Бурахта, В. А. Потенциометрический анализ почв Чинаревского нефтегазоконденсатного месторождения Казахстана [Текст] / В. А. Бурахта, О. А. Савченко // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 11. - С. 18-21. - Библиогр.: с. 21 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия--Казахстан--Чинаревское месторождение, 2003-2007 гг. Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): потенциометрический анализ -- анализ почв -- почвы -- нефтегазоконденсатные месторождения -- полупроводниковые сенсоры -- антимонид галлия -- GaSb -- экспрессные методики Аннотация: Изучены возможности применения полупроводникового сенсора на основе антимонида галлия для анализа почв Чинаревского нефтегазоконденсатного месторождения и разработка экспрессных и надежных методик определения анионного состава почв с использованием единичного полупроводникового сенсора. Доп.точки доступа: Савченко, О. А. |
Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1198-1205
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антимонид галлия -- эпитаксия -- легирование -- теллур -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Власов, А. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М. |
Возможности получения стационарных условий роста при направленной кристаллизации антимонида галлия вертикальным методом Бриджмена на установке "Полизон" [Текст] / Ю. А. Серебряков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 58-66
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические преобразователи -- узкозонные соединения -- антимонид галлия -- легирующие примеси -- кластеры примесных атомов -- полупроводниковые материалы -- микрогравитация -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод Аннотация: Исследованы возможности управления процессами тепломассопереноса для получения стационарных условий кристаллизации антимонида галлия вертикальным методом Бриджмена с подводом тепла сверху на установке “Полизон”. Реализация стационарных условий вблизи фронта кристаллизации достигается за счет исключения конвекции Марангони, ориентации оси роста вдоль вектора гравитации, минимизации радиального и оптимизации осевого температурных градиентов, кристаллизации при равномерном перемещении температурного поля вдоль ампулы с образцом без ее механического движения относительно нагревателей. Результаты экспериментальных исследований сопоставлены с численными расчетами процессов тепломассопереноса и параметров кристаллизации, в том числе для условий микрогравитации. Доп.точки доступа: Серебряков, Ю. А.; Марченко, М. П.; Прохоров, И. А.; Коробейникова, Е. Н.; Шульпина, И. Л. |
Возможность получения пленок (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ш. Н. Усмонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1131-1136 : ил. - Библиогр.: с. 1135-1136 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): растворы -- твердые растворы -- непрерывные твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- антимонид галлия -- GaSb -- пленки -- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- кремниевые подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- рентгенограммы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные характеристики -- фоточувствительность структур -- p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- инжекционное обеднение Аннотация: Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] (x = 0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] в интервале температур 20-200°С. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V exp (JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения. Доп.точки доступа: Усмонов, Ш. Н.; Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Сапаров, Д.; Холиков, К. Т. |
Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 270-277 : ил. - Библиогр.: с. 277 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- эмиттеры -- инфракрасные эмиттеры -- солнечное излучение -- карбид кремния -- вольфрам -- тантал -- термофотоэлектрические элементы -- ТФЭ элементы -- элементы ТФЭ -- антимонид галлия -- тепловые излучения -- вольфрамовые эмиттеры -- ТФЭ генераторы цилиндрического типа -- ТФЭ генераторы конического типа -- фотоэлементы -- электрическая мощность Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов-цилиндричесого и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило P=3. 8 Вт. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Малевская, А. В.; Власов, А. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Эмиров, С. Н. Температурная и барическая зависимости теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия [Текст] / С. Н. Эмиров, Н. М. Булаева, Э. Н. Рамазанова // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 60-63 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): антимонид галлия -- сжатие -- теплопроводность -- рассеяние фононов -- барические зависимости Аннотация: В результате экспериментальных исследований теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия GaSd в условиях гидростатического сжатия при давлении до 350 МПа в интервале температур 273-523 К показано, что сжатие приводит к дополнительному рассеянию фононов в поликристаллах. Доп.точки доступа: Булаева, Н. М.; Рамазанова, Э. Н. |
621.383 Л 847 Лунин, Л. С. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb [Текст] / Л. С. Лунин, авт. А. С. Пащенко // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 71-76. - Библиогр.: c. 76 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- коэффициент полезного действия -- КПД -- арсенид галлия -- антимонид галлия -- каскадные солнечные элементы -- вольт-амперные характеристики -- ватт-вольтные характеристики -- спектральная чувствительность Аннотация: Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p71-76.pdf Доп.точки доступа: Пащенко, А. С. |
621.315.592 К 966 Кушхов, А. Р. Морфология островковых пленок на основе антимонида галлия [Текст] / А. Р. Кушхов, О. И. Рабинович, Д. С. Гаев // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 1. - С. 14-20 : 6 рис. - Библиогр.: с. 20 (17 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод инконгруэнтного испарения -- наноразмерные островковые пленки -- островковые пленки -- атомно-силовая микроскопия -- морфология поверхности -- наностровки -- температура испарения -- антимонид галлия Аннотация: Методом инконгруэнтного испарения пленки состава Ga[1 – x]Sb[x] выращены наноразмерные островковые пленки на основе GaSb. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности полученных структур. Показано, что плотность распределения и характеристические размеры наностровков зависят от температуры испарения. Рассчитаны фрактальные параметры поверхности полученных структур. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Гаев, Д. С. |
621.383 С 535 Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия [Текст] / Ф. Ю. Солдатенков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1266-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): омические потери -- фотоэлектрические преобразователи -- омические контакты -- фотоэлементы -- TLM -- transmission line model -- антимонид галлия -- метод магнетронного распыления -- магнетронное распыление -- резистивное испарение -- многослойные контактные системы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отжиг -- фронтальные поверхности -- удельное сопротивление -- фототоки Аннотация: С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr-Au, Cr-Au-Ag-Au, Ti-Pt-Au, Pt-Ti-Pt-Au, Pt-Au, Ti-Au, Ti-Pt-Ag, Ti-Pt-Ag-Au, Pt-Ag, осажденные на поверхность p-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti-Pt-Ag-Au и Ti-Pt-Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления (rho[c]<10{-6} Ом x см{2}), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1266-1273.pdf Доп.точки доступа: Солдатенков, Ф. Ю.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Задиранов, Ю. М.; Растегаева, М. Г.; Усикова, А. А. |
621.315.592 В 932 Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 273-279 : ил. - Библиогр.: с. 278-279 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлементы -- сильноточные фотоэлементы -- диффузия цинка -- цинк -- антимонид галлия -- солнечные батареи -- солнечное излучение -- эмиттеры -- лазерная энергия -- p-n переходы -- фотоэлектрические преобразования -- фототоки -- система с расщеплением солнечного излучения -- СРСИ -- термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы Аннотация: С помощью метода диффузии цинка из газовой фазы разработаны и изготовлены сильноточные фотоэлементы на основе антимонида галлия для использования в солнечных батареях и системах с расщеплением солнечного спектра при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, для термофотоэлектрических генераторов с высокой температурой эмиттера, а также для преобразования лазерной энергии. Исследовано влияние толщины диффузионного p{+}-слоя на основные характеристики фотоэлемента. Определены оптимальный профиль легирования и глубина залегания p-n-перехода, обеспечивающие высокую эффективность фотоэлектрического преобразования при плотностях фототока вплоть до 100 A/cм{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p273-279.pdf Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Хвостикова, О. А.; Тимошина, Н. Х.; Потапович, Н. С.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Андреев, В. М. |