621.315.592 К 231     Каримов, М.     Влияние скорости последиффузионной закалки и термообработки на термостабильность времени жизни носителей заряда в перекомпенсированном n-SiB,S [Текст] / М. Каримов, А. К. Караходжаев // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.56 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411 УДК 621.315.592 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кремний -- закалка -- термообработка -- время жизни -- перекомпенсированные полупроводники Аннотация: Исследовалось влияние скорости закалки в интервале 0,6-250 град/мин и при повторной термообработке до 1020 К на время жизни носителей заряда тау в перекомпенсированном n-Si. Показано, что величину тау в n-Si можно регулировать путем подбора скорости охлаждения при постоянной температуре диффузии. Обсуждаются наблюдаемые эффекты на базе представлений о различной степени микронеоднородности по проводимости в n-Si в зависимости от скорости последиффузионного охлаждения Доп.точки доступа: Караходжаев, А.К.