621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Магнитные параметры кристаллов Hg[1-x]Mn[x]Se[1-y]S[y] и Hg[1-x]Mn[x]Te[1-y]S[y] [Текст] / П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 68 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): магнитные явления -- физика магнитных явлений -- магнитная восприимчивость -- кластеры -- кластерная подсистема -- кристаллы Аннотация: Проведены исследования полумагнитных полупроводниковых твердых растворов Hg[1-x]Mn[x]Se и Hg[1-x]Mn[x]Te[1-y]Se[y]. |
621.3.08 М 307 Марьянчук, П. Д. Зонная структура и доминирующие механизмы рассеяния электронов в Hg[1-x-y] Mn[x]Fe[y]Se [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Л. М. Яблоновская // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 3. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): зонные параметры; межзонные переходы; механизмы рассеяния электронов; оптические фононы; рассеяние электронов Аннотация: В интервале температур T = 77-300 К при H примерно равной 0, 5-6 кЭ исследованы магнитные и кинетические свойства, а также спектры пропускания и поглощения кристаллов Hg[1-х-y]Mn[x]Fe[y]Se[0, 09 Доп.точки доступа: Яблоновская, Л. М. |
621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Гигантское магнитосопротивление в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Te [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Э. В. Майструк // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 28-33. - Библиогр.: c. 33 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антиферромагнитные кластеры -- гигантское магнитосопротивление -- кристаллы Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те -- магнитосопротивление -- полупроводники -- ферромагнитные кластеры Аннотация: Гигантское магнитосопротивление обусловлено наличием в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те кластеров с ''антиферромагнитным'' и ''ферромагнитным'' упорядочением. Эффект гигантского магнитосопротивления связан с тем, что носители заряда, которые принимают участие в электрическом токе, взаимодействуют с намагниченной до насыщения ''ферромагнитной'' кластерной подсистемой и становятся спин-поляризованными. Именно такие носители заряда сильно рассеиваются на ''антиферромагнитных'' кластерах, поскольку магнитные моменты внутри кластеров и результирующие магнитные моменты этих кластеров имеют хаотическую ориентацию. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов до и после термообработки показали отсутствие существенной связи между гигантским магнитосопротивлением и концентрацией носителей заряда, их подвижностью и зонными параметрами, полученными до и после термообработки кристаллов. Доп.точки доступа: Майструк, Э. В. |
621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Магнитные свойства кристаллов H[g1-x]Mn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- интервал температур -- атомы -- полупроводники Аннотация: Магнитные восприимчивость ( ) кристаллов H[g1-x]Mn[x]S исследована в интервале температур = 77-300 К при Н = 4кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах компонент. Установлено, что особенности обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах компонент приводит к изменению размеров существующих в кристалле кластеров и даже к "рассасыванию" включений второй фазы. Доп.точки доступа: Андрущак, Г. О. |
Марьянчук, П. Д. Магнитные и зонные параметры кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[3]) [x] (х = 0, 5), легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, И. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 55-60. - Библиогр.: c. 60 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Магнетизм Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кластеры -- кристаллы -- легирование марганцем -- магнитная восприимчивость кристаллов -- магнитные свойства кристаллов -- электропроводность кристаллов Аннотация: Исследования магнитной восприимчивости (хи) кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[з]) [х] (х = 0, 5), легированных марганцем, проведенные методом Фарадея в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 25--4 кЭ, показали, что особенности магнитных свойств могут быть обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S. На основе исследований кинетических коэффициентов кристаллов, проведенных в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 5-5 кЭ, установлено что кристаллы проявляют n-тип проводимости, их электропроводность очень слабо зависит от температуры и имеет максимум, коэффициент Холла не зависит от температуры, а температурные зависимости подвижности имеют максимум. Из концентрационной зависимости эффективной массы электронов на уровне Ферми определена ширина запрещенной зоны, матричный элемент межзонного взаимодействия, эффективная масса электрона на дне зоны проводимости. На основе оптических исследований установлено наличие в кристаллах прямых межзонных оптических переходов и определена (при Т= 300 К) величина оптической запрещенной зоны. Доп.точки доступа: Козярский, И. П. |
Марьянчук, П. Д. Кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Нg[1-x]Мn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 93-95. - Библиогр.: c. 95 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): кинетические коэффициенты кристаллов -- кристаллы -- магнитная восприимчивость кристаллов -- полумагнитные полупроводниковые твердые растворы Аннотация: В статье рассмотрены кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Нg[1-x]Мn[x]S. Доп.точки доступа: Андрущак, Г. О. |
539.21:535 Б 892 Брус, В. В. Оптические свойства тонких пленок TiO[2]-MnO[2], изготовленных по методу электронно-лучевого испарения [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 8. - С. 110-113. - Библиогр.: c. 113 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- электронно-лучевое испарение -- непрямозонные полупроводники -- толщина пленок -- диоксид титана -- диоксид марганца -- легирование -- показатель преломления -- коэффициенты поглощения -- коэффициенты экстинкции -- спектры пропускания Аннотация: Определены оптические постоянные и толщина пленок TiО[2]-MnO[2] (содержание MnO[2]: 0, 1, 5%), изготовленных методом электронно-лучевого испарения. Наблюдалась существенная зависимость оптических свойств тонких пленок TiО[2] от содержания марганца. Установлено, что тонкие пленки TiО[2]-MnO[2] являются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны Eg: 3. 43 eV (TiО2), 2. 89 eV (TiO[2]-MnO[2] (1%) ) и 2. 73 eV (TiO[2]-MnO[2] (5%) ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/08/p110-113.pdf Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д. |
621 М 307 Марьянчук, П. Д. Механизмы рассеяния электронов в кристаллах (3HgSe) [1-x] (Al[2]Se[3]) [x], легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Д. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 12. - С. 93-95. - Библиогр.: c. 95 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- легирование марганцем -- механизмы рассеяния электронов -- полупроводники -- рассеяния электронов на оптических фонах Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния электронов в кристаллах, легированных марганцем. Доп.точки доступа: Козярский, Д. П. |
621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Электрофизические и оптические свойства кристаллов (3HgSe) [1] - [x] (Al[2]Se[3]) [x], легированных маргенцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Д. П. Козярский // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 5. - С. 528-531 : Рис. 6, табл. 1. - Библиогр.: с. 531 (7 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства кристаллов -- опитические свойства кристаллов -- кристаллы -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электропроводность -- термо-ЭДС -- термо-электродвижущая сила Аннотация: Исследованы кинетические и оптические характеристики кристаллов (3HgSe) [1]-[x] (Al[2]Se[3]) [x]Х (Mn) и их зонные параметры. Кинетические коэффициенты данных кристаллов изучены в интервалах Т = 77-300 K и Н = 40-400 кА/м четырезондовым методом, пропускания - при Т = 300 K. Установлено, что коэффициент Холла не зависит от температуры, электропроводность имеет металлический характер и почти линейно зависит от температуры, термо-ЭДС увеличивается с ростом температуры. Доп.точки доступа: Козярский, Д. П. |
621.315.592 Э 454 Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdZnO/p-CdTe [Текст] / В. В. Брус [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1175-1180 : ил. - Библиогр.: с. 1179-1180 (33 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): анизотипные поверхностно-барьерные гетеропереходы -- поверхностно-барьерные гетеропереходы -- гетеропереходы -- электрические свойства -- высокочастотное распыление -- метод высокочастотного распыления -- тонкие пленки -- твердые растворы -- токоперенос -- монокристаллы -- теллурид кадмия -- TeCd -- эмиссия Френкеля - Пула -- Френкеля - Пула эмиссия -- туннельно-рекомбинационный механизм -- туннелирование -- границы разделов -- поверхностные состояния Аннотация: Изготовлены анизотипные поверхностно-барьерные гетеропереходы n-Cd[0. 5]Zn[0. 5]O/p-CdTe методом высокочастотного распыления тонкой пленки твердого раствора Cd[0. 5]Zn[0. 5]O на свежесколотую поверхность монокристаллического CdTe. Исследованы основные электрические свойства гетеропереходов и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм при прямом смещении, эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование при обратном смещении. Также проанализировано влияние поверхностных электрически активных состояний на границе раздела гетероперехода и оценена их поверхностная концентрация: N[ss]~10{14} см{-2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1175-1180.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Илащук, М. И.; Хомяк, В. В.; Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д.; Ульяницкий, К. С. |
621.315.592 М 550 Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах n-TiO[2]/p-CdTe [Текст] / В. В. Брус [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1109-1113 : ил. - Библиогр.: с. 1113 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- гетеропереходы -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- напыление пленок -- диоксид титана -- монокристаллические пластины -- поверхность пластин -- теллурид кадмия -- метод реактивного магнетронного распыления -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- энергетические уровни -- туннелирование -- потенциальные барьеры -- примесные центры Аннотация: Поверхностно-барьерные анизотипные гетеропереходы n-TiO[2]/p-CdTe изготовлены напылением тонких пленок диоксида титана на свежесколотую поверхность монокристаллических пластин теллурида кадмия методом реактивного магнетронного распыления. Установлено, что электрический ток через исследуемые гетеропереходы формируется с помощью генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда через глубокий энергетический уровень, а также туннелированием сквозь потенциальный барьер. Определены глубина залегания и природа примесных центров, принимающих участие в токопереносе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1109-1113.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Илащук, М. И.; Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д.; Ульяницкий, К. С.; Грицюк, Б. Н. |
621.315.592 М 307 Марьянчук, П. Д. Магнитные, электрические и оптические свойства кристаллов (HgS)[1.5](Al[2]S[3])[0.5]Mn и (HgS)[1.5](In[2]S[3])[0.5]Mn / П. Д. Марьянчук, авт. И. П. Козярский // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 7. - С. 755-761 : 6 рис. - Библиогр.: с. 761 (9 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства -- электрические свойства -- оптические свойства -- метод Фарадея -- Фарадея метод -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- твердые растворы -- магнитная восприимчивость Аннотация: Изучены магнитные, электрические и оптические свойства кристаллов (HgS) [1. 5] (Al[2]S[3]) [0. 5]Mn и (HgS) [1. 5] (In[2]S[3]) [0. 5]Mn и их зонные и магнитные параметры. Доп.точки доступа: Козярский, И. П. |
621.315.592 Э 454 Электрические и оптические свойства тонких пленок TiO[2] и TiO[2]:Fe / М. Н. Солован [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 10. - С. 1154-1160 : 7 рис. - Библиогр.: с. 1160 (15 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- электрические свойства -- оптические свойства -- TiO[2] -- TiO[2]: Fe -- метод электронно-лучевого испарения -- легирование -- термическая обработка Аннотация: Методом электронно-лучевого испарения получены тонкие пленки TiO[2] и TiO[2]: Fe. Исследовано влияние легирования и термической обработки на электрические и оптические свойства тонких пленок. Доп.точки доступа: Солован, М. Н.; Марьянчук, П. Д.; Брус, В. В.; Парфенюк, О. А. |
621.315.592 К 563 Ковалюк, Т. Т. Магнитные, кинетические и оптические свойства кристаллов Hg[1 – х – у]Mn[х]Dy[у]Te / Т. Т. Ковалюк, Э. В. Майструк, П. Д. Марьянчук // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 5. - С. 468-472 : 7 рис. - Библиогр.: с. 472 (7 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства -- кинетические свойства -- оптические свойства -- кристаллы -- твердые растворы -- магнитная восприимчивость -- оптическая запрещенная зона Аннотация: Исследованы магнитные, кинетические и оптические свойства кристаллов Hg[1 – х – у]Mn[х]Dy[у]Te. Показано, что особенности магнитной восприимчивости обусловлены наличием в кристаллах кластеров разных размеров. Установлено, что кристаллы Hg[1 – х – у]Mn[х]Dy[у]Te имеют n-тип проводимости. Из оптических исследований определена величина оптической запрещенной зоны. Доп.точки доступа: Майструк, Э. В.; Марьянчук, П. Д. |
539.2 М 842 Мостовой, А. И. Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах n-ТiО[2]/p-Si / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 788-792 : ил. - Библиогр.: с. 792 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотипные гетеропереходы -- магнетронное напыление -- метод магнетронного напыления -- напыление пленок -- пленки -- подложки -- поликристаллический кремний -- электрические свойства -- поверхностные состояния -- механизмы -- туннельно-рекомбинационные механизмы -- границы раздела -- туннелирование -- обратные токи -- токи -- гетеропереходы Аннотация: Изготовлены анизотипные гетеропереходы n-ТiО[2]/p-Si методом магнетронного напыления пленки ТiО[2] на полированную подложку поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства, и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO[2]/Si при малых прямых смещениях V, туннелирование при V больше 0. 6 В. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Anisotype heterojunctions n-TiO[2]/p-Si were fabricated by TiO[2] thin films deposition onto poly-Si substrates using the magnetron sputtering technique. Electrical properties of the heterojunctions were investigated and the dominating transport mechanisms were established: multistep tunnel-recombination via surface states at the metallurgical interface TiO[2]/Si under low forward bias V; tunneling at forward bias V > 0. 6V. The reverse current through the heterojunctions under investigation was analyzed within the tunnel mechanism. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p788-792.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д. |
539.2 С 602 Солован, М. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1185-1190 : ил. - Библиогр.: с. 1189-1190 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фоточувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- тонкие пленки -- нитрид титана -- TiN -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- пластины кремния Аннотация: Фоточувствительные гетероструктуры n-TiN/p-Si изготовлены напылением тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на полированные поликристаллические пластины кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода n-TiN/p-Si. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc]=0. 4 B и ток короткого замыкания I[sc]=1. 36 мА/см{2} при освещении с плотностью мощности 80 мВт/см{2}. Photosensitive heterojunctions n-TiN/p-Si were prepared by deposition of titanium nitride thin film (n-type conductivity) using the DC reactive magnetron sputtering onto polished polycrystalline silicon substrate with p-type conductivity. The current-voltage characteristics of the heterojunctions under investigation were measured at different temperatures. The temperature dependence of the potential barrier height and the series resistance of the n-TiN/p-Si heterojunctions were investigated. The dominating mechanisms of current transport through the heterojunctions were determined under forward and reverse biases. The heterojunctions produce the open circuit voltage V[oc] = 0. 4V and the short circuit current I[sc] = 1. 36mA/cm{2} under illumination with power density 80mW/cm{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1185-1190.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкое отделение Института проблем материаловедения Национальной академии наук УкраиныЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина) |
621.315.592 Б 892 Брус, В. В. Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 108-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- диоксид титана -- окислы металлов -- полупроводниковые гетероструктуры -- фосфид галия Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д. |
621.315.2/.3 О-627 Оптические свойства кристаллов Hg_1-x-yCd_xD_ySe / Т. Т. Ковалюк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 98-103 : рис. - Библиогр.: c. 103 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Кл.слова (ненормированные): коэффициенты поглощения -- кристаллы -- оптические коэффициенты -- оптические свойства -- оптические свойства кристаллов -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Представлены результаты исследований оптических свойств кристаллов HgHg_1-x-yCd_xD_ySe, полученных методом Бриджмена. На основе независимых измерений коэффициентов отражения и пропускания, проведенных с помощью спектрометра Nicolet 6700 при Т = 300 К в интервале длин волн 0, 9 =<гамма=<26, 6 мкм, определены значения показателя преломления, поглощения и коэффициента поглощения для исследуемых кристаллов. На основе зависимостей установлено, что в кристаллах происходят прямые разрешенные межзонные оптические переходы и определены значения ширины запрещенной зоны. Влияние температуры на коэффициент пропускания и ширину запрещенной зоны было исследовано в интервале Т = 118-297 К. Доп.точки доступа: Ковалюк, Т. Т.; Марьянчук, П. Д.; Майструк, Э. В.; Козярский, Д. П. |
539.21:537 Э 454 Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p- Hg[3]In[2]Te[6] / М. Н. Солован [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 6. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- нитрид титана -- TiN -- магнетронное распыление -- монокристаллические пластины -- ток короткого замыкания Аннотация: Впервые получены фоточувствительные анизотипные гетероструктуры n-TiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] путем напыления тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины Hg[3]In[2]Te[6] p-типа проводимости. Установлено, что гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc]=0. 52 V, ток короткого замыкания I[ic]=0. 265 mA/cm{2} и коэффициент заполнения FF=0. 39 при освещении 80 mW/cm{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/06/p1-6.pdf Доп.точки доступа: Солован, М. Н.; Майструк, Э. В.; Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина) |
537 С 602 Солован, М. Н. Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура n-TiN/n-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 232-236 : ил. - Библиогр.: с. 236 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- метод реактивного магнетронного распыления -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- потенциальные барьеры -- нитрид титана -- TiN -- гетеропереходы -- поверхностные состояния Аннотация: Изготовлены гетероструктуры n-ТiN/n-Si методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурная зависимость высоты потенциального барьера и последовательное сопротивление гетероперехода. Построена энергетическая диаграмма исследуемых гетеропереходов. Оценена концентрация поверхностных состояний гетероперехода, которая составляет 2. 67 x 10{13} см{-2}. Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереходы n-ТiN/n-Si при прямых и обратных смещениях хорошо описываются в рамках туннельной и эмиссионной моделей. Heterojunctions n-TiN/n-Si were fabricated by reactive magnetron sputtering. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at different temperatures. The temperature dependences of the height of the potential barrier and series resistance of the heterojunctions were investigated. The energy diagram of the heterojunctions under investigation was build. The concentration of surface states was estimated at the heterojunction interface, which is equal to 2. 67 x 10{13} cm{-2}. The dominating current transport mechanisms through the n-TiN/n-Si heterojunctions at the forward and reverse biases were established to be well described in the scope of the tunnel and emission models. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p232-236.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Юрия ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |