621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. (???? 1). Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью кадмий-ртуть-теллур [Текст] / А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2003. - N8. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): кадмий -- полупроводники -- полупроводниковая мишень -- ртуть -- теллур Аннотация: В работе предлагается математическая модель, описывающая взаимодействие мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью Cd[x]Hg[1-x]Te (кадмий-ртуть-теллур, или КРТ), приводятся результаты численного моделирования и сравнение их с экспериментом Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
669.017 Н 18 Нажмудинов, А. М. Влияние электропереноса на процессы контактного плавления в системе висмут-теллур [] / А. М. Нажмудинов, Л. С. Пацхверова, М. Р. Хайрулаев // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 2. - С. 89-92 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): контактное плавление; электроперенос; висмут; теллур; постоянные электрические токи; кристаллизация расплавов; рекристаллизация расплавов; охлаждение расплавов Аннотация: Исследован эффект контактного плавления в бинарной системе висмут-теллур со сложной диаграммой состояния при различных программах нагрева при пропускании через область контакта постоянного электрического тока. Изменением величины и направления постоянного электрического тока можно управлять процессами фазообразования и кинетикой контактного плавления. Доп.точки доступа: Пацхверова, Л. С.; Хайрулаев, М. Р. |
539.2 А 39 Акимов, Б. А. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe (Ga [] / Б. А. Акимов, В. А. Богоявленский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 160-163. - Библиогр.: с. 163 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): валентность; галлий; легирование; нанофотоника; переменная валентность; пленки; рекомбинация; слои; теллур; фотопроводимость; цинк; эпитаксиальные пленки; эпитаксиальные слои Аннотация: Приведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe (Ga) , синтезированных методом "горячей стенки". Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях. Доп.точки доступа: Богоявленский, В. А.; Васильков, В. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Особенности температурной зависимости фотолюминесценции свехрешеток квантовых точек СdTe/ZnTe [] / В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 168-171. - Библиогр.: с. 171 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): барьерные слои; кадмий; квантовые точки; люминесценция; многослойные структуры; нанофотоника; сверхрешетки; слои; структуры; теллур; фотолюминесценция; цинк Аннотация: Проведено исследование температурной зависимости люминесценции сверхрешеток квантовых точек СdTe/ZnTe (многослойных структур с квантовыми точками) с различной толщиной барьерного слоя ZnTe. Доп.точки доступа: Онищенко, Е. Е. |
539.2 Р 33 Редько, Н. А. Особенности теплопроводности висмута, легированного теллуром, при низких температурах [] / Н. А. Редько, В. Д. Каган, Н. А. Родионов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 3. - С. 404-411. - Библиогр.: с. 411 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): висмут; компенсированные полуметаллы; концентрации; легирование; металлы; полупроводники; примеси; релаксация; теллур; теплопроводность; теплопроводность; фононная теплопроводность; фононы; электроны Аннотация: В висмуте, легированном теллуром, исследуется фононная теплопроводность. Анализируется влияние различных механизмов релаксации фононов на зависимости обоих максимумов фононной теплопроводности от температуры, концентрации примесей и концентрации электронов. Доп.точки доступа: Каган, В. Д.; Родионов, Н. А. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного при отклонении от термодинамического равновесия [] / В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, В. В. Зайцев, В. С. Кривобок // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 583-590. - Библиогр.: с. 590 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; диэлектрики; игольчатые монокристаллы; кристаллическая структура; монокристаллы; низкотемпературная фотолюминесценция; однородное распределение; оптоэлектроника; полупроводники; примеси; рентгеноструктурный анализ; теллур; термодинамическое равновесие; фотолюминесценция; цинк Аннотация: Исследования методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеноструктурного анализа показали, что полученные образцы обнаруживают высокое структурное совершенство, однородное распределение примесей и слабое взаимодействие с дефектами кристаллической структуры. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В.; Зайцев, В. В.; Кривобок, В. С. |
539.2 Б 82 Борисов, С. А. Особенности неупругого рассеяния нейронов на TA фононах в сильно легированном арсениде галлия [] / С. А. Борисов, С. Б. Вахрушев, А. А. Набережнов, Н. М. Окунева // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 6. - С. 1026-1031. - Библиогр.: с. 1030-1031 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия; легирование; легированный арсенид галлия; линия неупругого рассеяния; нейтроны; неупругое рассеяние; рассеяние; теллур; фононы Аннотация: Представлены результаты исследования температурной зависимости формы линии неупругого рассеяния нейтронов на ТА фононах в GaAs, сильно легированном Te, в интервале температур от 363 до 253 К. Доп.точки доступа: Вахрушев, С. Б.; Набережнов, А. А.; Окунева, Н. М. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Влияние адсорбции атомов VI группы на работу выхода кремния [] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 9. - С. 1711-1714. - Библиогр.: с. 1714 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): S/Si[100]; Se/Si[111]; адсорбционные связи; адсорбция; адсорбция атома; кремний; метод связывающих орбиталей; работа выхода систем; селен; сера; теллур; энергии адсорбционных связей Аннотация: Предложена модель адсорбции атомов S, Se, Te на кремнии, с помощью которой удалось вполне адекватно описать изменения работы выхода систем S/Si[100] и Se/Si[111] в диапазоне покрытий от нулевого до монослойного. Методом связывающих орбиталей оценены энергии адсорбционной связи S-Si, Se-Si, Te-Si. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Экситон-дырочное рассеяние в ZnTe [] / В. С. Багаев, В. В. Зайцев, Ю. В. Клевков, В. С. Кривобок // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1758-1761. - Библиогр.: с. 1761 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; высокочистые поликристаллы; люминесценция; низкотемпературная люминесценция; поликристаллы; полупроводники; рассеяние; стационарное возбуждение; теллур; цинк; экситон-дырочное рассеяние; экситоны Аннотация: Исследована низкотемпературная люминесценция высокочистых поликристаллов ZnTe при различных уровнях стационарного возбуждения. Доп.точки доступа: Зайцев, В. В.; Клевков, Ю. В.; Кривобок, В. С. |
547 З-38 Захаров, А. В. (канд. хим. наук). Синтез, реакции и строение теллурониевых солей [Текст] / А. В. Захаров, И. Д. Садеков, В. И. Минкин // Успехи химии. - 2006. - Т. 75, N 3. - С. 234-253. - Библиогр.: с. 251-253 (163 назв. ). - Ил.: 1 табл. . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия--Органическая химия Кл.слова (ненормированные): соли; теллур; теллурониевые соли; триорганилтеллурониевые соли; синтез солей; органический синтез; реакции (химия); химические реакции; кристаллические структуры Аннотация: Обобщены и систематизированы данные по синтезу, строению и свойствам триорганилтеллурониевых солей. Особое внимание уделено использованию этих соединений в препаративном органическом синтезе. Доп.точки доступа: Садеков, И. Д. (д-р хим. наук, проф.); Минкин, В. И. (академик) |
539.2 В 19 Васин, А. С. Моделирование диффузионной нестабильности распределения атомов ртути в сплаве кадмий-ртуть-теллур [Текст] / А. С. Васин, авт. М. И. Василевский // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 1. - С. 36-39. - Библиогр.: с. 39 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузионная нестабильность; кадмий; катионные вакансии; низкотемпературный отжиг; отжиг; ртуть; сплавы; теллур Аннотация: Проведено численное исследование образования неоднородностей в сплаве кадмий-ртуть-теллур при послеростовом охлаждении или при низкотемпературном отжиге. Механизм явления основан на диффузионной нестабильности в системе, включающей атомы ртути в узлах и междоузлиях и катионные вакансии. Доп.точки доступа: Василевский, М. И. |
539.2 О-70 Оруджев, Г. С. Зонная структура и оптические свойства цепочечного соединения TlInTe[2] [Текст] / Г. С. Оруджев, Э. М. Годжаев, Р. А. Керимова, Э. А. Алахяров // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 1. - С. 40-43. - Библиогр.: с. 43 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость; зонная структура; индий; коэффициент преломления; метод псевдопотенциалов; поляризационная зависимость; спектральная зависимость; таллий; теллур; цепочечные соединения; электроны Аннотация: Для полупроводникового соединения TlInTe[2] приведены результаты расчетов методом псевдопотенциала зонной структуры, эффективной массы дырок и электронов, спектральной и поляризационной зависимостей мнимой и действительной частей комплексной диэлектрической проницаемости, эффективного числа валентных электронов и функции характеристических потерь в широкой спектральной области. Определены значения коэффициента преломления кристалла TlInTe[2]. Проведен сравнительный и критический анализ существующих теоретических и экспериментальных материалов. Доп.точки доступа: Годжаев, Э. М.; Керимова, Р. А.; Алахяров, Э. А. |
539.2 П 38 Плещев, В. Г. Структурные фазовые превращения и физические свойства интеркалированных соединений в системе Cr[0. 5]Ti (Se[1-x]Te[x]) [2] [Текст] / В. Г. Плещев, Н. В. Баранов, И. А. Мартьянова // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1843-1848. - Библиогр.: с. 1847-1848 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомное разупорядочение; атомы халькогена; ван-дер-ваальсовые щели; интеркалированные соединения; селен; теллур; хром; электросопротивление Аннотация: Проведено систематическое исследование атомной структуры, магнитных и электрических свойств в системе интеркалированных фаз Cr[0. 5]TiSe[2] - Cr[0. 5]TiTe[2] при постепенном замещении селена теллуром. Обнаружено, что при таком замещении происходит изменение кристаллической структуры от моноклинной до исходных соединений к гексагональной для соединений, содержащих атомы халькогена разного сорта, которое сопровождается разупорядочением атомов хрома в ван-дер-ваальсовых щелях. Электросопротивление и магнитные характеристики испытывают немонотонное изменение при замещении селена теллуром, что связывается с изменением степени атомного разупорядочения при переходе от Cr[0. 5]TiSe[2] - Cr[0. 5]TiTe[2]. Доп.точки доступа: Баранов, Н. В.; Мартьянова, И. А. |
539.2 А 19 Аверкиев, Н. С. Квантовые поправки к сопротивлению нового нанообъекта - 2 D слоя на внутреннем интерфейсе: кластеры Te - матрица (опал [Текст] / Н. С. Аверкиев, В. Н. Богомолов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 12. - С. 2204-2207. - Библиогр.: с. 2207 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые поправки к сопротивлению; магнетосопротивление; нанокластерные кристаллы; нелегированный теллур; проводящий дырочный слой; синтетический опал; теллур; электронные спектры Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано низкотемпературное аномальное магнетосопротивление нового нанообъекта - 2 D слоя на внутреннем интерфейсе: нанокластеры нелегированного теллура - диэлектрическая матрица (опал) . 2 D слой в структуре Te-опал представляет собой регулярную решетку сферических поверхностей, покрытых 2 D проводящим дырочным слоем - "interface bubble lattice". Обнаруженные особенности магнетосопротивления качественно соответствуют теории квантовых поправок к сопротивлению, но проявляются в необычных для этого эффекта сильных магнитных полях (вплоть до 120 kOe) . Развит метод расчета квантовых поправок к сопротивлению в рамках теории эффекта слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, учитывающий сложность геометрической структуры объекта и особенности электронного спектра Te. Доп.точки доступа: Богомолов, В. Н.; Березовец, В. А.; Нижанковский, В. И.; Романов, К. С.; Фарбштейн, И. И. |
541.124/128+539.122:534.242+539.1 М 80 Морозова, Н. И. Исследование эффектов, обусловленных присутствием поверхностных катионов олова, сурьмы или теллура, в реакции дегидратации изопропанола в присутствии Cr[2]O[3] с применением мессбауэровской спектроскопии [Текст] / Н. И. Морозова, И. И. Кулакова, М. И. Афанасов, П. Б. Фабричный // Вестник Московского университета. Сер. 2, Химия. - 2006. - Т. 47, N 5. - С. 353-358. - Библиогр.: c. 358 (21 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Химия--Общая химия. Теоретическая химия Кл.слова (ненормированные): поверхностные катионы олова; олово; поверхностные катионы сурьмы; сурьма; поверхностные катионы теллура; теллур; реакция дегидратации; изопропанол; мессбауэровская спектроскопия Аннотация: Проведено сравнение каталитических свойств образцов Cr[2]O[3], содержащих ионы {119}Sn, {121}Sb и {125}Te на поверхности кристаллитов. Для всех образцов, включая эталон, не содержавший добавок, при повышении температуры на графике изменения логарифма удельной скорости реакции In W в зависимости от 1/T наблюдается излом. При последующем понижении температуры ход зависимости In W-1/T сохраняется в случае эталона и теллурсодержащего образца, в то время как для образцов с добавками олова и сурьмы эта зависимость становится линейной во всем исследованном интервале температур. Мессбауэровские измерения in situ показали, что в отличие от ионов Te{4+}, сохраняющих в условиях катализа свое валентное состояние, ионы Sn{4+} и Sb{5+} восстанавливаются до Sn{2+} и Sb{3+}. Находясь на граничной поверхности кристаллитов, ни один из изоэлектронных катионов Sn{2+}, Sb{3+} и Te{4+} не повлиял значимым образом на энергию активации реакции дегидратации. Это объясняется тем, что все они занимают позиции с низким координационным числом, не позволяющим образовывать связи с ОН-группами, входящими в состав активных центров. Доп.точки доступа: Кулакова, И. И.; Афанасов, М. И.; Фабричный, П. Б. |
534.222 Г 95 Гурьев, Д. Л. Твердофазный синтез ZnTe в ударных волнах [Текст] / Д. Л. Гурьев, Ю. А. Гордополов, С. С. Бацанов // Физика горения и взрыва. - 2006. - N 1. - С. 130-137. - Библиогр.: с. 137 (22 назв. ). - Ил.: табл. . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Физика--Акустика Кл.слова (ненормированные): ударные волны; химическая реакция; твердофазная детонация; гетерогенная смесь; цинк-теллур; твердофазный синтез; реакционная ячейка; энтальпии сжатия; энергия автоматизации; тепловой эффект; теплоемкость; ударное давление; цифровой прибор; динамический импульс Аннотация: Измерены скорости фронта ударных волн в стехиометрической гетерогенной смеси цинк-теллур в цилиндрических ампулах при нормальной и повышенной температурах. Доп.точки доступа: Гордополов, Ю. А.; Бацанов, С. С. |
621.3 В 19 Васильев, В. В. Вольт-фарадные характеристики структур на основе p-Cd[0. 27]Hg[0. 73]Te с широкозонным варизонным слоем на поверхности [Текст] / В. В. Васильев, авт. Ю. П. Машуков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 38-43 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики структур -- полупроводниковые твердые растворы -- растворы кадмий-ртуть-теллур -- экранировка области Аннотация: Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In - SiO[2] - (варизонный слой Cd[0. 71-0. 27]Hg[0. 29-0. 73]Те) - p-Cd[0. 27]Hg[0. 73]Те - GaAs при температуре 80 К и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2 раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней. Доп.точки доступа: Машуков, Ю. П. |
621.315.592:539.216.22:548.522 Б 72 Бобровникова, И. А. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии соединений III-V [Текст] / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 5. - С. 3-7. - Библиогр.: c. 7 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): газофазовая эпитаксия; арсенид галлия; атомы; цинк; теллур Аннотация: С применением расчетных и экспериментальных методов изучены элементарные процессы на поверхности при газофазовой эпитаксии соединений III-V. Сопоставление результатов расчета состава газовой фазы в реакторе и адсорбционных слоев на поверхности роста с экспериментальными данными по структуре поверхности и электрофизическим параметрам слоев арсенида галлия, легированных цинком и теллуром, позволило оценить характерные величины поверхностных процессов: среднюю длину диффузного пробега и коэффициент поверхностной диффузии для атомов основного вещества (для GaAs, InAs, InP) и легирующих примесей (Zn, Te) . Доп.точки доступа: Ивонин, И. В.; Торопов, С. Е. |
547 Р 89 Руссавская, Н. В. Реакция 1-бром-3-хлорпропана с теллуром и диметилдителлуридом в системе гидразин-гидрат-щелочь [Текст] / Н. В. Руссавская, Е. П. Леванова [и др.] // Журнал общей химии. - 2006. - Т. 76, N 5. - С. 763-766. - Библиогр.: с. 766 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия--Органическая химия Кл.слова (ненормированные): ациклические соединения; спирты; одноатомные насыщенные спирты; углеводороды; теллур; реакции; 1-бром-3-хлорпропан; диметилдителлурид; система гидразин-гидрат-щелочь Аннотация: Результаты исследования поведения теллура и некоторых его производных в реакции с 1-бром-3-хлорпропаном в основно-восстановительной системе гидразин-гидрат-щелочь. Доп.точки доступа: Леванова, Е. П.; Сухомазова, Э. Н.; Грабельных, В. А.; Елаев, А. В.; Клыба, Л. В.; Жанчипова, Е. Р.; Албанов, А. И.; Коротаева, И. М.; Торяшинова, Д. С. Д.; Корчевин, Н. А. |
547 Л 34 Леванова, Е. П. Образование теллуретана и 1, 5-дителлурациклооктана в реакции теллура с 1-бром-3-хлорпропаном в системе гидразин-гидрат-щелочь [Текст] / Е. П. Леванова, А. В. Елаев [и др.] // Журнал общей химии. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 2059-2060. - Библиогр.: с. 2060 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия--Органическая химия Кл.слова (ненормированные): ациклические соединения; одноатомные насыщенные спирты; теллурсодержащие аналоги; теллуретан; теллур; октаны; 1-бром-3-хлорпропан; гидразин-гидрат-щелочь Аннотация: Описано образование теллуретана и 1, 5-дителлурациклооктана в реакции теллура с 1-бром-3-хлорпропаном в системе гидразин-гидрат-щелочь. Доп.точки доступа: Елаев, А. В.; Клыба, Л. В.; Жанчипова, Е. Р.; Грабельных, В. А.; Сухомазова, Э. Н.; Албанов, А. И.; Руссавская, Н. В.; Корчевин, Н. А. |