539.19 З 187 Закинян, Р. Г. К теории образования слоистой структуры льда на поверхности пластины, помещенной в поток переохлажденного водного аэрозоля [Текст] / Р. Г. Закинян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 13-14 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): водные аэрозоли -- кристаллизация -- лед -- обледенение самолетов -- рост пленок -- слоистые структуры Аннотация: Проведен анализ движения фронта кристаллизации и роста пленки на поверхности пластины при ламинарном и турбулентном режимах течения. Выявлены критерии перехода от матовой неоднородной структуры к прозрачной однородной структуре льда. Пказано, что толщина пленки должна быть больше критического значения равновесной толщины hb. c, чтобы она могла устойчиво сохраняться на поверхности пластины. При этом образуется прозрачная однородная структура льда. В противном случае пленка на поверхности пластины неустойчива и со временем исчезает. Это приводит к образованию матовой неоднородной структуры льда. Наиболее важным приложением полученных результатов является обледенение самолетов. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-9.html.ru |
Грицюк, Б. Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей [Текст] / Б. Н. Грицюк, А. А. Ляхов, С. В. Мельничук, В. Н. Стребежев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.57 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- полупроводники -- капиллярные испарители -- термические испарители -- рост пленок Аннотация: Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения Доп.точки доступа: Ляхов, А.А.; Мельничук, С.В.; Стребежев, В.Н. |
535.338.43.533.59 И 264 Игнатенко, П. И. Дифрактометрические исследования влияния условий получения алмазных пленок на монокристалл кремния [Текст] / П. И. Игнатенко, И. В. Сельская // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с. 79 (8 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): алмазные пленки -- дифрактометрия -- кремниевые подложки -- рост пленок -- синтез пленок Аннотация: Дифрактометрическим методом исследовано влияние параметров синтеза на рост алмазных пленок. При концентрации метана 2 и 4%, температурах подложек 1073, 1173, 1273 К с повышением давления, от5 до 22 кПа, увеличивается скорость роста алмазной пленки. Максимальная скорость роста (1,2 нм/с) имеет место при давлении 21,3 кПа, температуре подложки 1173 К и концентрации метана 4%. При этом, ка правило, растут текстурированные алмазные пленки с текстурой <110> либо <311>, либо с двойной текстурой <110>+<311> Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Сельская, И.В. |
539.2 Р 598 Рогозин, И. В. Исследование особенностей роста пленок GaN в системе GaN-GaAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии [Текст] / И. В. Рогозин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 78-81 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки GaN -- рост пленок -- система GaN-GaAs -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Химический состав поверхности подложки и стехиометрия пленок исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в присутствии радикалов азота приводит к сдвигу стехиометрии в сторону избытка азота. |
Калинин, Д. В. Послойный ступенчатый механизм роста фотонно-кристаллических опаловых пленок при выращивании их методом подвижного мениска [Текст] : текст / Д. В. Калинин, В. В. Сердобинцева, В. Ф. Шабанов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 2, май. - С. 179-181 : 2 рис. - Библиогр.: с. 181 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотонно-кристаллические материалы -- опаловые пленки -- метод подвижного мениска -- рост пленок -- нанокристаллизация пленок -- подвижный мениск -- монокристаллические пленки -- микротрещины Аннотация: Рассмотренный механизм послойного ступенчатого роста является основой для дальнейшего изучения механизма формирования различного рода дефектов в ходе роста пленки и их роли в возникновении микротрещин при выходе пленки из зоны мениска. Доп.точки доступа: Сердобинцева, В. В.; Шабанов, В. Ф. |
Получение углеродных пленок методом близкого переноса [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 84-89. - Библиогр.: c. 89 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные пленки -- сублимация -- рост пленок -- аморфный углерод -- сублимация с близкого расстояния -- close space sublimation Аннотация: Впервые пленки углерода получены простейшим, экологически чистым, модифицированным методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Пленки углерода были нанесены на кварцевые, стеклянные, ситалловые и кремниевые подложки. Детально исследованы основные свойства пленок, такие как скорость роста, морфология и структура пленок, оптические свойства, зависимость этих характеристик от температуры осаждения и материала подложки. Для исследования были использованы различные методы - рентгенодифракционный, микроскопии атомных сил, многоугловой эллипсометрии, измерения спектров пропускания и отражения в видимой и ближней УФ-областях. Скорость роста составляла 5 nm/min при температуре зарождения пленки 800{o}C. Толщина пленок варьировалась от 0. 2 до 2. 2 mum. Минимальная шероховатость поверхности образцов - 0. 5 nm. Показатель преломления пленок варьируется от 1. 3 до 1. 8 в зависимости от условий получения и последующей термообработки. Оптическая ширина запрещенной зоны составляет 5. 4 eV. Доп.точки доступа: Хомченко, В. С.; Сопинский, Н. В.; Савин, А. К.; Литвин, О. С.; Заяц, Н. С.; Хачатрян, В. Б.; Корчевой, А. А. |
Коновалов, В. А. Кинетика нарастания и свойства наноструктурных пленок диборида гафния [Текст] / В. А. Коновалов, Д. Н. Терпий // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 7. - С. 96-100. - Библиогр.: c. 99-100 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диборид гафния -- наноструктурные пленки -- магнетронное распыление -- рост пленок Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии, электронной микроскопии, рентгенографирования фотометодом проведено исследование состава, структуры, субструктуры и физико-механических свойств пленок диборида гафния, полученных нереактивным ВЧ магнетронным распылением. На основании анализа результатов выявлена кинетика процесса их нарастания. Доп.точки доступа: Терпий, Д. Н. |
Наумов, В. В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста [Текст] / В. В. Наумов, В. Ф. Бочкарев, Э. Ю. Бучин // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 7. - С. 146-149. - Библиогр.: c. 149 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адгезия -- кремний -- металлические пленки -- ионная бомбардировка -- рост пленок -- никель -- ванадий -- магнетронное распыление -- адгезия пленок Аннотация: Для увеличения адгезии пленок никеля и ванадия к кремнию использована интенсивная ионная бомбардировка на начальной стадии их роста. Нанесение пленок осуществлялось методом высокочастотного магнетронного распыления со смещением на подложке. Предложенная технология за счет активного перемешивания контактирующих материалов и формирования переходного слоя с градиентом концентраций позволила существенно увеличить адгезию металлических пленок к кремнию. Обнаружена корреляция между величиной адгезии пленок и их кристаллическим состоянием. Доп.точки доступа: Бочкарев, В. Ф.; Бучин, Э. Ю. |
Свойства пленок пермаллоя, полученных в потоках низкотемпературной плазмы с управляемым составом [Текст] / В. А. Александров [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 142-145. - Библиогр.: c. 146 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазма -- плазменные распылительные системы -- пленки пермаллоя -- магнитоактивные пленки -- рост пленок -- пермаллой Аннотация: Предложена простая реализация потокообразующей плазменной распылительной системы. Управление составом, энергией и плотностью потока частиц позволило установить причины, определяющие свойства пленок. Установлено, что электронная составляющая потока, а также усиление ионной компоненты негативно влияют на магнитные свойства пленок. Определяющее влияние на ширину линии ферромагнитного резонанса (ФМР) пленок толщиной 10-150 nm оказывает энергия нейтральной составляющей потока, определяемая условиями распыления при напряжении на аноде 400-700 V. В этом достаточно узком диапазоне энергий значение ФМР составило 25 Oe на холодных подложках. Доп.точки доступа: Александров, В. А.; Веселов, А. Г.; Кирясова, О. А.; Сердобинцев, А. А. |
Зинченко, С. П. О возможности контроля роста тонких пленок методом угловой рефлектометрии в области угла Брюстера [Текст] / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 128-133. - Библиогр.: c. 133 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- рост пленок -- угловая рефлектометрия -- угол Брюстера -- Брюстера угол -- мультиферроики Аннотация: Для анализа динамики формирования слоевых структур на прозрачных подложках использовали метод угловой рефлектометрии, выгодно отличающийся высокой чувствительностью к изменению параметров пленочных структур начиная с первой стадии ее формирования. Метод основан на использовании угловой зависимости интенсивности отраженного сигнала в зоне угла Брюстера и практически не зависит от состояния технических средств измерений. Представлены результаты исследований тонких пленок мультиферроика на корундовой изотропной кристаллической подложке (скол 001). Пленки на подложке Al[2]O[3] (001) с различным временем напыления (5-600 s) были получены осаждением продуктов распыления мишени Bi[0. 95]Nd[0. 05]FeO[3] в высокочастотном тлеющем разряде в атмосфере кислорода. Доп.точки доступа: Ковтун, А. П.; Толмачев, Г. Н. |
Зинченко, С. П. О текущем контроле роста пленок цирконата-титаната свинца в камере газового разряда [Текст] / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 66-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- рост пленок -- цирконат-титанат свинца -- ЦТС -- газоразрядные камеры -- газовые разряды -- режим реального времени -- газоразрядное напыление пленок -- подложки (физика) -- нержавеющие стали -- оптическое излучение -- длины волн -- параметры кривых отражения -- мощность -- корреляция параметров -- перовскиты -- пирохлоры -- технологические параметры -- физические характеристики Аннотация: В режиме реального времени (in situ) в ходе газоразрядного напыления пленок цирконата-титаната свинца Pb (Zr[x]Ti[1-x]) O[3] (ЦТС) на подложку из нержавеющей стали обнаружена осцилляторно затухающая зависимость интенсивности зеркально отраженного от пленки на подложке оптического излучения с длиной волны 0. 640 mum. Выявлены зависимость параметров кривых отражения от вводимой в разряд мощности и корреляция этих параметров с типом получаемых пленок (со структурами типа пирохлора и перовскита). Метод позволяет уже на начальной стадии контролировать в режиме in situ технологические параметры напыления, определяющие нужные физические характеристики. Доп.точки доступа: Ковтун, А. П.; Толмачев, Г. Н. |
Об особенностях роста пленок высшего силицида марганца на кремнии [Текст] / А. С. Орехов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 6. - С. 121-124. - Библиогр.: c. 124 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): силицид марганца -- рост пленок -- легирование -- кремний -- диффузионное легирование -- тонкие пленки -- марганец Аннотация: Выращивались пленки силицида марганца на кремнии в условиях диффузионного легирования кремния из парогазовой фазы в равновесных и неравновесных условиях в зависимости от весовых значений лигатуры. Выявлены некоторые особенности динамики их формирования. Доп.точки доступа: Орехов, А. С.; Камилов, Т. С.; Гаибов, А. Г.; Вахабов, К. И.; Клечковская, В. В. |
Получение высококачественных пленок на основе манганита на усовершенствованной магнетронной приставке ВУП-5М [Текст] / Ю. М. Николаенко [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 8. - С. 115-119. - Библиогр.: c. 119 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): высококачественные пленки -- манганиты -- магнетронные приставки -- ВУП-5М -- эпитаксиальный рост пленок -- рост пленок -- эпитаксиальные пленки -- магнетронное распыление Аннотация: Описана конструкция дополнительного теплового и электрического экрана, предназначенного для повышения качества получаемых пленок в отношении кристаллической структуры и равной толщины. Применение экрана позволяет использовать более мощный источник тепла для нагрева подложки и оптимизировать процесс эпитаксиального роста пленок. Экран одновременно выполняет функцию дополнительного анода, который изменяет динамику плазмы в рабочем пространстве и гомогенизирует радиальное распределение плотности потока нейтральных частиц от мишени к подложке. Доп.точки доступа: Николаенко, Ю. М.; Мухин, А. Б.; Чайка, В. А.; Бурховецкий, В. В. |
539.2 Б 779 Бойков, Ю. А. Магнетосопротивление пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], когерентный рост которых нарушен частичной релаксацией механических напряжений [Текст] / Ю. А. Бойков, М. П. Волков, В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 122-126. - Библиогр.: c. 126 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- механические напряжения -- релаксация механических напряжений -- рост пленок -- когерентный рост пленок -- манганитные пленки -- перовскитоподобные манганиты -- алюминат лантана -- гистерезис Аннотация: Вследствие значительного положительного рассогласования (m=1. 8%) в параметрах кристаллических решеток La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] и LaAlO[3], манганитные пленки, сформированные на подложках из алюмината лантана, находятся под действием двухосных сжимающих механических напряжений. Жесткая связь с подложкой обусловливает существенное тетрагональное искажение (gamma~ 1. 04) элементарной ячейки в прослойке манганитной пленки толщиной порядка 20 nm, выращенной когерентно на (001) LaAlO[3], а в остальной части (~ 75%) объема манганитного слоя напряжения частично релаксировали. Релаксация напряжений сопровождается уменьшением gamma, а эффективный объем элементарной ячейки пленки La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] при этом возрастает. Релаксированный слой в пленке La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] состоит из кристаллических зерен с латеральными размерами 50-200 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляет приблизительно 0. 3 deg. Максимум на температурных зависимостях электросопротивления rho и отрицательного магнетосопротивления MR выращенных манганитных пленок наблюдается при температуре 240 и 215 K соответственно. При температуре ниже 50 K зависимости rho от магнитной индукции, измеренные при сканировании последней в последовательности 0->14 T->0, становились гистерезисными. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p122-126.pdf Доп.точки доступа: Волков, М. П.; Данилов, В. А. |
536.42 Т 454 Титов, В. А. Колебания спекания в напыленной пленке метана и метана с хлором при гелиевых температурах [Текст] / В. А. Титов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 127-131. - Библиогр.: c. 131 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): колебания спекания -- колебательное спекание -- спекание -- метан -- хлор -- соконденсация -- гелиевые температуры -- рост пленок -- осаждение на холодной подложке -- жесткая закалка -- сверхпересыщение вакансиями -- вакансии -- дальняя агрегация -- лиофобные дисперсные системы -- диффузия агрегации -- машинное моделирование Аннотация: В натурном эксперименте наблюдалось колебательное спекание в твердофазной смеси метана с хлором, полученной соконденсацией из газовой фазы при гелиевых температурах, и в чистом метане. Детализируется процесс роста пленки из газовой фазы в условиях жесткой закалки. Колебательный режим обусловлен достижением сверхпересыщения вакансиями благодаря дальней агрегации в лиофобной дисперсной системе. Предлагается алгоритм модифицированной модели ограниченной диффузией агрегации для машинного моделирования колебаний спекания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p127-131.pdf |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Формирование сверхтонких магнитных пленок кобальта на поверхности Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 123-124 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): магнитные пленки -- сверхтонкие магнитные пленки -- кобальт -- фотоэлектронная спектроскопия -- напыление кобальта -- силицид кобальта -- интерфейсный силицид кобальта -- твердые растворы -- островковые пленки -- кремний -- кремниевые поверхности -- рост пленок -- ферромагнитное упорядочение Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма исследованы фазовый состав, электронное строение и магнитные свойства сверхтонких пленок кобальта (толщиной до 20 Angstrem), формирующихся при напылении металла на поверхность кремния Si (111) 7x7, находящуюся при комнатной температуре. Показано, что с увеличением покрытия на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид кобальта и островковая пленка твердого раствора кремния в кобальте. Рост металлической пленки кобальта начинается после нанесения ~7 Angstrem Co. Обнаружено, что ферромагнитное упорядочение системы, характеризуемое намагниченностью вдоль поверхности образца, наступает после напыления ~6 Angstrem Co на стадии формирования твердого раствора Co-Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/06/p120-124.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Формирование тонких пленок сплава Гейслера Co[2]FeSi на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 130-134. - Библиогр.: c. 134 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- сплав Гейслера -- Гейслера сплав -- кремний -- рост пленок -- реактивная эпитаксия -- островковые пленки -- островковые сплавы -- тройные сплавы -- отжиг -- ферромагнитное упорядочение Аннотация: Изучены начальные стадии роста пленок сплава Гейслера Co[2]FeSi на поверхности Si (100) 2x 1 по методу реактивной эпитаксии и найдены условия формирования данного соединения. Обнаружено, что при температуре подложки, меньшей или равной 180{o}C, на поверхности образца растет островковая пленка тройного сплава Co-Fe-Si, содержание кремния в котором ниже, чем в синтезируемом соединении. Пленка становится сплошной при покрытиях более 1. 2 nm. Показано, что повысить содержание кремния в пленке и сформировать сплав Гейслера требуемого состава можно с помощью послеростового отжига при температуре 240{o}C. Исследование магнитных свойств формируемых пленок, проведенное in situ, показало, что их ферромагнитное упорядочение носит пороговый характер и обнаруживается на стадии коалесценции островкового сплава Co-Fe-Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p130-134.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
536.42 С 387 Синтез наноструктур пленок оксида цинка в среде пропана [Текст] / В. А. Кривченко [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 20. - С. 54-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): наноструктурные пленки -- синтез пленок -- цинк -- оксид цинка -- оксиды -- пропан -- методы синтеза -- новые методы -- углерод -- несущие газы -- низкие температуры -- рост пленок -- столбчатые структуры Аннотация: Предложен новый метод синтеза наноструктурных пленок оксида цинка, основанный на использовании пропана в качестве источника углерода и несущего газа. Показано, что при относительно низких температурах 630{o}C происходит рост пленок, сформированный столбчатыми структурами ZnO. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/20/p54-59.pdf Доп.точки доступа: Кривченко, В. А.; Миронович, К. В.; Рахимов, А. Т.; Суетин, Н. В.; Тимофеев, М. А. |
621.371.8 У 748 Усилитель электронного потока на кремниевых решетках, покрытых алмазной пленкой [Текст] / М. Э. Белоусов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 6. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 50-51 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): кремниевые решетки -- алмазные пленки -- электронные потоки -- алмазные мембраны -- усилители электронного потока -- напряжения -- рост пленок -- использование решеток -- детекторы Аннотация: Известно, что алмазные мембраны могут усиливать электронный поток. При размерах мембраны более 10 mm{2} из-за напряжений, которые возникают при росте алмазных пленок, мембрана деформируется и провисает. Чтобы избежать этого нежелательного эффекта, предлагается формировать усилитель электронного потока на кремниевых решетках, покрытых алмазной пленкой. Обсуждается вопрос об использовании рассматриваемых решеток вместо микроканальных пластин, особенно для случая, когда предлагаемые решетки могут непосредственно выполнять роль детекторов рентгеновских лучей, ультрафиолетового излучения и протонов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/06/p45-51.pdf Доп.точки доступа: Белоусов, М. Э.; Ильичев, Э. А.; Кулешов, А. Е.; Матвеева, Н. К.; Минаков, П. В.; Петрухин, Г. Н.; Набиев, Р. М.; Рычков, Г. С. |
536.42 М 744 Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и ее влияние на механизм роста пленки [Текст] / Н. И. Плюснин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 7. - С. 48-55 : ил. - Библиогр.: с. 55 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремний -- железо -- медь -- пленки (физика) -- островки (физика) -- рост пленок -- механизм роста -- монослойные прослойки -- монослои -- подслои -- осаждение пленок -- молекулярно-лучевые источники -- электроны -- потери энергии -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- химическое состояние -- исследования -- результаты исследований Аннотация: Приведены результаты работы по исследованию влияния верхнего монослоя Si в прослойках Fe-Si на механизм роста пленок Cu толщиной 7 ML при их осаждении из молекулярно-лучевого источника. Исследование проводили в условиях сверхвысокого вакуума методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной оже-спектроскопии. Кроме того, в атмосфере была исследована морфология полученных образцов методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что на прослойке Si (1ML) /Fe[2]Si[3] (5ML) /Si (001) пленка Cu растет псевдопослойно (с растворением монослоя Si), а на прослойке Si (1ML) /Fe (1ML) /Si (1ML) /Fe (1ML) /Si (001) - в виде островков. Данный эффект объясняется различным химическим состоянием поверхности верхнего монослоя Si, обусловленным влиянием на это состояние нижележащих подслоев Fe-Si с различной структурой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/07/p48-55.pdf Доп.точки доступа: Плюснин, Н. И.; Тарима, Н. А.; Ильященко, В. М.; Китань, С. А. |