621.315.592
К 137


    Кадушкин, В. И.
    Разогрев 2D-электронов в скрещенных магнитном и электрическом полях [Текст] / В. И. Кадушкин // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 20-21 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
разогрев 2D-электронов -- электрон-электронные взаимодействия -- электронные полупроводниковые системы -- разогрев -- эффект разогрева
Аннотация: Экспериментально исследован разогрев двумерных 2D-электронов. Установлено, что эффекты разогрева двумерных электронов идентичны объемному случаю. Установлена зависимость эффективной электронной температуры от электрического поля.



539.2
Ш 32


    Шашкин, А. А.
    Переходы металл - диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах [Текст] / А. А. Шашкин // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 2. - С. 139-161. - Библиогр.: с. 159-161 (265 назв. ). - ил.: 21 рис. . - ISSN 0042-1294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
металл - диэлектрик -- переходы металл - диэлектрик -- электрон-электронные взаимодействия -- электронные системы -- двумерные электронные системы -- спины -- спиновые восприимчивости
Аннотация: Дается обзор и критический анализ экспериментальных результатов, относящихся к переходам металл - диэлектрик и аномальным свойствам двумерных электронных систем с сильным взаимодействием. Особое внимание уделено последним результатам, касающимся значительного увеличения спиновой восприимчивости и эффективной массы в кремниевых МОП-структурах с низким уровнем беспорядка.



539.2
М 12


    Магарилл, Л. И.
    Спектр и кинетика электронов в криволинейных наноструктурах [Текст] / Л. И. Магарилл, А. В. Чаплин, М. В. Энтин // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 9. - С. 995-1000. - Библиогр.: с. 1000 (13 назв. ). - ил.: 4 рис. . - ISSN 0042-1294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сессии -- спектры -- кинетика электронов -- наноструктуры -- гамильтониан квантовой проводки -- электрон-электронные взаимодействия
Аннотация: Наличие искривления приводит к дополнительным вкладам в энергию, которые, оставаясь малыми по сравнению с энергией квантования, оказываются сравнимыми с продольной кинетической энергией. Кручение и кривизна оказывают влияние на спиновую степень свободы, приводя к дополнительным вкладам в спин-орбитальное взаимодействие в криволинейных низкоразмерных системах.

Перейти: http://www.ufn.ru

Доп.точки доступа:
Чаплин, А. В.; Энтин, М. В.


539.2
Р 69


    Романенко, А. И.
    Неоднородные электронные состояния в углеродных наноструктурах различной размерности и кривизны образующих их графеновых слоев [Текст] / А. И. Романенко, А. В. Окотруб [и др.] // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 9. - С. 1000-1004. - Библиогр.: с. 1004 (23 назв. ). - ил.: 6 рис. . - ISSN 0042-1294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сессии -- наноструктуры -- нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- углеродные пленки -- графеновые слои -- электрон-электронные взаимодействия
Аннотация: Доклад посвящен экспериментальному определению константы электрон-электронного взаимодействия в углеродных наноструктурах на основе криволинейных графеновых слоев, а также особенностям движения носителей тока в системах, состоящих из криволинейных поверхностей и одномерных нитей.


Доп.точки доступа:
Окотруб, А. В.; Кузнецов, В. Л.; Котосонов, А. С.; Образцов, А. Н.


011/016
Н 76


   
    Новости физики в сети Internet [Текст] // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 6. - С. 638 . - ISSN 0042-1294
УДК
ББК 91
Рубрики: Литература универсального содержания--Библиографические пособия
Кл.слова (ненормированные):
электрон-электронные взаимодействия -- магнитные свойства -- скорость перемагничивания -- молекулы углерода
Аннотация: Представлен аннотированный список литературы по материалам электронных препринтов.





    Клочихин, А. А.
    Квантовое решение задачи аккумуляционного слоя n-InN [Текст] / А. А. Клочихин, И. Ю. Страшкова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 789-793 : ил. - Библиогр.: с. 793 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
слои -- аккумуляционные слои -- квантовая теория -- кристаллы -- плотность Кона-Шэма -- Кона-Шэма плотность -- электрон-электронные взаимодействия -- экспериментальные данные -- n-InN
Аннотация: Развита квантовая теория аккумуляционного слоя для n-типа кристаллов InN и кристаллов со сходными свойствами, в которой наряду с кулоновским вкладом учтено обменное электрон-электронное взаимодействие в рамках приближения локальной плотности Кона-Шэма. Применимость теории продемонстрирована на примере экспериментальных данных, опубликованных в литературе в последнее время. Развитый подход обеспечивает наиболее надежную базу для определения параметров аккумуляционных слоев.


Доп.точки доступа:
Страшкова, И. Ю.


537.311.33
А 940


    Афанасова, М. М.
    Роль электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействий в процессах разрушения квантования Ландау в наноструктурах InAs/AlSb [Текст] / М. М. Афанасова, авт. В. А. Степанов // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 8. - С. 20-24 . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
2D-электронный газ -- время релаксации электрона -- квантование Ландау -- Ландау квантование -- наноструктуры InAs/AlSb -- электрон-фононные взаимодействия -- электрон-электронные взаимодействия
Аннотация: Обнаружена немонотонная зависимость квантового времени релаксации электрона от температуры. Предложена интерпретация наблюдаемых результатов на основе учета конкуренции каналов электрон-электронных взаимодействий внутри и между подзонами. Экспериментальная нелинейная зависимость (T) и TD (T) объяснена появлением дополнительного канала рассеяния двумерных (2D) электронов на деформационных акустических фононах при взаимодействии с пьезоакустическими фононами.


Доп.точки доступа:
Степанов, В. А.