541.1 К 672 Корнев, А. Н. Трис (триметилсилил) силильная группа в органической, координационной и металлоорганической химии [Текст] / А. Н. Корнев // Успехи химии. - 2004. - Т. 73, N 11. - Библиогр.: с. 1178-1180 (230 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): трис (триметилсилил) силильная группа -- тетракис (триметилсилил) силан -- трис (триметилсилил) силаниды -- фотохимические реакции -- бор -- алюминий -- галлий -- индий -- таллий -- углерод -- кремний -- германий -- олово -- свинец -- азот -- фосфор -- кислород -- медь -- халькогены -- серебро Аннотация: Обобщены и систематизированы литературные данные по синтезу, реакционной способности и использованию органических, координационных и металлоорганических соединений, содержащих группу (Me[3]Si) [3]Si. |
537 К 597 Кокорин, В. В. Превращение между мартенситными фазами в сплаве Ni-Mn-Ga в магнитном поле [Текст] / В. В. Кокорин, А. Н. Титенко, А. Е. Перекос, Т. В. Ефимова // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.95,N6. - Библиогр.:с.28 (10 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): галлий -- магнитные поля -- марганец -- мартенситные фазы -- никель -- сплавы -- температурные режимы -- ферромагнетики -- схемы -- фазовые переходы Аннотация: Магнитными методами изучен структурный фазовый переход между мартенситными фазами в сплаве Ni-Mn-Ga. Определено влияние магнитного поля на характеристические температуры этого превращения. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Титенко, А.Н.; Перекос, А.Е.; Ефимова, Т.В. |
669 Ш 859 Шредер, Е. И. Оптические, электрические свойства и электронные характеристики сплавов Fe[2+x]V[1-x]Ga [Текст] / Е. И. Шредер, М. М. Кириллова, В. П. Дякина // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N5. - Библиогр.:с.38 (16 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): исследования -- оптические свойства -- электрические свойства -- магнитные свойства -- сплавы -- железо -- ванадий -- галлий -- металлы -- спектры -- графики -- температурная зависимость Аннотация: Представлены результаты исследования оптических, электрических и магнитных свойств сплавов Fe[2-x]V[1+x]Ga (x=-0.2-0.2). Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Кириллова, М.М.; Дякина, В.П. |
669 К 597 Кокорин, В. В. Магнитные свойства мартенситных фаз в сплаве Ni-Mn-Ga [Текст] / В. В. Кокорин, А. Е. Перекос, Т. В. Ефимова // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 2. - Библиогр.: с. 21-22 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): фазовые превращения -- низкотемпературные свойства -- никель -- марганец -- галлий -- мартенситные превращения -- магнитные поля -- магнитные свойства -- ферромагнитные сплавы Аннотация: Изучены низкотемпературные фазовые превращения в мартенситной фазе сплава Ni-Mn-Ga. Доп.точки доступа: Перекос, А. Е.; Ефимова, Т. В. |
669.017 П 318 Пешев, В. В. Введение и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 5 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): отжиги -- дефекты -- радиационные дефекты -- арсениды галлия -- галлий -- введение дефектов -- метастабильные пары -- аннигиляция -- перезарядка дефектов -- стабилизация дефектов Аннотация: В арсениде галлия скорость введения и термическая стабильность ловушек электронов в нейтральной области и области пространственного заряда существенно различаются. С увеличением энергии атомов отдачи различие в скоростях введения дефектов исчезает, а различие термической стабильности сохраняется. |
53.07 N39 Nemcsics, A. К измерению интенсивности дифракции быстрых электронов [] / A. Nemcsics, J. Olde, M. Geyer, K. Reshoft // Приборы и техника эксперимента. - 2005. - N 5. - С. 128-130. - Библиогр.: с. 130 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): цилиндр Фарадея; Фарадея цилиндр; дифракция; быстрые электроны; электронные пучки; InGaAs/GaAs; эпитаксиальные слои; галлий; мышьяк; индий Аннотация: Методом прямого измерения интенсивности электронного пучка с помощью цилиндра Фарадея изучена дифракция быстрых электронов при выращивании эпитаксиальных слоев InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Olde, J.; Geyer, M.; Reshoft, K. |
539.2 П 92 Пчеляков, О. П. Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей [] / О. П. Пчеляков, А. В. Двуреченский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 63-66. - Библиогр.: с. 66 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуум; галлий; германий; гетероструктуры; композиции; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; молекулярные пучки; мышьяк; наногетероструктуры; нанофотоника; полупроводники; преобразователи; пучки; сверхвысокий вакуум; тонкопленочные композиции; фотоэлектрические преобразователи; эпитаксия Аннотация: Проведен анализ состояния технологических разработок в области синтеза из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, который является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Паханов, Н. А.; Соколов, Л. В.; Чикичев, С. И.; Якимов, А. И. |
539.2 К 31 Кашкаров, П. К. Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках [] / П. К. Кашкаров, Л. А. Головань [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 153-159. - Библиогр.: с. 158-159 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): взаимодействия; галлий; гармоники; кремний; кристаллические полупроводники; наноструктурирование; наноструктурированные полупроводники; наноструктуры; нанофотоника; нелинейно-оптические взаимодействия; оптические гармоники; полупроводники; травление; фосфид галлия; электрохимическое травление Аннотация: Обсуждаются способы увеличения эффективности генерации второй и третьей оптических гармоник в наноструктурах кремния и фосфида галлия, сформированных с помощью электрохимического травления кристаллических полупроводников. Доп.точки доступа: Головань, Л. А.; Заботнов, С. В.; Мельников, В. А.; Круткова, Е. Ю.; Коноров, С. О.; Федотов, А. Б.; Бестемьянов, К. П.; Гордиенко, В. М.; Тимошенко, В. Ю.; Желтиков, А. М.; Петров, Г. И.; Яковлев, В. В. |
539.2 А 39 Акимов, Б. А. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe (Ga [] / Б. А. Акимов, В. А. Богоявленский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 160-163. - Библиогр.: с. 163 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): валентность; галлий; легирование; нанофотоника; переменная валентность; пленки; рекомбинация; слои; теллур; фотопроводимость; цинк; эпитаксиальные пленки; эпитаксиальные слои Аннотация: Приведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe (Ga) , синтезированных методом "горячей стенки". Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях. Доп.точки доступа: Богоявленский, В. А.; Васильков, В. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
539.2 М 91 Мустафаева, С. Н. Проводимость по локализованным состояниям в монокристалле твердого раствора TlGa (0. 5) Fe (0. 5) Se (2 [] / С. Н. Мустафаева, Э. М. Керимова, А. И. Джаббарлы // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 208-209. - Библиогр.: с. 209 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): галлий; диэлектрики; естественные слои; железо; локализованные состояния; монокристаллы; перескоковая проводимость; полупроводники; поля; проводимость; растворы; селен; слои; таллий; твердые растворы; электрические поля Аннотация: Установлено, что в температурной области 128-178 К в слоистом монокристалле твердого раствора TlGa (0. 5) Fe (0. 5) Se (2) вдоль его естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место перескоковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Доп.точки доступа: Керимова, Э. М.; Джаббарлы, А. И. |
539.2 Д 18 Данилов, Ю. А. Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца [] / Ю. А. Данилов, А. В. Круглов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 9. - С. 1567-1570. - Библиогр.: с. 1570 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия; атомно-силовая микроскопия; галлий; имплантация; ионы марганца; Керра эффект; кластеры; легирование; магнитные свойства; магнитооптический эффект Керра; микроскопия; морфология поверхности; формирование кластеров; эффект Керра Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и магнитооптического эффекта Керра при комнатной температуре исследованы морфология поверхности и магнитные свойства арсенида галлия, облученного ионами марганца. Доп.точки доступа: Круглов, А. В.; Behar, M.; Santos, M. S.; Pereira, L. G.; Schmidt, J. E. |
539.2 М 91 Мустафаева, С. Н. Фотоэлектрические и рентгендозиметрические свойства монокристаллов TlGaS[2]{Yb} [Текст] / С. Н. Мустафаева // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1937-1945. - Библиогр.: с. 1945 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): амплитуда фототока; галлий; иттербий; легирование иттербием; монокристаллы; примесный фототок; рентгендозиметрические свойства; спектральная чувствительность; спектры; фототок; фотоэлектрические свойства; чувствительность Аннотация: В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGa[1-x]Yb[x]S[2] (x=0, 0. 01) установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока. |
539.2 А 92 Атабаев, И. Г. О возможности определения диффузионной длины экситонов в полупроводниках на основе данных фотомагнитных измерений [Текст] / И. Г. Атабаев, Н. А. Матчанов, М. У. Хажиев, Д. Саидов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1946-1949. - Библиогр.: с. 1949 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): галлий; диффузионная длина; длины экситонов; кремний; магнитные поля; мышьяк; полупроводники; полупроводниковые образцы; солнечные элементы; фотомагнитные измерения; фототок; экситоны Аннотация: Представлены результаты исследований влияния магнитного поля на фототок I[ph] в Si и GaAs солнечных элементах. Показано, что изменение фототока I[ph] солнечных элементов в магнитном поле может быть связано с уменьшением диффузионной длины экситонов L (exс) . Предложена упрощенная модель фотомагнитного эксперимента для оценки L (exс) и вклада экситонов в фототок солнечных элементов. Доп.точки доступа: Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Саидов, Д. |
539.2 Л 33 Лебедев, М. В. Механизм адсорбции молекул H[2]S на поверхности GaAs (100) : квантово-химический анализ из первых принципов [Текст] / М. В. Лебедев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 1. - С. 152-158. - Библиогр.: с. 158 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция; адсорбция молекул; галлий; диссоциативная адсорбция; квантово-химический анализ; механизм адсорбции; молекулы водорода; молекулярная адсорбция Аннотация: Для изучения механизма адсорбции молекулы H[2]S на галлиевую поверхность GaAs (100) проводились квантово-химические кластерные расчеты из первых принципов в рамках теории функционала плотности. Показано, что адсорбция может проходить четыре стадии. Определены энергии стационарных состояний и энергетические барьеры для переходов между этими состояниями. |
534 М 24 Маняхин, Ф. И. Динамически-емкостной метод измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в полупроводниковых материалах типа А{III}В{V}, подвергаемых ультразвуковому воздействию [Текст] / Ф. И. Маняхин, Е. К. Наими, О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2006. - Т. 72, N 5. - С. 20-25. - Библиогр.: с. 25 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм--Акустика Кл.слова (ненормированные): GaP (N); азот; галлий; динамически-емкостной метод; зарядовые центры; методы диагностики; методы измерения; неразрушающий контроль; полупроводниковые материалы; светодиоды; ультразвуковое воздействие; фосфид галлия; фосфор Аннотация: Предложен новый неразрушающий метод диагностики структуры полупроводниковых материалов на примере GaP (N) , подвергаемых ультразвуковому воздействию. Доп.точки доступа: Наими, Е. К.; Рабинович, О. И.; Сушков, В. П. |
66 Г 22 Гасанов, З. Г. Влияние ванадия на извлечение галлия из алюминатных растворов на галламном электроде [Текст] / З. Г. Гасанов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 56-58. - Библиогр.: с. 58 (6 назв. ). - Ил.: 4 рис. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Химическая технология--Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): галлий; извлечение галлия; ванадий; извлечение металлов; алюминатные растворы; галламные электроды Аннотация: Работа посвящена решению проблем технологии галлия. |
546 Г 29 Гейдаров, Б. А. Исследование диаграммы состояния системы CaSe-J[2] [Текст] / Б. А. Гейдаров // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 102-103. - Библиогр.: с. 103 (5 назв. ). - Ил.: 3 рис., 1 табл. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): полупроводники; иодиды галлия; селениды галлия; галлий; селен Аннотация: Приведены результаты представленного исследования и построена диаграмма состояния системы. |
543 Г 29 Гейдаров, Б. А. Химичексий анализ промежуточных продуктов при получении GaS, GaSe с участием йода [Текст] / Б. А. Гейдаров // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 110-111 . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Аналитическая химия Кл.слова (ненормированные): промежуточные продукты; галлий; селен; сера; химический анализ; йод Аннотация: Работа посвящена исследованию промежуточных продуктов GaS, GaSe с применением йода. |
547 А 50 Алиева, Р. А. Изучение новых комплексных соединений алюминия (III) , галлия (III) , индия (III спектрофотометрическим методом [Текст] / Р. А. Алиева, Ф. С. Алиева, Ф. М. Чырагов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2005. - Т. 48, N 1. - С. 93-95. - Библиогр.: с. 95 (3 назв. ). - Ил.: 2 табл. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Органическая химия Кл.слова (ненормированные): комплексные соединения; алюминий; галлий; индий; спектрофотометрические методы; металлы; аналитические реагенты Аннотация: Работа посвящена проблеме аналитических реагентов для фотометрического определения ряда металлов. Доп.точки доступа: Алиева, Ф. С.; Чырагов, Ф. М. |
541 К 89 Кузнецова, О. В. Эффекты заместителей в донорно-акцепторных комплексах с координационными связями D стремится к A (D = N, O, S; A = B, Al, Ga, Sn, Sb) и родственных системах [Текст] / О. В. Кузнецова, А. Н. Егорочкин, О. В. Новикова // Журнал общей химии. - 2006. - Т. 76, N 4. - С. 584-592. - Библиогр.: с. 592 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия--Общая химия. Теоретическая химия Кл.слова (ненормированные): эффекты заместителей; донорно-акцепторные комплексы; координационные связи; азот; кислород; сера; алюминий; галлий; родственные системы; комплексообразование; квантовая химия Аннотация: Сравнительно изучены эффекты заместителей в узких сериях донорно-акцепторных комплексов с координационными связями D стремится к A (D = N, O, S; A = B, Al, Ga, Sn, Sb) и родственных системах (H-комплексы и комплексы с переносом заряда) . Доп.точки доступа: Егорочкин, А. Н.; Новикова, О. В. |