621.315.592 В 268 Вейс, А. Н. Особенности коэффициента отражения в (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te(x=0.05-0.20 [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.9-10 (18 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- коэффициент отражения -- индий Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения R в твердых растворах (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te с содержанием индия в шихте x=0.05-0.20 при Т=300 К. В спектрах R(лямбда) каждого из исследованных образцов выявлены два минимума коэффициента отражения: коротковолновый, расположенный при лямбда=1-2 мкм, и длинноволновый, расположенный при лямбда=25-30 мкм, обусловленный плазменными колебаниями свободных электронов. Проанализированы особенности в проявлении коротковолновых минимумов в зависимостях R(лямбда). Показано, что эти минимумы могут быть связаны с неоднородностями в пространственном распределении индия в образцах |
621.31 В 268 Вейс, А. Н. (???? 1). Оптическое поглащение [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Отпуск электрической энергии Кл.слова (ненормированные): коэффициент поглошения -- рентгенофазовый анализ -- холловские концентрации Аннотация: Показано, что с индием, расположенным в узлах подрешетки металла, связана полоса Е[0]. Установлено, что концентрация индия в узельной позиции не соответствует его содержанию в штрихе Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
621.315.592 В 26 Вейс, А. Н. Температурная зависимость энергетического положения квазилокальных уровней в PbSe, лерированном таллием и сверхстехиометрическом свинцом [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 7. - С. 51-56. - Библиогр.: с. 56 (27 назв. ) . - ISSN 0021 - 34
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): квазилокальные уровни; ионизация; анионные вакансии; халькоген; физика полупроводников; физика диэлектриков Аннотация: В интервале температур 96 - 600 К исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в p-PbSe, легированном примесью таллия и сверхстехиометрическим свинцом. Выявлены и идентифицированы полосы дополнительного поглощения, связанные с таллием и вакансиями халькогена. Оценены величины энергий оптической ионизации таллия и вакансии халькогена. Показано, что они увеличиваются при возростании температуры, тогда как по данным исследований явлений переноса энергия термической ионизации таллия при увеличения температуры убывает. Обсуждаются возможные причины появления разных знаков у скоростей температурного изменения энергий оптической и термической ионизации таллия в халькогенидах свинца. |
621.315.592 В 26 Вейс, А. Н. Возможная природа особенности, наблюдаемой в области края фундаментального поглощения халькогенидов свинца [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 3. - С. 93-94. - Библиогр.: c. 94 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): халькогенид свинца; фундаментальное поглощение; эффект Фарадея; Фарадея эффект Аннотация: Данные, полученные в работе, являются прямым подтверждением высказанного предположения о существовании в халькогенидах свинца дополнительной составляющей коэффициента межзонного поглощения, связанной с непрямыми оптическими переходами электронов из подзоны "тяжелых" дырок в зону проводимости. |
Вейс, А. Н. Оптическое поглощение в Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3] в области края фундаментальной полосы [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 50-52. - Библиогр.: c. 52 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическое поглощение -- пленки Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3] -- спектральные зависимости коэффициента оптического поглощения -- твердые растворы -- термоэлектрические устройства Аннотация: При Т=145 и 300 К исследованы спектральные зависимости коэффициента оптического поглощения в пленках Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3], выращенных на подложках из слюды и КВr. |
539.2 В 268 Вейс, А. Н. Ширина запрещенной зоны и тип оптических переходов на пороге межзонного поглощения в твердых растворах на основе теллурида висмута / А. Н. Вейс, Л. Н. Лукьянова, В. А. Кутасов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 11. - С. 2051-2057. - Библиогр.: с. 2056-2057 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические переходы -- межзонные поглощения -- твердые растворы -- теллурид висмута -- спектры оптического поглощения Аннотация: Проведены исследования спектров оптического поглощения в многокомпонентных твердых растворах n- и p-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы с замещениями атомов в обеих подрешетках Bi[2]Te[3]. Установлено, что во всех исследованных твердых растворах, как и в исходном соединении Bi[2]Te[3], на пороге межзонного поглощения при T=300 K реализуются прямые разрешенные переходы. Ширина запрещенной зоны E[g] в твердых растворах n-Bi[2-x]Sb[x]Te[3-y-z]Se[y]S[z] слабо возрастает с ростом содержания замещенных атомов в подрешетках Bi и Te. Эти замещения атомов не приводят к увеличению E[g] по сравнению с составом n-Bi[2]Te[2. 7]Se[0. 3]. Доп.точки доступа: Лукьянова, Л. Н.; Кутасов, В. А. |