537 К 823 Крикунов, А. И. Планарный эффект Холла в тонкопленочных магнитных структурах. Пленки кобальта на кремниевых подложках [Текст] / А. И. Крикунов, Ю. Ф. Огрин // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N6. - Библиогр.:с.731 (14 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- магнитная анизотропия -- магнитное поле -- планарный эффект Холла -- тонкие пленки кобальта -- ферромагнитные тонкие пленки -- эффект Холла Аннотация: Экспериментально исследованы полевая и угловая зависимости планарного эффекта Холла(ПЭХ) в ферромагнитных тонких пленках кобальта на кремниевых подложках. Обнаружено удвоение периода угловой зависимости ПЭХ при переходе от сильных магнитных полей к слабым, а также что в области промежуточных магнитных полей нарушена симметрия угловой зависимости относительно оси абцисс и имеет место гистерезисное поведение ПЭХ, проявляющееся как в полевой, так и в угловой завыисимости. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Огрин, Ю.Ф. |
539.2 Б 825 Борисов, В. И. Туннельное магнитосопротивление в переходах типа металл-диэлектрик-металл с большой площадью контакта [Текст] / В. И. Борисов, А. И. Крикунов, А. И. Чмиль, П. Е. Зильберман // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 1. - Библиогр.: с. 90 (16 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): туннельное магнитосопротивление -- туннельные магнитные переходы -- магнитосопротивление -- туннельные переходы Аннотация: Синтезированы туннельные магнитные переходы "пермаллой-кобальт" с ультратонким разделяющим слоем из Al[2]О[3], имеющие большую площадь туннельного контакта. Измерены зависимости гигантского магнитосопротивления переходов от поля и угла. Относительное магнитосопротивление переходов при комнатной температуре составляет примерно 5%. Перейти: http: //www. maik. ru Доп.точки доступа: Крикунов, А. И.; Чмиль, А. И.; Зильберман, П. Е. |
537 К 823 Крикунов, А. И. Оптический контроль в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных элементов [Текст] / А. И. Крикунов, Ф. А. Егоров // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 8. - Библиогр.: с. 998 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): спин-туннельные элементы -- оптический контроль -- ферромагнитные слои Аннотация: Предложена методика оптического контроля, которая может быть использована в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных переходов. Метод основан на измерении коэффициентов отражения тонких пленок или слоистых структур на различных этапах технологического процесса. Показана высокая эффективность метода при измерении толщин металлических слоев от единиц до десятков нанометров. Метод может быть использован для контроля процесса окисления тонких слоев алюминия при формировании барьерного слоя спин-туннельных структур. Доп.точки доступа: Егоров, Ф. А. |
537 К 823 Крикунов, А. И. Оптический контроль в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных элементов [Текст] / А. И. Крикунов, Ф. А. Егоров // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 8. - Библиогр.: с. 998 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): спин-туннельные элементы -- оптический контроль -- ферромагнитные слои Аннотация: Предложена методика оптического контроля, которая может быть использована в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных переходов. Метод основан на измерении коэффициентов отражения тонких пленок или слоистых структур на различных этапах технологического процесса. Показана высокая эффективность метода при измерении толщин металлических слоев от единиц до десятков нанометров. Метод может быть использован для контроля процесса окисления тонких слоев алюминия при формировании барьерного слоя спин-туннельных структур. Доп.точки доступа: Егоров, Ф. А. |
669.017 Ш 538 Шефтель, Е. Н. Рентгенографическое изучение эволюции структуры в процессе получения и термической обработки магнитных пленок Fe-Zr-N [Текст] / Е. Н. Шефтель, А. В. Шалимова [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N4. - Библиогр.:с.77-78 (9 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): азот -- железо -- магнитные пленки -- напыление -- отжиг -- пленочные сплавы -- рентгеноструктурный анализ -- структура пленок -- схемы -- температурные режимы -- термическая обработка -- цирконий Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа исследована структура пленочного сплава Fe-Zr-N, полученного методом реактивного магнетронного напыления, в зависимости от условий напыления и от температуры последующего отжига. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Шалимова, А.В.; Усманова, Г.Ш.; Лубман, Г.У.; Крикунов, А.И.; Окатова, Г.П. |
539.2 М 42 Медведь, А. В. Измерения магнитных параметров электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта [Текст] / А. В. Медведь, Р. Г. Крышталь, А. И. Крикунов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 11. - С. 72-78. - Библиогр.: c. 77-78 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анизотропное магнетосопротивление; гигантское магнетосопротивление; коэрцитивная сила; магнетосопротивление; магнитные пленки; магниторезистивный эффект; наноразмерные пленки; обменное смещение поля перемагничивания; оси анизотропии; оси легкого намагничивания; поле перемагничивания; слоистые структуры; спин-туннельные магнитные переходы; ферромагнитные пленки; электропроводящие пленки Аннотация: Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm) -пленка Py (10 nm) , выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) , выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90{o} по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) с использованием АМС измерена величина обменного смещения поля перемагничивания, которая хорошо согласуется с результатом измерения, выполненного индукционным методом. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/11/p72-78.pdf Доп.точки доступа: Крышталь, Р. Г.; Крикунов, А. И. |
539.2 Г 944 Гуляев, Ю. В. Возможность увеличения уровня инжекции спинов током в магнитных переходах [Текст] / Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман, А. И. Крикунов, Э. М. Эпштейн // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 9. - С. 67-70. - Библиогр.: c. 70 (27 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): инжекция спинов; инжекция спинов током; магнитные переходы; поляризация электронов; спиновая поляризация; спиновая поляризация электронов; ферромагнитные пленки Аннотация: Вычислена неравновесная спиновая поляризация электронов в условиях инжекции спинов током, текущим из одной ферромагнитной пленки в другую в магнитном переходе. Показано, что при подходящем выборе параметров пленок и режима работы неравновесная спиновая поляризация может значительно возрасти. Это приводит к понижению на порядки пороговой плотности тока, необходимой для переключения магнитного перехода. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/09/p67-70.pdf Доп.точки доступа: Зильберман, П. Е.; Крикунов, А. И.; Эпштейн, Э. М. |
Ферромагнитные нанопереходы при высоком уровне инжекции спинов током [Текст] / Ю. В. Гуляев [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 11. - С. 1426-1438. - Библиогр.: с. 1438 (20 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные нанопереходы -- инжекция -- спейсеры -- фазовые переходы Аннотация: Исследовано прохождение перпендикулярного тока через "ферромагнитный нанопереход" - слоистую наноразмерную структуру спин-вентильного типа, содержащую два ферромагнитных металлических слоя, разделенных спейсером. Толщина спейсера достаточно велика, чтобы в отсутствие тока предотвращать обменную связь слоев. Вместе с тем спейсер достаточно тонкий, чтобы при наличии тока не оказывать влияния на его спиновую поляризацию. Найдены условия высокого уровня инжекции спинов током, при выполнении которых концентрация инжектированных неравновесных спинов может достигать или даже превосходить равновесную концентрацию их. Показано, что при этих условиях имеет место ряд новых эффектов: порог обменного переключения током уменьшается на порядки за счет согласования спиновых сопротивлений слоев; наложение внешнего магнитного поля вблизи ориентированного фазового перехода дополнительно уменьшает этот порог; возникает мультистабильность, когда одному значению тока соответствует несколько устойчивых неколлинеарных ориентаций намагниченности. Само переключение оказывается необратимым. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю. В.; Зильберман, П. Е.; Крикунов, А. И.; Панас, А. И.; Чигарев, С. Г.; Эпштейн, Э. М. |
Ток в системе микрозонд-тонкопленочная слоистая структура [Текст] / С. Г. Чигарев [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 6. - С. 742-746. - Библиогр.: с. 746 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): микрозонды -- слоистые структуры -- тонкопленочные структуры -- тонкопленочные слоистые структуры -- ток Аннотация: Исследован экспериментально и теоретически ток в системе проводящий микрозонд-тонкопленочная слоистая структура. Показана возможность устойчивого протекания тока плотностью до 3х10{6} А/см{2}. Установлено, что для достижения такого режима с высокой плотностью тока необходимо предварительно пропустить достаточно большой ток через образец (~200 мА). Вычислено распределение тока в исследуемой структуре, отмечается согласие с экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Чигарев, С. Г.; Крикунов, А. И.; Зильберман, П. Е.; Панас, А. И.; Эпштейн, Э. М. |