621.38
В 573


   
    Владимир Тимофеевич Бублик [Текст] : к 70-летию со дня рождения // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 9. - Бублик . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
   Техника--Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
материаловедение полупроводников -- микродефекты -- микроэлектроника -- полупроводники -- радиационное воздействие -- сплавы -- сталь -- точечные дефекты -- юбилеи
Аннотация: Рассматривается научная и педагогическая деятельность Владимира Тимофеевича Бублика - профессора кафедры материаловедения полупроводников Московского института стали и сплавов.


Доп.точки доступа:
Бублик, Владимир Тимофеевич профессор, доктор физ.-мат. наук (профессор, доктор физ.-мат. наук ; 1934-)


539.2
К 900


    Кулагина, В. В.
    Влияние дефектов структуры на мартенситные превращения в системах с низкими упругими модулями [Текст] / В. В. Кулагина // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N2. - Библиогр.: с.38-39 (30 назв.). - Эволюция дефектных структур в конденсированных средах (тематический выпуск) . - ISSN 0021-3411
УДК
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
мартенситные превращения -- точечные дефекты -- реорганизация системы -- дефекты упаковки -- фазовые превращения
Аннотация: В рамках метода молекулярной динамики Паринелло-Рахмана, допускающего изменение объема и формы моделирующего блока, построена расчетная схема, позволяющая исследовать значительную структурную реорганизацию системы под действием произвольного тензора напряжений. Исследовано влияние типа, симметрии и взаимодействия регулярно расположенных комплексов точечных дефектов, а также дефектов упаковки на устойчивость решетки и реализацию мартенситного превращения в ОЦК- и В2-структурах. Показано, что в зависимости от типа и симметрии дефекты могут как стабилизировать исходную структуру, так и способствовать ее неустойчивости и развитию превращения по сдвиговому механизму. Установлено, что в предмартенситном состоянии, когда система находится на границе своей стабильности, взаимодействие полей деформации, возникающих в окрестности дефектов, может оказать влияние на выбор возможного пути мартенситного перехода



669.017:539.213
Д 369


    Дерягин, А. И.
    Явление механо-индуцированного атомного расслоения в сплавах при холодной пластической деформации [Текст] / А. И. Дерягин, В. А. Завалишин, В. В. Сагарадзе, А. Р. Кузнецов // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N2. - Библиогр.: с.82 (23 назв.). - Эволюция дефектных структур в конденсированных средах (тематический выпуск) . - ISSN 0021-3411
УДК
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аустенитные стали -- атомное расслоение -- точечные дефекты -- сегрегации -- деформация
Аннотация: Исследовано низкотемпературное (24`С) перераспределение никеля при сильной холодной деформации (епсилон>9) сдвигом под высоким давлением 8ГПа в стабильных аустенитных сталях Х12Н30 и Х12Н40. Деформационно-индуцируемое атомное расслоение ГЦК-сплавов фиксируется по повышению намагниченности сплавов и появлению ферромагнитных микрообластей с существенно более высокими значениями температуры Кюри. Количественные оценки показали, что механо-индуцированное перераспределение легирующих элементов можно описать системой уравнений для диффузионных потоков образующихся точечных дефектов на стоки, что вызывает, как и в случае облучения, образование радиационно-индуцированных сегрегаций на межзеренных границах


Доп.точки доступа:
Завалишин, В.А.; Сагарадзе, В.В.; Кузнецов, А.Р.


621.785.3:669.782
А 799


    Ардышев, М. В.
    Влияние точечных дефектов на активиционные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами Si{28} [Текст] / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 65 ( 14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 30
Рубрики: Техника--Общие вопросы техники
Кл.слова (ненормированные):
точечные дефекты -- ионнолегированные слои -- диффузия -- электроны -- отжиг
Аннотация: Показано, что при РО формируются ИЛС при существенно меньших температурах отжига. Проведенные расчеты показывают, что генерируемые облучением пары Френкеля (ПФ) отвественны за указанные эффекты.


Доп.точки доступа:
, В. М. Ардышев


621.315.592
П 318


    Пешев, В. В.
    Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.29
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование
Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов.



537
С 770


    Старенченко, В. А.
    Генерация и накопление точечных дефектов в сплавах со сверхструктурой L1[2] при пластической деформации [Текст] / В. А. Старенченко, О. Д. Пантюхова, Ю. В. Соловьева // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 97, N 6. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3230
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- точечные дефекты -- пластические деформации -- математические модели -- сплавы -- аннигиляция
Аннотация: Построена математическая модель кинетики накопления деформационных точечных дефектов (междоузельных атомов и вакансий) , возникающих в процессе деформации сплавов со сверхструктурой L1[2].


Доп.точки доступа:
Пантюхова, О. Д.; Соловьева, Ю. В.


669.017
Л 887


    Лысова, Г. В.
    Сегрегация вблизи поверхности ферритно-мартенситной стали после облучения ионами гелия [Текст] / Г. В. Лысова, Г. А. Биржевой, Н. П. Соловьев, Н. И. Храмушин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 34.2
Рубрики: Машиностроение--Металловедение
Кл.слова (ненормированные):
сегрегация -- стали -- сплавы -- ферритно-мартенситные стали -- мартенситные стали -- облучение -- гелий -- ионы гелия -- флюенсы -- точечные дефекты -- исследования
Аннотация: Исследована радиационно-индуцированная поверхностная сегрегация компонентов ферритно-мартенситной стали после облучения ионами He{+} с энергией 30 и 70 кэВ при температуре 450 градусов Цельсия флюенсами.


Доп.точки доступа:
Биржевой, Г. А.; Соловьев, Н. П.; Храмушин, Н. И.


669
Л 887


    Лысова, Г. В.
    Сравнительный анализ механизмов сегрегации хрома вблизи поверхности сплава Fe-9Cr и хромистой ферритно-мартенситной стали после облучения ионами He{+} [Текст] / Г. В. Лысова, Г. А. Биржевой, Н. П. Соловьев, Н. И. Храмушин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 34.3
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы
Кл.слова (ненормированные):
сегрегация -- механизмы сегрегации -- хром -- хромистые мартенситные стали -- ферритно-мартенситные стали -- мартенситные стали -- стали -- облучение ионами -- ионы -- точечные дефекты
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследована радиационно-индуцированная сегрегация основных элементов вблизи свободной поверхности образцов сплава Fe-9Cr и хромистой ферритно-мартенситной стали после облучения ионами He+ с энергией 30 кэВ при температуре 450 градусов Цельсия флюенсами. Обнаружен эффект повышения концентрации хрома вблизи поверхности и в области максимума распределения радиационных повреждений.


Доп.точки доступа:
Биржевой, Г. А.; Соловьев, Н. П.; Храмушин, Н. И.


546
К 659


    Копылов, В. Б.
    Конфигурационная неустойчивость и химическая структура точечных дефектов в диоксиде титана [Текст] / В. Б. Копылов, Е. В. Сергеев, Ю. Ю. Гавронская // Журнал общей химии. - 2007. - Т. 77, вып. 10. - С. 1748-1749. - Библиогр.: с. 1749 . - ISSN 0044-460X
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Неорганическая химия

Кл.слова (ненормированные):
Титан -- Точечные дефекты -- Химическая структура -- Элементы четвертой группы -- Диоксид титана -- Конфигурационная неустойчивость
Аннотация: Изучены конфигурационная неустойчивость и химическая структура точечных дефектов в диоксиде титана.


Доп.точки доступа:
Сергеев, Е. В.; Гавронская, Ю. Ю.


539.2
А 920


    Атабаев, Б. Г.
    Исследование образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности растущей пленки LiF/Si (111) при облучении электронами [Текст] / Б. Г. Атабаев, С. Гаипов, У. Б. Шаропов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 52-55 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочная система LiF/Si (111) -- точечные дефекты -- облучение электронами
Аннотация: Методом спектроскопии полного тока исследованы дозовая и энергетическая зависимости генерации элементарных F-центров и их последующей агрегации в тонкопленочной системе LiF/Si (111) при облучении медленными электронами с энергией до 80 эВ. Облучение проводилось в двух режимах: во время роста пленки LiF и после его окончания. Показано, что с увеличением энергии электронов в пленке создаются нанокластеры Li[4] и ионизованные центры F[3]\{+\}, F[2]\{+\}. Предложен механизм образования центров на поверхности пленки LiF.


Доп.точки доступа:
Гаипов, С.; Шаропов, У. Б.


53
И 390


    Израилева, Л. К.
    О возможной неустойчивости отжига дефектов [Текст] / Л. К. Израилева, авт. Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 79-80 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
облучение кристалла -- точечные дефекты -- отжиг дефектов -- рекомбинация точечных дефектов
Аннотация: Исследуется рекомбинация созданных облучением точечных дефектов при учете механических напряжений сигма. Получено значение критической плотности дефектов N[c], показано, что при N > N[c] процесс начинает ускоряться.


Доп.точки доступа:
Руманов, Э. Н.


539.2
К 850


    Крылов, П. Н.
    Локально-неравновесная модель дальнодействия при ионном облучении [Текст] / П. Н. Крылов, авт. А. А. Лебедева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 67-71. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
ионное обучение -- облучение материалов -- бездислокационные материалы -- точечные дефекты -- локально-неравновесная модель дальнодействия
Аннотация: На основе принципов расширенной необратимой термодинамики введен параметр порядка, характеризующий неравновесность состояния среды, и получены уравнения, описывающие процессы генерации и распространения точечных дефектов в облученных бездислокационных материалах. С помощью механической аналогии исследованы стационарные решения полученных уравнений.


Доп.точки доступа:
Лебедева, А. А.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность)


669
В 155


    Валикова, И. В.
    Моделирование характеристик, определяющих влияние давления на концентрацию и диффузионную подвижность вакансий в ОЦК-металлах. Новый подход [Текст] / И. В. Валикова, авт. А. В. Назаров // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 6. - С. 578-586. - Библиогр.: с. 585-586 (29 назв. ) . - ISSN 0015-3230
УДК
ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
   Общая технология металлов

Кл.слова (ненормированные):
ОЦК-металлы -- молекулярная статика -- диффузионные свойства -- металлы -- точечные дефекты -- высокие давления
Аннотация: Работа посвящена разработке новой модели, основанной на методе молекулярной статики, для изучения диффузионных свойств точечных дефектов в металлах.


Доп.точки доступа:
Назаров, А. В.




    Максимов, С. К.
    Псевдодвойникование в La[2]CaF[8] и проблема структурной организации нестехиометрических фаз [Текст] / С. К. Максимов // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 416, N 1, сентябрь. - С. 43-46. - Библиогр.: с. 46 (8 назв. ) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
нестехиометрические соединения -- точечные дефекты -- нестехиометрические фазы -- тонкие кристаллы -- упорядочивающиеся сплавы
Аннотация: Цель настоящего сообщения обратить внимание на специфику упорядоченных структур и ее дифракционные проявления.





    Калинин, Д. В.
    Природа микротрещин в фотонно-кристаллических опаловых пленках, получаемых методом подвижного мениска [Текст] : текст / Д. В. Калинин, В. В. Сердобинцева, В. Ф. Шабанов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 5, июнь. - С. 607-609 : 4 рис. - Библиогр.: с. 609 . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
микротрещины -- опаловые пленки -- выращивание опаловых пленок -- фотонно-кристаллические пленки -- нанокристаллы -- пластические деформации -- точечные дефекты
Аннотация: Впервые рассматриваются принципы и закономерности развития микротрещин при росте нанокристаллических опаловых ФК-пленок.


Доп.точки доступа:
Сердобинцева, В. В.; Шабанов, В. Ф.




   
    Моделирование структуры, электронного строения и свойств примесных дефектов с участием германия в теллуриде свинца [Текст] / А. С. Зюбин [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 1. - С. 88-96 : табл. - Библиогр.: с. 39 (96 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Неорганическая химия

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- легирование -- примеси -- твердые растворы -- кластеры -- моделирование -- электронное строение -- примесные дефекты -- германий -- точечные дефекты -- кристаллические тела -- теллурид свинца
Аннотация: Выполнено кластерное моделирование объема и поверхности кристаллического свинца и проанализированы различные варианты внедрения атома Ge в объем кристалла PbTe и на его поверхность. Рассмотрены кластеры различных размеров.


Доп.точки доступа:
Зюбин, А. С.; Дедюлин, С. Н.; Штанов, В. И.; Яшина, Л. В.




    Москаль, Д. С.
    Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.


Доп.точки доступа:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.




    Белугина, Н. В.
    Атомно-силовая микроскопия поверхности зеркального скола дефектных кристаллов ТГС [Текст] / Н. В. Белугина, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 9-13
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- зеркальный скол -- нанорельефы -- кристаллы -- триглицинсульфат -- точечные дефекты
Аннотация: В прерывисто-контактном режиме атомно-силовой микроскопии изучен нанорельеф зеркальной поверхности скола кристаллов триглицинсульфата с различной степенью дефектности. Характерными деталями нанорельефа дефектных кристаллов, так же, как и чистых (без специально введенной примеси), являются двумерные образования в виде округлых выступов (ямок) субмикронных латеральных размеров с одинаковой высотой (глубиной), составляющей около 1/2b (b – параметр решетки). Плотность двумерных образований, латеральные размеры и их разброс в несколько раз больше, чем в чистых кристаллах. Выявлена корреляция между степенью дефектности кристаллов и плотностью и латеральными размерами двумерных образований на поверхности скола. Сделан вывод о дефектной природе образования характерного нанорельефа на зеркальном сколе.


Доп.точки доступа:
Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.




   
    Генерация и накопление точечных дефектов в процессе пластической деформации в монокристаллах с ГЦК-структурой [Текст] / В. А. Старенченко [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 60-71. - Библиогр.: c. 71 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
ГЦК-металлы -- ГЦК-структура монокристаллов -- монокристаллы с ГЦК-структурой -- пластическая деформация -- точечные дефекты
Аннотация: В работе предложена согласующаяся с экспериментальными данными модель генерации и накопления точечных дефектов в процессе деформирования ГЦК-кристалла с постоянной скоростью при комнатной температуре. Анализируется влияние точечных дефектов на формирование фрагментированной субструктуры. Проведена верификация модели экспериментальными данными по кривой напряжения, плотности дислокаций, концентрации вакансий и углу разориентировки.


Доп.точки доступа:
Старенченко, В. А.; Черепанов, Д. Н.; Соловьева, Ю. В.; Попов, Л. Е.




   
    Влияние дефектов структуры на поведение незамкнутых кристаллических наноструктур [Текст] / С. Г. Псахье [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
бислойные наноразмерные кристаллические пленки -- кинематические характеристики наноструктур -- композиция слоев пленки -- метод молекулярной динамики -- метод погруженного атома -- механические колебания наноструктур -- незамкнутые наноструктуры -- точечные дефекты
Аннотация: Проведено молекулярно-динамическое моделирование поведения незамкнутых наноструктур, полученных самосворачиванием двухслойных наноразмерных пленок Ni-Cu с различной композицией внутренней структуры. В процессе самосворачивания наноразмерных пленок в отсутствие внешних воздействий ее края совершают слабозатухающие гармонические колебания. Установлены особенности влияния внутренней структуры исходной пленки на характеристики колебаний. Показано, что, меняя композицию слоев исходной пленки или насыщая ее дефектами структуры, можно менять амплитуду или частоту колебаний, либо эти характеристики одновременно. Изменение композиций слоев производится таким образом, что геометрические размеры моделируемой наноструктуры остаются практически неизменными.


Доп.точки доступа:
Псахье, С. Г.; Железняков, А. В.; Коноваленко, Ив. С.; Руденский, Г. Е.; Зольников, К. П.