537.226 Ж 911 Журавлев, Ю. Н. Электронная структура ромбоэдрических оксианионных кристаллов [Текст] / Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N4. - Библиогр.: с.55 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): электронная структура -- теория функционала -- метод псевдопотенциала -- зонная структура -- оксианионные кристаллы -- гибридизация Аннотация: В рамках теории функционала локальной электронной плотности методом псевдопотенциала в базисе численных sp{3}d{5}-атомных псевдоорбиталей выполнен расчет зонной структуры, плотности состояний, электронной плотности ряда оксианионных кристаллов MCO[3](M:Mg,Ca), MNO3(M:Li,Na,K,Rb), MClO[3](M:Rb,Tl), MBrO[3](M:K,Tl). Определены природа квантовых состояний валентной зоны, характер гибридизации между ними и на этой основе рассмотрены рядовые зависимости параметров зонной структуры Доп.точки доступа: Поплавной, А.С. |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: c. 7 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремний-германиевые наноструктуры -- метод псевдопотенциала -- германиевые кластеры -- кремний -- нанокластеры Аннотация: Методом потенциала изучены электронные состояния (энергии локализованных и резонансных уровней, волновые функции, зарядовая плотность состояний) и спектры оптического поглощения германиевых кластеров в матрице кремния. Исследована возможность описания кластерных состояний Ge в Si методом эффективной массы. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.2 К 210 Караваев, Г. Ф. Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика) Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.19 Ч-581 Чибисов, Андрей Николаевич (канд. физ.-мат. наук; науч. сотрудник). Квантово-механический расчет электронной структуры BaTiO3 [Текст] / А. Н. Чибисов, авт. М. А. Чибисова // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41. Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 29-30. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): титанат бария -- тетрагональный титанат бария -- электронная структура титаната бария -- расчеты -- теория функционала электронной плотности -- метод псевдопотенциала Аннотация: В статье рассмотрены теоретические основы электронной структуры тетрагонального титаната бария. Методами функционала электронной плотности и теории псевдопотенциалов произведены расчеты. Доп.точки доступа: Чибисова, Марина Анатольевна (канд. физ.-мат. наук; ст. преподаватель каф. БЖД) |
Копытов, А. В. Термодинамические и упругие свойства AgInSe[2] и AgInTe[2] [Текст] / А. В. Копытов, А. В. Кособуцкий // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1271-1273. - Библиогр.: с. 1273 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод псевдопотенциала -- теплоемкость -- коэффициенты сжимаемости -- объемные упругости кристаллов Аннотация: В рамках теории функционала плотности с использованием метода псевдопотенциала выполнены расчеты теплоемкости при постоянном объеме в зависимости от температуры, а также упругих постоянных, коэффициентов сжимаемости и модулей объемной упругости кристаллов AgInSe[2] и AgInTe[2] со структурой халькопирита. Для соединения с теллуром выполнено сравнение вычисленной теплоемкости с результатами измерений, которое показывает хорошее согласие теории и эксперимента. Рассчитанные из первых принципов значения модулей объемной упругости AgInSe[2] и AgInTe[2] (60. 4 и 50. 1 GPa соответственно) несколько выше имеющихся в литературе результатов, полученных ранее с помощью приближенных полуэмпирических формул. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В. |
Брудный, В. Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 7. - С. 43-45. - Библиогр.: c. 45 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): германий -- квантовые точки Ge -- кремний -- метод псевдопотенциала -- нанокластеры германия -- спектры оптического поглощения Si Аннотация: Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровнем германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |