Даунов, М. И. Холловская подвижность электронов в GeAu{2} в окрестности разнодолинного перехода L[1]-дельта[1], индуцированного высоким давлением [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов, Р. Х. Акчурин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.33 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- разнодолинные переходы -- рассеяние электронов -- холловская подвижность электронов Аннотация: Приведены данные о холловской подвижности электронов в германии с двухзарядным уровнем золота в зависимости от гидростатического давления до 7 ГПа при 295 К. Рассчитаны параметры S=0,57+-0,10 и S=0,29+-0,12, характеризующие интенсивность рассеяния электронов между неэквивалентными L[1]- и дельта[1]-долинами в окрестности разнодолинного перехода Доп.точки доступа: Камилов, И.К.; Габибов, С.Ф.; Акчурин, Р.Х. |
621.315.592 Д 211 Даунов, М. И. Электронные фазовые переходы металл-диэлектрик под давлением в полупроводниках [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 53 ( 35 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): сильнолегированные компенсированные полупроводники -- полупроводники -- делокализация дырок -- электроны -- фазовые диаграммы Аннотация: Рассматривается влияние всестороннего давления на характер перехода металл-диэлктрик в слаболегированных и сильнолегированных компенсированных полупроводниках. Показано, как сказывается гибридизация резонансных квазилокализованных примесных состояниями зонного континуума на этот переход. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] : текст / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. |
Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях-модель аморфного полупроводника [Текст] / М. И. Даунов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 20-24. - Библиогр.: c. 24 (22 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- всестороннее давление -- квазибесщелевые полупроводники -- модель аморфного полупроводника -- электронный транспорт -- энергетический спектр Аннотация: Обобщены данные об энергетическом спектре и электронном транспорте при всестороннем давлении в сильно легированных компенсированных полупроводниках с глубокой примесной зоной, расположенной на хвосте плотности состояний собственной зоны. Показана целесообразность использования подобных объектов, подвергнутых воздействию высокого давления, для моделирования аморфного полупроводника. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Магомедов, А. Б. |
Даунов, М. И. О природе "тяжелых" электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 180-186
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бесщелевые полупроводники p-типа -- HgTe -- тяжелые электроны -- электронный транспорт Аннотация: Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой "тяжелыми" электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R (T, H, P) и удельной электропроводности сигма[0] (T, P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
Даунов, М. И. Концепция порога подвижности: правило Иоффе и Регеля [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 10. - С. 1885-1890. - Библиогр.: с. 1890 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): порог подвижности -- правило Иоффе и Регеля -- Иоффе и Регеля правило -- кристаллические полупроводники -- фазовые переходы металл-диэлектрик Аннотация: Обсуждается характер фазовых переходов металл-диэлектрик в твердом теле, не связанных с изменением симметрии кристаллической решетки, по данным эксперимента в трехмерных слабо и сильно легированных кристаллических полупроводниках. Приведены минимальные металлические проводимости и подвижности, критические концентрации основных примесей и носителей заряда, коэффициенты компенсации в n-GaAs, p-Ge, p-CdSnAs[2] Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
621.315.592 О-110 О резонансном донорном уровне в n-CdTe по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении [Текст] / М. И. Даунов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 44-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансные донорные уровни -- n-CdTe -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электропроводность -- объемные кристаллы -- кристаллы -- температурная зависимость -- запрещенные зоны -- коэффициенты давления -- количественный анализ -- экспериментальные данные -- барические зависимости -- электронный транспорт -- электроны Аннотация: Представлены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических (при гидростатическом давлении до P=2. 5 ГПа и T=300 K) и температурных (в температурном интервале 15-300 K при атмосферном давлении) зависимостей коэффициента Холла и электропроводности объемных кристаллов n-CdTe с концентрацией электронов 10{15}-10{17} см{-3} при T=300 K. Использована четырехуровневая модель: глубокие донорные уровни, расположенные в запрещенной зоне и сплошном спектре зоны проводимости, и мелкие донорный и акцепторный уровни. Определено положение донорных уровней и коэффициенты давления энергетических промежутков между ними и краем зоны проводимости. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p44-47.pdf Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Ковалев, А. С.; Моллаев, А. Ю.; Магомедов, А. Б. |
621.315.592 В 586 Влияние давления на электронный спектр арсенида индия [Текст] / И. К. Камилов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1604-1610 : ил. - Библиогр.: с. 1609-1610 (35 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): арсенид индия -- InAs -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- удельное сопротивление -- кристаллы -- объемные кристаллы -- гидростатистическое давление -- энергетический спектр -- электроны -- кристаллические решетки -- уровни энергии -- примесные центры -- количественный анализ -- электропроводность Аннотация: По данным о зависимостях коэффициента Холла и удельного сопротивления в объемных кристаллах n-, p-InAs и p-InAs Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1604-1610.pdf Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Даунов, М. И.; Моллаев, А. Ю. |
621.315.592 Э 455 Электрофизические свойства оксида цинка при всестороннем давлении до 25 ГПа [Текст] / М. И. Даунов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1053-1055. - Библиогр.: c. 1055 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидростатистическое давление -- квазигидростатическое давление -- кинетические коэффициенты -- коэффициент Холла -- монокристаллы n-ZnO -- оксид цинка -- полиморфные переходы -- полупроводники -- Холла коэффициент -- электросопротивление -- энергия ионизации Аннотация: Измерены зависимости коэффициента Холла R[H] (P) и электросопротивления ро (P) от гидростатистического давления до 8 ГПа и от квазигидростатического давления до 25 ГПа при Т=300 К в объемных кристаллах n-ZnO. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Гаджиалиев, М. М.; Мусаев, А. М.; Хохлачев, П. П. |
539.2 О-110 О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках n-InSb и n-CdSnAs[2] / М. М. Гаджиалиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 865-867 : ил. - Библиогр.: с. 867 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- атмосферное давление -- всестороннее давление -- узкозонные полупроводники -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- легирование -- магнитные поля Аннотация: Проведен анализ экспериментальных барических при всестороннем давлении до 12 кбар и магнитополевых до 15 кЭ зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и поперечного магнетосопротивления при 77 K в макроскопически однородных объемных сильно легированных и сильно вырожденных кристаллах n-InSb и n-CdSnAs[2]. Установлено, что поперечное магнетосопротивление в исследованных полупроводниках как в области слабых, так и в области классически сильных магнитных полей определяется статистически распределенными неоднородностями. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p865-867.pdf Доп.точки доступа: Гаджиалиев, М. М.; Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Мусаев, А. М.; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала) |
539.2 О-110 О глубоком донорном уровне в n-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении / М. И. Даунов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1024-1026 : ил. - Библиогр.: с. 1026 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- количественный анализ -- барические зависимости -- электросопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- атмосферное давление -- энергетические спектры Аннотация: Приведены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических зависимостях электросопротивления и коэффициента Холла при всесторонних давлениях от атмосферного до 18 ГПа в n-GaAs. В интервале давлений 10 меньше или равно q P меньше или равно q 18 ГПа обнаружен глубокий донорный центр. Обсуждаются положение его уровня энергии относительно края Gamma-долины зоны проводимости при атмосферном давлении и его принадлежность вакансии мышьяка. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1024-1026.pdf Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Залибеков, У. З.; Камилов, И. К.; Моллаев, А. Ю.; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала) |