621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов. |
53 И 390 Израилева, Л. К. О возможной неустойчивости отжига дефектов [Текст] / Л. К. Израилева, авт. Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 79-80 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): облучение кристалла -- точечные дефекты -- отжиг дефектов -- рекомбинация точечных дефектов Аннотация: Исследуется рекомбинация созданных облучением точечных дефектов при учете механических напряжений сигма. Получено значение критической плотности дефектов N[c], показано, что при N > N[c] процесс начинает ускоряться. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |
Израилева, Л. К. Влияние деформаций на поведение системы дефектов в кристалле при облучении и отжиге [Текст] / Л. К. Израилева, Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 27-28
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг дефектов -- сжимающие напряжения -- имплантированные атомы -- ионная имплантация Аннотация: Теоретически исследован отжиг дефектов в условиях сжимающих напряжений - ? [0] \<\ 0, созданных имплантированными атомами с плотностью N. Показано, что отжиг ускоряется при N, превышающих критическое значение N[c]. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |
621.315.592 Ф 796 Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия p-типа [Текст] / В. В. Литвинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 629-632 : ил. - Библиогр.: с. 631 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- дефекты -- легирование оловом -- олово -- кристаллы германия -- облучение электронами -- электронное облучение -- температура нагрева -- акцепторные примеси -- ионизация дырок -- электрические свойства Аннотация: Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия p-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge: Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0. 16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30-75 °C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110-150 °C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при E[v]+0. 29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p629-632.pdf Доп.точки доступа: Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б. |