптической накачке. В экспериментах использовались варизонные образцы Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенные на подложках GaAs и Si с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция таких структур наблюдалась при температурах 77-300 K при импульсной накачке образцов Nd : YAG-лазером (длина волны 1. 064 мкм). При комнатной температуре стимулированное излучение наблюдалось на длинах волн 1. 4-1. 7 мкм. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из объемных варизонных структур Cd[x]Hg[1-x]Te на подложках Si и GaAs. Доп.точки доступа: Ноздрин, Ю. Н.; Окомельков, А. В.; Бабенко, А. А.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Смирнов, Р. Н. |
Вершовский, А. К. Оптимизация фактора качества магнитного M[X]-резонанса в условиях оптической накачки [Текст] / А. К. Вершовский, А. С. Пазгалев // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 116-124. - Библиогр.: c. 123-124 (28 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): магнитный резонанс -- оптическая накачка -- щелочные металлы -- спин-обменное уширение -- резонансное радиополе Аннотация: Проведена оптимизация параметров M[X]-резонанса, возбуждаемого между зеемановскими подуровнями одного СТС-уровня основного состояния щелочного металла в вакуумной ячейке в схеме с одним лучом накачки, и детектирования (схема M[X]-магнитометра). Построена простая модель, учитывающая все основные факторы, определяющие разрешающую способность M[X]-резонанса, в том числе спин-обменное уширение и поглощение в толстом слое ячейки. Показано, что величина спин-обменного уширения резонансной линии преимущественно определяется требованиями к оптической толщине ячейки, что в значительной мере снижает возможность реализации преимуществ сверхузких (< 1 Hz) линий в магнитометрии. Проведен эксперимент, подтвердивший работоспособность модели. Доп.точки доступа: Пазгалев, А. С. |
Стационарные светоиндуцированные силы в атомной нанолитографии [Текст] / А. В. Безвербный [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 4. - С. 682-697. - Библиогр.: с. 696-697 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанолитография -- атомная нанолитография -- стационарные светоиндуцированные силы -- светоиндуцированные силы -- пространственная структура -- оптическая накачка -- спонтанное излучение -- излучения -- атомы Аннотация: Рассмотрено влияние процессов спонтанного излучения и оптической накачки на пространственную структуру светоиндуцированных сил F[0] (r), действующих на неподвижный атом. Доп.точки доступа: Безвербный, А. В.; Прудников, О. Н.; Тайченачев, А. В.; Тумайкин, А. М.; Юдин, В. И. |
Возможности использования современной тепловизионной техники для измерения температуры области генерации твердотельных лазеров при мощной л. д. -накачке [Текст] / В. П. Данилов [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 2. - С. 131-137. - Библиогр.: с. 137 (4 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): тепловизионная техника -- генерация -- твердотельные лазеры -- оптическая накачка -- лазерные диоды -- ЛД-накачка -- диодная накачка -- тепловизоры -- охлаждающие системы Аннотация: Сообщается о применении современной тепловизионной техники для исследования температурных полей и тепловых нагрузок на лазерные кристаллы Er: YAG в условиях оптической накачки последних мощным (20 Вт) излучением диодных линеек с волоконным выходом. Показано, что современные тепловизоры, работающие в диапазоне 8-14 мкм, могут быть эффективно использованы для контроля приповерхностных температур в области генерации твердотельных лазеров при мощной диодной накачке. Продемонстрированы возможности современных тепловизоров для оценки нагрева области генерации в лазерном кристалле, распределения в этой области температуры, эффективности работы охлаждающих систем, а также для предварительной отбраковки активных элементов лазеров. Доп.точки доступа: Данилов, В. П.; Ильичев, Н. Н.; Калинушкин, В. П.; Студеникин, М. И.; Юрьев, В. А.; Пронин, А. В. |
Повторение формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света при изменении энергии импульса накачки GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1328-1331 : ил. - Библиогр.: с. 1330-1331 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поглощение света -- спектры поглощения -- автомодуляция -- сверхбыстрая автомодуляция -- оптическая накачка -- энергия импульса -- автоколебания Аннотация: Сверхбыстрая автомодуляция фундаментального поглощения света возникает во время интенсивной пикосекундной оптической накачки GaAs и, по основному предположению, отображает автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. В настоящей работе дается количественно подтвержденное объяснение экспериментально обнаруженному ранее циклическому повторению формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения при изменении энергии импульса накачки и фиксированной задержке между накачкой и зондированием (измерением поглощения). Повторение формы объясняется изменением фазы автоколебаний поглощения света. Объяснение основано на ранее экспериментально обнаруженной зависимости частоты автоколебаний поглощения от энергии накачки. Поэтому оно также является и новым подтверждением указанной зависимости (удовлетворительно совпадающей с аналогичной расчетной зависимостью частоты автоколебаний обеднения заселенностей). Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1451-1454 : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. |
537.6 В 375 Вершовский, А. К. Квантовый магнитометр с оптической накачкой, использующий две компоненты сигнала прецессии магнитного момента [Текст] / А. К. Вершовский, авт. А. С. Пазгалев // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 1. - С. 48-55 : ил. - Библиогр.: с. 55 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Магнетизм Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): магнитометры -- квантовые магнитометры -- магнитометрические устройства -- комбинированные магнитометрические устройства -- оптическая накачка -- магнитные моменты -- атомные магнитные моменты -- квантовые датчики -- сигналы прецессии Аннотация: Предложена схема комбинированного магнитометрического устройства, представляющего собой быстрый M[X]-магнитометр, фаза регистрации M[X]-сигнала в котором корректируется по критерию максимума модуля переменной составляющей атомного магнитного момента. Устройство сочетает высокое (tau=< 0. 1 s) быстродействие с точностью, определяющейся разрешающей способностью квантового M[X]-датчика на временах порядка 100 s; продемонстрирована воспроизводимость показаний на уровне 2-3 pT. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/01/p48-55.pdf Доп.точки доступа: Пазгалев, А. С. |
536.42 И 889 Исследование влияния толщины медного катализатора и пленочного подслоя на морфологию наностержней ZnO [Текст] / Н. В. Лянгузов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 5. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): медные катализаторы -- пленочные подслои -- наностержни -- морфология наностержней -- пленки меди -- медь -- Cu -- толщина пленок -- цинк -- Zn -- оксид цинка -- ZnO -- подложки (физика) -- a-Al2O3 -- карботермические методы -- поверхностная плотность наностержней -- исследования -- температура -- процесс термического развала -- сверхтонкие пленки -- массивы наностержней -- фотолюминесцентные свойства -- оптическая накачка -- уровни оптической накачки Аннотация: Исследовано влияние толщины пленочного подслоя ZnO, а также толщины пленок катализатора роста (Cu) на морфологию наностержней ZnO, выращенных на подложках a-Al[2]O[3] (11-20) карботермическим методом. Увеличение толщины пленки Cu приводит к увеличению диаметров, высоты и поверхностной плотности наностержней. Увеличение толщины пленочного подслоя ZnO приводит к возрастанию среднего диаметра и уменьшению длины и поверхностной плотности наностержней. Проведены исследования по влиянию температуры на процесс термического развала сверхтонких пленок меди, нанесенных на подложки a-Al[2]O[3]. Исследованы фотолюминесцентные свойства массивов наностержней при высоких уровнях оптической накачки. Повышение плотности мощности накачки до 250-280 kW/cm{2} приводит к сверхлюминесценции наностержней. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/05/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Лянгузов, Н. В.; Кайдашев, В. Е.; Кайдашев, Е. М.; Абдулвахидов, К. Г. |
621.315.592 В 932 Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1063-1066 : ил. - Библиогр.: с. 1066 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерная генерация -- высокотемпературная лазерная генерация -- микролазеры -- кольцевые микролазеры -- микрокольцевые лазеры -- квантовые точки -- КТ -- InAs/InGaAs -- оптическая накачка Аннотация: В кольцевом микролазере диаметром 6 мкм с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до 380 K на длине волны больше 1. 3 мкм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1063-1066.pdf Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Жуков, А. Е.; Надточий, А. М.; Словинский, И. А.; Максимов, М. В.; Кулагина, М. М.; Савельев, А. В.; Аракчеева, Е. М.; Задиранов, Ю. М.; Трошков, С. И.; Липовский, А. А. |
621.315.592 Л 175 Лазерная генерация нанокомпозитов Y[2]O[3]-ZnO сферической формы [Текст] / А. Н. Грузинцев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1094-1100 : ил. - Библиогр.: с. 1099-1100 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерная генерация -- нанокомпозиты -- оксид цинка -- ZnO -- излучательная рекомбинация -- экситоны -- резонаторы -- люминесценция -- оптическая накачка Аннотация: Исследованы люминесцентные свойства нанокомпозитов Y[2]O[3]-ZnO сферической формы со средними диаметрами 132 и 179 нм, полученных методом синтеза из раствора с дисперсией размеров около 15%. Обнаружены узкие пики лазерной генерации в ультрафиолетовой области спектра при излучательной рекомбинации экситонов оксида цинка. Показано, что одиночные наносферы композита имеют всего лишь одну лазерную моду для малых диаметров резонаторов 100-200 нм. Установлено возникновение стимулированной люминесценции с максимумом 376 нм на связанной фотонной моде нанорезонаторов диаметром 179 нм при увеличении мощности оптической накачки более 130 КВт/см{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1094-1100.pdf Доп.точки доступа: Грузинцев, А. Н.; Емельченко, Г. А.; Дулина, Н. А.; Ермолаева, Ю. В.; Толмачев, А. В. |
535.2/.3 В 586 Влияние параметров AlGaAs- (AlGa) [x]O[y] пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 992-995 : ил. - Библиогр.: с. 995 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): микродисковые лазеры -- МД-лазеры -- активная область -- квантовые точки -- спектры излучения -- слои -- InAs/InGaAs -- мод шепучей галереи -- МШГ -- лазерная генерация -- подложки -- оптическая накачка Аннотация: Исследовано влияние параметров слоя AlGaAs- (AlGa) [x]O[y], образующего пьедестал микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs квантовых точек, на особенности спектра излучения при температуре 15 K и оптической накачке. Уменьшение глубины окисления слоя Al[0. 97]Ga[0. 03]As приводит к падению интенсивности линий мод "шепчущей галереи", увеличению порога лазерной генерации и уменьшению добротности вследствие увеличения утечек в область подложки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p992-995.pdf Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Блохин, С. А.; Максимов, М. В.; Надточий, А. М.; Жуков, А. Е.; Федорова, К. В.; Леденцов, Н. Н.; Устинов, В. М.; Ильинская, Н. Д.; Бимберг, Д. |
535.2/.3 Л 175 Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек / Н. В. Крыжановская [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1396-1399 : ил. - Библиогр.: с. 1399 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная генерация -- микрокольцевые резонаторы -- активная область -- квантовые точки -- InAs/InGaAs -- микрофотолюминесценция -- оптическая микроскопия -- комнатная температура -- микролазеры -- оптическая накачка Аннотация: Созданы микрокольцевые резонаторы (диаметром D=2. 7-7 мкм) с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, и исследованы их характеристики с помощью микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Получено значение добротности 22 000 для микрокольцевого резонатора диаметром D=6 мкм. В кольцевом микролазере диаметром D=2. 7 мкм при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до комнатной температуры. Microring resonators with 2. 7-7 mum diameter and with active region based on InAs/InGaAs quantum dots are fabricated and studied by microphotoluminescence spectroscopy and near-field photoluminescence spectroscopy. Quality factor 22 000 is obtained for microring laser with 6 mum diameter. Lasing in microring laser with diameter 2. 7 mum under optical excitation at room temperatures is achieved. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1396-1399.pdf Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Жуков, А. Е.; Надточий, А. М.; Максимов, М. В.; Моисеев, Э. И.; Кулагина, М. М.; Савельев, А. В.; Аракчеева, Е. М.; Липовский, А. А.; Зубов, Ф. И.; Kapsalis, A.; Mesaritakis, C.; Syvridis, D.; Mintairov, A.; Livshits, D.; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукСанкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; University of Athens (Greece); University of Athens (Greece); University of Athens (Greece); University of Notre Dame (USA); Innolume GmbH (Deutschland) |
535.37 К 413 Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI / А. Н. Яблонский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1509-1512 : ил. - Библиогр.: с. 1512 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- спектральные характеристики -- временные характеристики -- фотолюминесценция -- многослойные структуры -- кремниевые подложки -- подложки -- длина волны -- неравновесные носители заряда -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- оптическая накачка -- кинетика фотолюминесценции Аннотация: Представлены результаты исследования спектральных и временных характеристик фотолюминесценции многослойных структур с самоформирующимися Ge (Si) островками, выращенных на кремниевых подложках и подложках "кремний-на-изоляторе", в зависимости от температуры и длины волны возбуждающего излучения. В структурах с Ge (Si) островками, выращенными на кремниевых подложках, обнаружено значительное возрастание интенсивности фотолюминесценции островков при увеличении температуры от 4 до 70 K, связанное с диффузией неравновесных носителей заряда из кремниевой подложки в активный слой с островками. При этом в кинетике нарастания фотолюминесценции островков возникает медленная компонента с характерным временем ~100 нс. В то же время в структурах, выращенных на подложках "кремний-на-изоляторе", в которых активный слой с островками изолирован от кремниевой подложки слоем SiO[2], медленная компонента в кинетике нарастания фотолюминесценции островков отсутствует, и возрастание интенсивности фотолюминесценции с ростом температуры не наблюдается. Установлено, что поглощение возбуждающего излучения в островках и SiGe смачивающих слоях дает основной вклад в возбуждение сигнала фотолюминесценции островков в условиях подзонной оптической накачки. The paper presents the results of a study of the spectral and temporal characteristics of the photoluminescence in multilayer structures with self-assembled Ge (Si) islands grown on silicon and "silicon-on-insulator" substrates, depending on the temperature and excitation wavelength. In the structures with Ge (Si) islands grown on silicon substrates a significant increase in the PL intensity of the islands has been observed with increasing temperature from 4 to 70K, due to the diffusion of nonequilibrium charge carriers from the silicon substrate into the active layer with islands. This was accompanied by appearance of a slow component in the rise kinetics of the island photoluminescence with characteristic time of ~ 100 ns. At the same time, in the structures grown on "silicon-on-insulator" substrates, in which the active layer with islands is isolated from the silicon substrate with SiO[2] layer, the slow component in the rise kinetics of island photoluminescence was absent, and the increase in the PL intensity with increasing temperature was not observed. It has been shown that the direct absorption of the pumping radiation in the islands and SiGe wetting layers makes the main contribution to the excitation of photoluminescence signal of the islands under sub-bandgap optical pumping. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1509-1512.pdf Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
537.311.33 В 124 Ваганов, С. А. Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости / С. А. Ваганов, Д. А. Зайцев, Р. П. Сейсян // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 7. - С. 111-114. - Библиогр.: c. 114 (27 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- экситонное поглощение -- оптическая накачка -- экситоны -- экситонные поляритоны -- рассеяние экситонов -- электрон-экситонное взаимодействие -- интегральное поглощение Аннотация: Экспериментально исследованы при T = 1. 7 K изменения в экситонной структуре края фундаментального поглощения кристаллов GaAs при оптической накачке лазером с энергией излучения, немного превышающей ширину запрещенной зоны. Наблюдалось увеличение амплитуды пика основного состояния экситона при сохранении энергии максимума. Решение обратной задачи для начальных уровней накачки позволяет оценить константу электрон-экситонного взаимодействия. Интегральное поглощение основного экситонного состояния при гелиевых температурах может рассматриваться как мера чистоты эпитаксиального слоя, а причины пониженного уровня насыщения интегрального поглощения, которое заметно ниже расчетного значения, определяемого силой осциллятора экситона, требуют дальнейшего изучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/07/p111-114.pdf Доп.точки доступа: Зайцев, Д. А.; Сейсян, Р. П. |
621.36 С 600 Солдатов, А. Н. Перспективы развития столкновительных лазеров на парах металлов с оптической накачкой / А. Н. Солдатов, В. Е. Прокопьев, С. С. Логинов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 11. - С. 19-32 : рис., табл. - Библиогр.: c. 31-32 (32 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электрический нагрев Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): КПД лазерных систем -- газовые лазеры -- газовые разряды -- газоразрядные лазеры -- лазеры на парах металлов -- оптическая накачка -- светодиодные лазеры -- столкновительные лазеры Аннотация: Проанализирован КПД трёхуровневых и четырёхуровневых лазерных квантовых систем с газоразрядной и оптической накачкой. Показано, что практический КПД газоразрядных лазеров на парах металлов в смеси с инертными газами со столкновительным механизмом создания инверсии населённостей не превышает 1-3 %. Этот факт объясняется неселективным характером возбуждения энергетических уровней атомов и ионов в плазме газового разряда. Использование метода оптической селективной накачки верхних рабочих уровней атомов в сочетании со столкновительным механизмом создания инверсии населённостей с помощью светодиодных лазеров позволит значительно повысить КПД и выходные энергетические характеристики лазерного излучения. Предложено использовать трёхуровневую схему со столкновительным разрушением нижнего рабочего уровня и четырёхуровневую схему со столкновительным заселением верхнего и расселением нижнего уровней активных сред, работающих на переходах атомов в парах редкоземельных металлов, актиноидов и элементов III группы в смеси с инертными газами с оптической накачкой. Доп.точки доступа: Прокопьев, В. Е.; Логинов, С. С. |
539.21:537 В 586 Влияние фликкерных процессов на разрешающую способность самогенерирующих магнитометров с оптической накачкой в режиме насыщения / С. В. Ермак [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 6. - С. 82-88 : ил. - Библиогр.: с. 88 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): самогенерирующие магнитометры -- оптическая накачка -- щелочные атомы -- рубидий -- Rb -- индукция -- метрологические характеристики Аннотация: Представлены результаты расчета естественной и технической ширины линии самогенерирующего магнитометра с оптической накачкой щелочных атомов в режиме насыщения и приведены численные оценки технической ширины линии самогенерирующего устройства на изотопах рубидия с общей камерой поглощения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/06/p82-88.pdf Доп.точки доступа: Ермак, С. В.; Зимницкий, П. В.; Смолин, Р. В.; Семенов, В. В.; Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет |