621.315.592 К 790 Кревчик, В. Д. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле [Текст] / В. Д. Кревчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.73 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- магнитное поле -- поглощение света -- примеси Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Грунин, А.Б.; Семенов, М.Б. |
535.417 Ш 201 Шандаров, С. М. Динамика фотоиндуцированного поглощения света в кристалле Bi[12]TiO[20]:Ca [Текст] / С. М. Шандаров, А. Е. Мандель [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.34 (14 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): коэффициент поглощения -- поглощение света -- титанат висмута -- фотоиндуцированное поглощение Аннотация: Представлены результаты исследования динамики фотоиндуцированного поглощения света и его релаксации в темновых условиях в монокристалле Bi[12]TiO[20]:Ca. Для засветки образца и измерения наведенных изменений поглощения использовалось узкополосное излучение некогерентного полупроводникового светодиода, близкого по длине волны (lambda=660 нм) к гелий-неоновому лазеру. На основе сравнения экспериментальных данных с расчетами по теоретической модели, принимающей во внимание двухкратно ионизированные донорные центры и мелкие ловушки, проведена оценка материальных параметров кристалла Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Мандель, А.Е.; Казарин, А.В.; Плесовских, А.М.; Каргин, Ю.Ф.; Волков, В.В.; Егорышева, А.В. |
621.3 З-584 Зерова, В. Л. Модуляция межподзонного поглощения света в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах [Текст] / В. Л. Зерова, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, E. Towe // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 615-624 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- поглощение света -- межподзонное поглощение света -- электрическое поле -- квантовые ямы -- туннельно-связанные квантовые ямы -- инфракрасный диапазон Аннотация: Изучена модуляция поглощения света среднего инфракрасного диапазона в двойных туннельно-связанных квантовых ямах в продольном электрическом поле. Спецификой квантовых ям является малое энергетическое расстояние между двумя нижними уровнями, вследствие чего даже в слабом поперечном электрическом поле может происходить "антипересечение" этих уровней. Предложена интерпретация изменения межподзонного поглощения света, опирающаяся на предположение о возникновении в данной структуре поперечной компоненты электрического поля. Изменение коэффициента поглощения света вычислено с учетом перераспределения электронов между подзонами размерного квантования и изменения их температур в подзонах в продольном электрическом поле, а также изменения оптических матричных элементов, энергий переходов и концентраций электронов в подзонах в поперечном электрическом поле. Показана возможность использования исследуемой структуры для эффективной модуляции излучения среднего инфракрасного диапазона с энергией кванта 136 мэВ. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Towe, E. |
621.315.592 А 239 Агеева, Н. Н. Участие электрон-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs. Связь модуляции поглощения со спектром стимулированного излучения в GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1418-1424 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поглощение света -- GaAs -- фотогенерация -- автомодуляция -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая (меняющаяся за ~1 пс) автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов), объясняемых локальными обеднениями заселенностей электронов в зоне проводимости. Экспериментально обнаружено, что расположение выступов на спектре повторяется через интервал, определяемый энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. Это подтверждает сделанное ранее предположение о существенной роли электрон--LO-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения. Полученное ранее представление о связи формы модуляции спектра поглощения с формой интегрального по времени спектра собственного пикосекундного излучения расширено и на тот случай, когда проявляется сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения. Доп.точки доступа: Броневой, И. Л.; Кривоносов, А. Н.; Налет, Т. А.; Стеганцов, С. В. |
Какой материал самый черный в мире? [Текст] // Вокруг света. - 2008. - N 7. - С. 78 . - ISSN 0321-0669
Рубрики: Физика Термодинамика и статистическая физика Кл.слова (ненормированные): поглощение света -- черные тела (физика) -- нанотехнологии Аннотация: В природе абсолютно черных тел, поглощающих свет, не существует. Но современные ученые разрабатывают подобные покрытия с помощью нанотехнологий. |
Козлов, В. С. Спектрофотометры для исследования характеристик поглощения света аэрозольными частицами [Текст] / В. С. Козлов, В. П. Шмаргунов, В. В. Полькин // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 5. - С. 155-157 . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): спектрофотометры -- поглощение света -- аэрозоли -- аэрозольные частицы -- блок-схемы -- светодиоды Аннотация: Приведена блок-схема спектрофотометра, который используется для оценки коэффициента поглощения аэрозоля. Доп.точки доступа: Шмаргунов, В. П.; Полькин, В. В. |
Агеева, Н. Н. Субтерагерцовые автоколебания в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, А. Н. Кривоносов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1426-1433
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): GaAs -- поглощение света -- сверхбыстрая автомодуляция поглощения света -- субтерагерцовые автоколебания -- энергия фотона Аннотация: Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света возникает во время интенсивной пикосекундной оптической накачки GaAs. Обнаружено, что сверхбыстрая автомодуляция поглощения света с фиксированной энергией фотона h с чертой омега представляет собой актоколебания, состоящие из двух (вторая с удвоенной частотой) или одной субтерагерцовых гармоник. Получены зависимости параметров автоколебаний от величины h с чертой омега при разных энергиях импульса накачки. Объяснено обнаруженное ранее циклическое повторение формы сверхбыстрой автомодуции спектра поглощения. В предположении, что автомодуляция поглощения света, во-первых, вызвана изменениями заселенностей энергетических уровней носителями заряда, во-вторых, взаимосвязана с автомодуляцией собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs, вышеупомянутые зависимости могут способствовать составлению представления о характере субтерагерцовых автоколебаний обеднения заселенности и излучения. Доп.точки доступа: Броневой, И. Л.; Кривоносов, А. Н. |
Савченко, С. И. Усиление света в области резонансного поглощения при быстром уменьшении концентрации поглотителя [Текст] / О. Я. Савченко // Химическая физика. - 2007. - Т. 26, N 3. - С. 95-96. - Библиогр.: c. 95-96 (12 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): быстропротекающие химические процессы -- концентрация -- резонансное поглощение -- растворители -- поглотители -- поглощение света -- световые волны -- возбужденные состояния молекул Аннотация: В области резонансного поглощения свет усиливается, если концентрация поглотителя уменьшается достаточно быстро. |
Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl [Текст] / М. С. Смирнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 884-889 : ил. - Библиогр.: с. 888 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- микрокристаллы AgCl -- AgCl микрокристаллы -- низкотемпературный фотостимулированный процесс -- НТФСП -- сенсибилизированная антистоксовая люминесценция -- САСЛ -- спектральные области -- плотность потока -- поглощение света -- адсорбированные красители -- адсорбированные кластеры серебра -- наноструктуры -- гибридные наноструктуры -- адсорбированные молекулы красителей -- субнанокластер серебра -- межзонные переходы -- перенос энергии -- электронное возбуждение -- фотоионизация Аннотация: В микрокристаллах AgCl с адсорбированными молекулами красителя метиленового голубого обнаружен эффект формирования центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в результате низкотемпературного (77 K) фотостимулированного процесса. Свечение регистрировалось при возбуждении излучением плотностью потока 10{14}-10{15} квант х см{-2}х с{-1} из спектральной области 620-750 нм, соответствующей области поглощения света адсорбированным красителем и адсорбированными кластерами Ag[1], Ag[2] и Ag[3]. Показано, что центры антистоксовой люминесценции, сформированные фотостимулированным путем, представляют собой гибридную наноструктуру типа "адсорбированная молекула красителя-субнанокластер серебра", связь компонентов которой является слабой, но достаточной для реализации двухквантовых межзонных переходов, осуществляющихся в результате переноса энергии электронного возбуждения от красителя к кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации. Доп.точки доступа: Смирнов, М. С.; Овчинников, О. В.; Латышев, А. Н.; Смирнова, А. М.; Новиков, П. В.; Ефимова, М. А. |
Мардалейшвили, И. Р. Особенности люминесценции и светостойкости комплексов европия и их смесей с комплексами лантана в полиметилметакрилате [Текст] / И. Р. Мардалейшвили, П. П. Левин, В. Б. Иванов // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 7. - С. 34-41 : ил. - Библиогр.: с. 40-41 (26 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Строение органических соединений Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- светостойкость -- европий -- лантан -- полиметилметакрилат -- наносекундный лазерный фотолиз -- испускание света -- поглощение света -- триплетные состояния -- синергизм -- фотолиз -- квазистационарные значения Аннотация: Методом наносекундного лазерного фотолиза с регистрацией как испускания, так и поглощения света изучена кинетика люминесценции и превращения короткоживущих продуктов фотолиза комплексов европия и лантана с теноилтрифторацетоном и 1, 10-фенантролином, а также их смесей в пленках полиметилметакрилата. Зарегистрирована быстрая (535 и 585 нм, {5}D[1]->{7}F[O], {7}F[3], время затухания – 0. 7 мкс) и медленная люминесценция (613 нм, {5}D[0]->{7}F[2], времена разгорания и затухания – 0. 7 мкс и 0. 5 мс). Обнаружено наведенное поглощение с максимумом при 600 нм и временем гибели ~3 мс, отнесенное к триплетным состояниям депротонированной формы теноилтрифторацетона. Проанализированы зависимости интенсивности люминесценции от концентрации компонентов в смеси комплексов и оценены эффекты синергизма, приводящие к усилению люминесценции. Изучены кинетические закономерности уменьшения интенсивности люминесценции при фотолизе. Обсуждены возможные механизмы снижения относительной начальной скорости процесса и возрастания квазистационарного значения относительной интенсивности люминесценции при увеличении концентрации комплексов в полимере. Доп.точки доступа: Левин, П. П.; Иванов, В. Б. |
Эффективность лазерного инициирования и спектры поглощения ТЭНа [Текст] / Э. Д. Алукер [и др. ] // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 1. - С. 49-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (10 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Кл.слова (ненормированные): лазерное инициирование -- спектры поглощения -- тетранитрат пентаэритрит -- ТЭН -- гармоники -- неодимовые лазеры -- поглощение света -- лазерные излучения -- фотоинициирование Аннотация: Проведено сравнительное исследование эффективности лазерного инициирования тэна первой и второй гармониками (1060 и 530 нм) неодимового лазера. Обнаружено резкое различие эффективности инициирования взрыва разными гармониками: при изменении начальной температуры образца от 373 до 450 K порог инициирования первой гармоникой падает от 3 до 0. 5 Дж/см{2}, инициировать же взрыв второй гармоникой даже при 450 К и 10 Дж/см{2} не удалось. В спектрах экстинкции монокристаллов тэна обнаружена слабая полоса поглощения с максимумом лямбда[m] = 1020 нм. Высказывается предположение, что высокая эффективность инициирования первой гармоникой связана с поглощением света (фотоинициированием) в этой полосе. Доп.точки доступа: Алукер, Э. Д.; Алукер, Н. Л.; Белокуров, Г. М.; Кречетов, А. Г.; Лобойко, Б. Г.; Нурмухаметов, Д. Р.; Тупицин, А. В.; Филин, В. П. |
Адуев, Б. П. Лазерное инициирование смеси ТЭНа с наночастицами NIC при повышенных температура [Текст] / Б. П. Адуев, Д. Р. Нурмухаметов, А. В. Пузынин // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 5. - С. 71-75 : ил. - Библиогр.: с. 75 (21 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Кл.слова (ненормированные): лазерное инициирование -- смеси ТЭНа -- ТЭН -- наночастицы NiC -- NiC -- повышенные температуры -- температурные зависимости -- взрывы ТЭНа -- лазерные импульсы -- лазерное излучение -- энергия активации -- взрывное разложение -- поглощение света -- термическая диссоциация -- карбокатион -- тетранитропентаэритрит Аннотация: Исследована температурная зависимость вероятности взрыва тэна, содержащего добавки наночастиц NiC (0. 3% по массе) при инициировании лазерными импульсами (1064 нм, 20 нс) в интервале 295–450 К. В интервале 295–350 К наблюдается слабая зависимость от температуры. Определяющий вклад в инициирование взрыва вносит поглощение лазерного излучения наночастицами. При этом порог взрывного разложения при 295 К уменьшается в ~ 40 раз относительно образцов, не содержащих наночастицы NiC. В температурном интервале 400–450 К порог взрывного разложения образцов, содержащих добавки наночастиц NiC, уменьшается с энергией активации ~ 0. 4 эВ. Уменьшение порога взрывного разложения с энергией активации 0. 4 эВ в интервале температур 340–440 К получено также при лазерном воздействии на образцы тэна, не содержащие добавки NiC. Предложена гипотеза, согласно которой в результате поглощения кванта света электрон из валентной зоны кристалла переходит на уровень в запрещенной зоне с последующей термической диссоциацией положительного иона на карбокатион и NO[3]-радикал. Доп.точки доступа: Нурмухаметов, Д. Р.; Пузынин, А. В. |
Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пикосекудная оптическая накачка -- сверхбыстрые автомодуляции -- поглощение света -- стимулированное излучение -- субтерагерцовые автоколебания -- частота автоколебаний -- нелинейные волны -- неравновесные среды -- фотогенерация -- автоколебания обеднения заселенностей электронов -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- зона проводимости -- возбуждение -- носители заряда Аннотация: Ранее обнаружено, что при пикосекундной оптической накачке в GaAs возникают сверхбыстрые взаимосвязанные автомодуляции фундаментального поглощения света и собственного стимулированного пикосекундного излучения. В настоящей работе сделаны количественные оценки, подтверждающие предположение, что указанные автомодуляции вызваны автоколебаниями обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. Получено выражение для частоты автоколебаний обеднения заселенностей. Показано наличие условий для самоорганизации, которые приводят к возникновению периодических нелинейных волн в неравновесных средах, каковой является фотогенерированная электроно-дырочная плазма с обеднениями заселенностей. В итоге в цикле работ, включая и настоящую, обнаружено, что при накачке в GaAs под влиянием собственного стимулированного излучения возникает коллективное возбуждение носителей заряда - автоколебания обеднения заселенностей зоны проводимости. Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
Повторение формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света при изменении энергии импульса накачки GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1328-1331 : ил. - Библиогр.: с. 1330-1331 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поглощение света -- спектры поглощения -- автомодуляция -- сверхбыстрая автомодуляция -- оптическая накачка -- энергия импульса -- автоколебания Аннотация: Сверхбыстрая автомодуляция фундаментального поглощения света возникает во время интенсивной пикосекундной оптической накачки GaAs и, по основному предположению, отображает автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. В настоящей работе дается количественно подтвержденное объяснение экспериментально обнаруженному ранее циклическому повторению формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения при изменении энергии импульса накачки и фиксированной задержке между накачкой и зондированием (измерением поглощения). Повторение формы объясняется изменением фазы автоколебаний поглощения света. Объяснение основано на ранее экспериментально обнаруженной зависимости частоты автоколебаний поглощения от энергии накачки. Поэтому оно также является и новым подтверждением указанной зависимости (удовлетворительно совпадающей с аналогичной расчетной зависимостью частоты автоколебаний обеднения заселенностей). Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
535 М 695 Михеев, Ю. А. Структура димеров и природа цветности азулена [Текст] / Ю. А. Михеев, Л. Н. Гусева, Ю. А. Ершов // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 1. - С. 93-100. - Библиогр.: c. 100 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): димеры -- дипольный момент -- окраска растворов -- оптическая спектроскопия -- ориентация молекул -- поглощение света -- синяя окраска кристаллов -- цветность азулена Аннотация: На основании результатов оптической спектроскопии и литературных данных обсуждена структура супрамолекулярных димеров азулена, ответственных за синюю окраску его кристаллов и растворов. Доп.точки доступа: Гусева, Л. Н.; Ершов, Ю. А. |
539.21:535 М 545 Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками [Текст] / Н. А. Байдакова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 7-15 : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): методы спектроскопии -- модификация метода -- фотолюминесценция -- возбуждение фотолюминесценции -- свет -- поглощение света -- процессы поглощения -- носители заряда -- рекомбинация носителей -- излучательная рекомбинация -- наноостровки -- исследуемые структуры -- возбуждающее излучение -- кванты -- энергии кванта -- спектры фотолюминесценции -- смачивающие слои -- паразитные сигналы -- комбинационное рассеяние -- кремниевые подложки Аннотация: Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge (Si) /Si (001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p7-15.pdf Доп.точки доступа: Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Яблонский, А. Н. |
533.9 Д 466 Динамика ионизации в лазерной плазме на газовой мишени при низких давлениях [Текст] / Р. А. Демидов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 22. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Физическая оптика Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): плазма -- лазерная плазма -- ионизация -- динамика ионизации -- газовые мишени -- низкие давления -- коротковолновые излучения -- источники излучения -- лазеры -- энергия излучения -- ионы -- высокозарядные ионы -- фотоны -- коротковолновые фотоны -- лазерные излучения -- излучения -- свет -- поглощение света -- процессы ионизации -- импульсы -- эксимерные лазеры -- ультрафиолетовые эксимерные лазеры Аннотация: В источниках коротковолнового излучения на Xe лазерной плазме коэффициент конверсии энергии лазера в излучение EUV диапазона (CE) оказывается существенно ниже теоретических ожиданий. Сделанные оценки показывают, что одной из основных причин этого может быть длительный период начальной ионизации до момента появления высокозарядных ионов, способных испускать коротковолновые фотоны. Плазма при этом остается низкоионизованной и слабо поглощает лазерное излучение. Также выполнены измерения поглощения света лазера, которые позволяют получить сведения, подтверждающие упомянутые оценки. В качестве метода ускорения процесса ионизации и, соответственно, повышения CE предлагается предыонизация газовой мишени импульсом ультрафиолетового (UV) эксимерного лазера. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/22/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Демидов, Р. А.; Калмыков, С. Г.; Можаров, А. М.; Петренко, М. В.; Сасин, М. Э. |
535.2/.3 М 744 Модель нелинейного пропускания света диэлектрическими нанокомпозитами [Текст] / В. П. Дзюба [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 306-311 : ил. - Библиогр.: с. 311 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерное излучение -- диэлектрические нанокомпозиты -- наночастицы -- нелинейное пропускание света -- поглощение света -- нанокомпозиты Аннотация: Предложена теоретическая модель коэффициента пропускания лазерного излучения диэлектрическими нанокомпозитами с малой концентрацией наночастиц. Показано, что основными механизмами низкопороговых эффектов нелинейного поглощения и рассеяния лазерного излучения являются, во-первых, индуцирование дипольного электрического момента наночастицы во внешнем поле, а во-вторых, ориентация наночастиц вдоль направления поляризации этого поля. Рассмотрено поведение коэффициента пропускания вблизи центральной частоты отдельной полосы поглощения, а также зависимость глубины этой полосы от интенсивности внешнего поля. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p306-311.pdf Доп.точки доступа: Дзюба, В. П.; Краснок, А. Е.; Кульчин, Ю. Н.; Дзюба, И. В. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения [Текст] / Ш. Б. Атакулов [и др.]. I. Механизм явления // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 728-733 : ил. - Библиогр.: с. 733 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- экспериментальные исследования -- аномальное фотонапряжение -- АФН -- границы кристаллитов -- ГК -- поверхностные состояния -- ПС -- пространственное распределение -- кристаллиты -- структурные особенности -- фотовольтаические эффекты -- потенциальные барьеры -- неоднородность -- фотоносители -- носители заряда -- неосновные фотоносители -- анизотропное поглощение света -- поглощение света -- поликристаллы Аннотация: Предложена модель поликристаллического полупроводника, соответствующая его реальной структуре, и на основе этой модели развит механизм аномальных фотовольтаических эффектов (возникновение аномального фотонапряжения, его зависимость от угла освещения, аномальный фотомагнитный эффект). Считается, что потенциальные барьеры, вносящие неоднородность в пространственное распределение фотоносителей, возникают вследствие захвата основных носителей заряда на поверхностные состояния границ кристаллитов. Эффект существенно зависит от амплитуды барьера: если изгиб зон у границ кристаллитов истощающий, эффект определяется пространственным разделением основных фотоносителей барьером, в противном случае (инверсионный изгиб зон) эффект формируется за счет разделения неосновных фотоносителей. В основе механизма лежат анизотропия поглощения света объемом поликристалла (истощающий изгиб зон) или геометрическая неоднородность пленок, вызванная косым напылением при получении (инверсионный изгиб зон). Причиной анизотропного поглощения света является отражение света границами кристаллитов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p728-733.pdf Доп.точки доступа: Атакулов, Ш. Б.; Зайнолобидинова, С. М.; Набиев, Г. А.; Тухтаматов, О. А. |
539.2 И 957 Ихсанов, Р. Ш. Повышение эффективности органических солнечных элементов с помощью плазмонных наночастиц / Р. Ш. Ихсанов, И. Е. Проценко, А. В. Усков // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 10. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 7-8 (16 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- плазмонные свойства -- наночастицы -- численное моделирование -- эффективные потенциалы -- алюминий -- органические солнечные элементы -- гетеропереходы -- экситоны -- скорость генерации -- поглощение света -- модель Максвелла - Гарнета -- Максвелла - Гарнета модель Аннотация: С помощью численного моделирования показано, что при введении алюминиевых наночастиц в один из слоев органического солнечного элемента с объемным гетеропереходом происходит увеличение скорости генерации экситонов в активном слое элемента. Расчеты поглощения в солнечном элементе, проведенные в приближении эффективного показателя преломления по модели Максвелла-Гарнета, дают максимальную относительную величину увеличения скорости генерации экситонов приблизительно 4%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/10/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Проценко, И. Е.; Усков, А. В. |