621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов. |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs[2] [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 36-39
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- CdSnAs[2] -- облучение протонами -- изохронный отжиг -- электрофизические свойства Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига кристаллов n- и p-типа CdSnAs[2], облученных ионами H\{+\} (5 МэВ, 2 x 10\{16\} см\{-2\}). Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
669.017 А 795 Арбузов, В. Л. Эффективность нейтронного и электронного облучения в радиационно-индуцированном расслоении твердого раствора сплавов Fe-Ni и Fe-Ni-P [Текст] / В. Л. Арбузов, Б. Н. Гощицкий [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 3. - С. 276-285. - Библиогр.: с. 285 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронное облучение -- электронное облучение -- радиационно-индуцированное расслоение -- твердые растворы -- сплавы -- Fe-Ni -- электросопротивление -- изохронный отжиг -- изотермический отжиг Аннотация: Методом электросопротивления исследованы процессы радиационно-индуцированного расслоения твердого раствора в сплавах Fe-Ni и Fe-Ni-P при T[обл] - 320 K. Доп.точки доступа: Гощицкий, Б. Н.; Данилов, С. Е.; Карькин, А. В.; Перминов, Д. А. |
Шепелевич, В. Г. Структура и свойства быстрозатвердевших фольг сплавов Al+Zn [Текст] / В. Г. Шепелевич, Е. С. Гутько, И. И. Ташлыкова-Бушкевич // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 4. - С. 72-77 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): фольги -- быстрозатвердевшие фольги -- фольги сплавов -- микротвердость быстрозатвердевших фольг -- сплавы алюминия с цинком -- твердые растворы -- изохронный отжиг -- текстура фольг -- рекристаллизация фольг Аннотация: Исследована структура и микротвердость быстрозатвердевших фольг сплавов. Доп.точки доступа: Гутько, Е. С.; Ташлыкова-Бушкевич, И. И. |
Косилов, А. Т. Молекулярно-динамическое моделирование двухкомпонентных кластеров Cu-Ni, Cu-Pd [Текст] / А. Т. Косилов, А. А. Маливанчук, Е. А. Михайлова // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1338-1342. - Библиогр.: с. 1342 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): двухкомпонентные кластеры -- кластеры -- изотермический отжиг -- изохронный отжиг -- нанокластеры -- молекулярно-динамическое моделирование Аннотация: Представлены результаты молекулярно-динамического моделирования изотермического и изохронного отжига двухкомпонентных кластеров систем Cu-Ni, Cu-Pd. Изучены закономерности формирования структуры в зависимости от соотношения компонентов и размера кластеров. Обнаружена низкая склонность к аморфизации нанокластеров системы Cu-Ni и высокая системы Cu-Pd, что объясняется разным соотношением размеров атомов в композиционно упорядоченных системах. Доп.точки доступа: Маливанчук, А. А.; Михайлов, Е. А. |
Брудный, В. Н. Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs[2]), облученного ионами H\{+\} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 433-435
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- облученный материал -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- химические примеси -- кристаллические решетки Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs[2], облученного ионами H\{+\} (энергия E=5 МэВ, доза D=2x10\{16\} см\{-2\}). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Шепелевич, В. Г. Структура и свойства быстрозатвердевших фольг сплавом алюминия, содержащих 6, 0-15 ат. % Zn [Текст] / В. Г. Шепелевич, Е. С. Гутько, И. И. Ташлыкова-Бушкевич // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 69-74 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): сплавы -- фольги -- быстрозатвердевшие фольги -- текстура -- микротвердость -- микрокристаллические структуры -- дисперсные частицы -- цинк -- отжиг -- изохронный отжиг -- рекристаллизация фольг Аннотация: Исследована структура и микротвердость быстрозатвердевших фольг сплавов Al-Zn, содержащих 6, 0 и 15 ат. % Zn. Доп.точки доступа: Гутько, Е. C.; Ташлыкова-Бушкевич, И. И. |
Влияние изохронного отжига на магнитные и механические свойства композитов Ti-Al-Co и Ti-Al [Текст] / Ф. Х. Акопов [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2010. - Т. 109, N 4. - С. 444-448. - Библиогр.: С. 447 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): металлокомпозиты -- ударная волна -- магнитная восприимчивость -- изохронный отжиг -- композиты -- Ti-Al -- Ti-Al-Co -- взрывчатые вещества -- гексоген -- аммонит Аннотация: Металлокомпозиты Ti-Al и Ti-Al-Co, получены ударно-волновым компактированием с использованием взрывчатых веществ гексогена и аммонита. Исследовались микроструктура, микротвердость, а также температурные спектры действительной части комплексной магнитной восприимчивости ' (T). Измерения проводились в процессе изохронного отжига после последовательных ступеней нагрева образцов через каждые 50 C. Доп.точки доступа: Акопов, Ф. К.; Чхартишвили, И. В.; Галусташвили, М. В.; Дриаев, Д. Г.; Габуния, В. М.; Цакадзе, Д. |
Закономерности термически индуцированного формирования фаз в альфа-Fe c титановым покрытием при изохронном отжиге [Текст] / И. А. Манакова [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2010. - Т. 109, N 5. - С. 483-496. - Библиогр.: с. 496 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг -- изохронный отжиг -- диффузия -- фазовые превращения -- рентгеновская дифракция -- слоистые системы -- термически индуцированные процессы Аннотация: Методами мессбауэровской спектроскопии и рентгеновской дифракции проведены исследования термически индуцированных процессов диффузии и фазовых превращений в неравновесных слоистых системах при изохронном отжиге. Доп.точки доступа: Манакова, И. А.; Верещак, М. Ф.; Сергеева, Л. С.; Шоканов, А. К.; Антонюк, В. И.; Русаков, В. С.; Кадыржанов, К. К. |
539.2 И 373 Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок n-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 461-467 : ил. - Библиогр.: с. 467 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- пленки -- GaN -- электронные спектры -- решетки -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- нейтронное облучение -- сапфир -- отжиг -- изохронный отжиг -- напряжения -- запрещенные зоны -- температура отжига Аннотация: Выполнены исследования зависимости структурных параметров эпитаксиальных пленок GaN на сапфире (n-GaN/Al[2]O[3] (0001) ) после облучения реакторными нейтронами интегральными потоками до 7. 25 x 10{19} бн/см{2} (varphi[бн]/varphi[тн]~1) и последующего изохронного отжига до 1000{o}C. Измерения параметров решетки a и c облученных пленок n-GaN выявили увеличение постоянной решетки c на 0. 38% при практически неизменной величине параметра a. Из теоретических оценок следует, что в облученной пленке n-GaN величина упругого напряжения растяжения вдоль оси c доходит до ~1. 5 ГПа; тогда как напряжение сжатия в базальной плоскости элементарной ячейки составляет около -0. 5 ГПа. Растяжение облученной пленки GaN вдоль гексагональной оси приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны E[g] и понижению уровня зарядовой нейтральности на 37 и 22 мэВ соответственно по отношению к их значениям в исходной пленке GaN на сапфире. Восстановление вызванного облучением реакторными нейтронами изменения параметра Delta c имеет место в температурном интервале 100-1000{o}C с основной стадией отжига вблизи 400{o}C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p461-467.pdf Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. |
621.315.592 П 126 Пагава, Т. А. Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ [Текст] / Т. А. Пагава, М. Г. Беридзе, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1274-1278 : ил. - Библиогр.: с. 1278 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- эффект Холла -- Холла эффект -- облучение протонов -- протонное облучение -- монокристаллы -- электроны проводимости -- радиационные дефекты -- РД -- разупорядоченные области -- РО -- изохронный отжиг -- ИО -- металлические включения -- омические переходы -- границы раздела -- температура отжига -- отжиг -- межузельные атомы -- кристаллы кремния -- кремний -- Si Аннотация: Выполнены экспериментальные исследования эффекта Холла на облученных протонами монокристаллах n-Si с исходной концентрацией электронов проводимости N=6 x 10{13} см{-3}. Показано, что при облучении протонами с энергией 25 МэВ наблюдается аномальное увеличение подвижности электронов, что объясняется образованием в кристалле металлических включений с омическим переходом на границе раздела с полупроводниковой матрицей. В процессе изохронного отжига вокруг металлических включений образуются непрозрачные для электронов проводимости оболочки из отрицательно заряженных акцепторных радиационных дефектов, что приводит к резкому уменьшению подвижности. Осцилляционная зависимость подвижности от температуры отжига объясняется изменением степени экранирования металлических включений отрицательно заряженными оболочками. Скопления межузельных атомов (металлические включения) отжигаются при 400 °C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1274-1278.pdf Доп.точки доступа: Беридзе, М. Г.; Майсурадзе, Н. И. |
539.2 П 126 Пагава, Т. А. Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 582-586 : ил. - Библиогр.: с. 586 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение протонов -- протонное облучение -- высокоэнергетические протоны -- кристаллы -- n-Si -- зонная плавка -- метод зонной плавки -- метод Холла -- Холла метод -- фононновое рассеяние электронов -- электроны -- время старения (физика) -- температура измерения -- металлические включения -- отжиг -- изохронный отжиг -- кластеры -- разупорядоченные области -- РО -- холловская подвижность электронов Аннотация: Исследовались монокристаллы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6 x 10{13} см{-3}. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1. 8-8. 1) x 10{12} см{-2}. Измерения проводились методом Холла в интервале температур T=77-300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности mu[eff] или же наличие глубокого минимума на кривых mu[eff] (T) в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах n-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p582-586.pdf Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И.; Беридзе, М. Г. |
620.1/.2 К 189 Камышанченко, Н. В. Изохронный отжиг закалочных и деформационных дефектов и влияние его на физико-механические свойства технически чистого никеля / Н. В. Камышанченко, И. М. Неклюдов, О. А. Печерина // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 11. - С. 21-25. - Библиогр.: с. 25 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Машиностроение Упрочнение металлов Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- закалочные дефекты -- деформационные дефекты -- физико-механические свойства -- технически чистый никель -- дефекты решетки -- электрическое сопротивление -- пластические деформации -- микротвердость Аннотация: Исследован технически чистый никель в отожженном, деформированном и закаленном состояниях. При помощи изохронного отжига установлена стадийность изменения электрического сопротивления. Доп.точки доступа: Неклюдов, И. М.; Печерина, О. А.; НИУ Белгородский государственный университет; НИУ Белгородский государственный университетНИУ Белгородский государственный университет |
539.2 Э 455 Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / В. М. Бойко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 885-889 : ил. - Библиогр.: с. 888-889 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные свойства -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- быстрые нейтроны -- электрофизические свойства -- эпитаксиальные пленки -- легирование -- сопротивление материалов -- прыжковая проводимость -- носители заряда -- радиационные дефекты -- изохронный отжиг -- температурные зависимости Аннотация: Проанализировано влияние облучения полным спектром реакторных нейтронов и преимущественно быстрыми нейтронами реактора (до 8·10{18} см{-2}) на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок p-GaN (Mg) с различным уровнем исходного легирования (концентрация дырок p = 10{17}-10{19} см{-3}). При нейтронном облучении отмечено увеличение удельного сопротивления исходного материала до значений 10{10} Ом·см при 300 K. При больших флюенсах нейтронов обнаружено уменьшение электросопротивления материала вследствие прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям радиационных дефектов. Исследование изохронного отжига в области 100-1000°С выявило стадии отжига донорных, около 100-300, 500-700 и 750-850°С, и акцепторных, около 300-500 и 650-800°С, дефектов в облученных нейтронами образцах p-GaN (Mg). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p885-889.pdf Доп.точки доступа: Бойко, В. М.; Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Томский государственный университет; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); ОАО "Гиредмет" (Москва) |