621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов. |
621.3 К 172 Калинина, Е. В. Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе [Текст] : обзор / Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 769-805 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- радиационное дефектообразование -- облучение -- приборы на основе карбида кремния -- детекторы ядерных излучений Аннотация: Рассматриваются вопросы радиационного дефектообразования в карбиде кремния различных политипов, типов проводимости и концентраций носителей заряда при облучении высокоэнергетичными частицами в широком интервале их энергий и масс - от электронов до тяжелых ионов Bi. Также рассматривается влияние облучения высокоэнергетичными частицами на оптические и электрические характеристики приборов на основе SiC, в том числе детекторов ядерных излучений. Показаны общие с другими полупроводниками и характерные для SiC закономерности радиационного дефектообразования в SiC. Подтверждена высокая радиационная устойчивость SiC и показана возможность повышения его радиационного ресурса при повышенных энергиях облучающих частиц и рабочих температурах. |
621.315.592 И 201 Иванов, А. М. Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, В. В. Козловский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 370-377 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- поверхностно-барьерные структуры -- SiC-детекторы -- пары Френкеля -- Френкеля пары -- радиационное дефектообразование Аннотация: Структуры с барьером Шоттки на основе CVD-пленок 4H-SiC облучались 8 МэВ протонами и 900 кэВ электронами. Максимальные дозы составили 10\{14\} см\{-2\} и 3 х 10\{16\} см\{-2\} соответственно. В случае электронов первично вводимые радиационные дефекты являлись близко расположенными парами Френкеля. Сопоставлялись изменения электрофизических характеристик структур. Использовались емкостные методики и техника ядерной спектрометрии. С ее помощью определялась эффективность переноса заряда при импульсной ионизации alpha-частицами. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А. |
Радиационное дефектообразование в кристаллах фтористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка [Текст] / А. В. Егранов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1672-1678. - Библиогр.: с. 1678 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное дефектообразование -- собственные радиационные дефекты -- облучение кристаллов -- ионизирующее излучение -- фтористый стронций -- кальций -- кубическая симметрия Аннотация: Показано, что в кристаллах фтористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка, ионизирующее излучение восстанавливает примесные ионы до одновалентного состояния. При этом одновалентный ион окружен восьмью эквивалентными ионами фтора и имеет кубическую симметрию O[h]. Обнаружено, что при комнатной температуре происходит последовательное понижение симметрии центра сначала до C[3v] и далее C[2v] за счет присоединения к ближайшему окружению примесного одновалентного иона одной или двух анионных вакансий соответственно, т. е. собственных дефектов, которые в неактивированных кристаллах фтористого стронция и кальция не образуются. Предполагается, что образование стабильных собственных дефектов происходит путем разделения пар анионная вакансия-межузельный фон фтора в электрических полях, создаваемых восстановленными ионами примеси. Электрическое поле, создаваемое таким примесным дефектом, понижает энергетический барьер для термического разделения заряженных собственных дефектов. Доп.точки доступа: Егранов, А. В.; Раджабов, Е. А.; Непомнящих, А. И.; Ивашечкин, В. Ф.; Васильева, И. Е. |
Особенности радиационного дефектообразования в нанокристаллах, внедренных в твердотельную матрицу [Текст] / Б. Л. Оксенгендлер [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 3. - С. 469-474. - Библиогр.: с. 474 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- радиационное дефектообразование -- дефектообразования -- твердотельная матрица -- матрицы Аннотация: Рассмотрены особенности радиационного дефектообразования в нанокристаллах, внедренных в твердотельную матрицу. Доп.точки доступа: Оксенгендлер, Б. Л.; Тураева, Н. Н.; Максимов, С. Е.; Джурабекова, Ф. Г. |
539.2 И 258 Ивченко, В. А. Полевая ионная микроскопия каскадов атомных смещений в металлах и сплавах после радиационных воздействий разного типа / В. А. Ивченко // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 9. - С. 143-145. - Библиогр.: c. 145 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевая ионная микроскопия -- радиационное воздействие -- каскады атомных смещений -- радиационное дефектообразование -- нейтронное облучение -- ионная имплантация -- радиационные кластеры -- ионное облучение -- платина -- сплавы Аннотация: Представлены экспериментальные результаты атомно-пространственного изучения радиационного дефектообразования в приповерхностных объемах материалов, инициированных нейтронным облучением - Pt: E>0. 1 MeV и ионной имплантацией - Cu[3]Au: E=40 keV, F=10{16 }ion/m{2}, j=10{-3} A/сm{2}. Приведены количественные оценки размеров, формы и объемной доли каскадов атомных смещений, образующихся при различных видах облучения в приповерхностных слоях материалов. Показано, что средний размер радиационных кластеров после облучения платины до флюенса быстрых нейтронов 6. 7*10{22} m{-2} (E>0. 1 MeV) имел величину порядка 3. 8 nm. Экспериментально установленный средний размер радиационного кластера (разупорядоченной зоны) в сплаве после ионного облучения составил величину 4x4x1. 5 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/09/p143-145.pdf Доп.точки доступа: Уральский федеральный университет им. первого президента России Б. Н. Ельцина |