621.38 Н 553 Несмелова, И. М. Неохлаждаемые термочувствительные элементы на основе кристаллических полупроводников [Текст] / И. М. Несмелова, Н. П. Цицина, В. А. Андреев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 143 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термочувствительные элементы -- антимонид индия -- болометрические элементы Аннотация: На примере монокристаллов антимонида индия рассмотрена возможность создания неохлаждаемых термочувствительных элементов для ИК области спектра. Рассчитаны оптимальные электрические параметры InSb для получения болометрических элементов с максимальной чувствительностью. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными на термодатчиках из антимонида индия. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Цицина, Н. П.; Андреев, В. А. |
539.2 Г 944 Гуляев, Ю. В. Влияние поверхностного состава на плавление тонких пленок InSb [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. А. Веселов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 115 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): антимонид индия -- плавление -- синтез пленок -- тонкие пленки Аннотация: Показана возможность плавления тонких (0. 1-0. 5 mum) пленок InSb непосредственно в атмосфере под защитным слоем собственных окислов с целью получения высокой величины подвижности основных носителей (до 25 000 cm{2}/V*s) . Экспериментально исследованы особенности синтеза пленок, в основу которого положено термическое импульсное испарение порошка InSb в вакууме. Технология позволила обеспечить необходимую неоднородность состава осажденной пленки по толщине для последующего плавления на воздухе. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-113.html.ru Доп.точки доступа: Веселов, А. А.; Веселов, А. Г.; Бурылин, Е. И.; Джумалиев, А. С.; Зюпюкин, Ю. А.; Кирясова, О. А.; Рябушкин, С. Л. |
621.315.592 А 920 Атаев, А. К. Магнетотермоэдс p-InSb при большом градиенте температуры в зависимости от одноосной деформации [Текст] / А. К. Атаев, М. М. Гаджиалиев, Т. Н. Эфендиева // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.76 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): антимонид индия -- деформация -- магнетотермоэдс -- термоэдс Аннотация: В работе изучается поведение термоэдс дырочного InSb при большом градиенте температуры в магнитном поле и влияние на нее одноосной деформации Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml Доп.точки доступа: Гаджиалиев, М.М.; Эфендиева, Т.Н. |
Гаджиалиев, М. М. Температурная зависимость термоэдс диска Корбино из антимонида индия в квантующем магнитном поле [Текст] / М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1032-1033 : ил. - Библиогр.: с. 1033 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антимонид индия -- диск Корбино -- Корбино диск -- термоэдс -- термоэдс насыщения -- магнитное поле -- квантующее магнитное поле -- поперечное магнитное поле -- температурная зависимость Аннотация: Исследована термоэдс диска Корбино из антимонида индия с n[77]=2x10{14} см{-3} в поперечном магнитном поле до 30 кОе при температурах 60, 67, 80 K. Установлено, что диффузионная доля термоэдс в квантующем магнитном поле растет по степенному закону H{2, 2} при всех указанных температурах. По величине термоэдс насыщения alpha[xx] (бесконечность) в сильном поле определен механизм рассеяния носителей тока. Установлено, что в области температур 60-80 K электроны рассеиваются акустическими фононами. Доп.точки доступа: Пирмагомедов, З. Ш. |
Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1142-1150 : ил. - Библиогр.: с. 1149-1150 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- InSb -- узкозонные квантовые точки -- подложки -- InAs -- антимонид индия -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- муаровые узоры -- эпитаксильный рост Аннотация: В интервале температур Т = 420-450°С методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0. 9-2) x 10[10]см[-2], размеры которых составляли З нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3. 5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Пархоменко, Я. А.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Михайлова, М. П.; Берт, Н. А.; Яковлев, Ю. П. |
Баширов, Р. И. Рассеяние электрона с переворотом спина в антимониде и арсениде индия [Текст] / Р. И. Баширов, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 643-645. - Библиогр.: с. 645 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рассеяние электронов -- рассеяние электронов с переворотом спина -- антимонид индия -- арсенид индия -- продольное магнетосопротивление -- квантовые осцилляции Аннотация: С целью определения области температур и величины магнитного поля, при которых происходит рассеяние носителей тока с переворотом поля, при которых происходит рассеяние ностителей тока с переворотом спина в электронных арседине и антимониде индия, исследовано продольное магнетосопротивление в области температур 2. 8 - 200 К и в магнитном поле до 200 kОе. Установлено, что в квантовых осцилляциях продольного магнетосопротивления аренида индия в области температур 4-35 К. и в магнитном поле 146 kОе наблюдаются слабые нулевые максимумы, обусловленные рассеянием электронов с переворотом спина. На продольном магнетосопротивлении антимонида индия нулевые максимумы, обусловленные рассеянием электронов с переворотом спина, обнаруживаются в области температур 60-80 К и в магнитном поле 132 kОе. Доп.точки доступа: Гаджиалиев, М. М.; Пирмагомедов, Э. Ш. |
539.21:535 А 724 Антонов, В. В. Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках [Текст] / В. В. Антонов, авт. В. А. Кузнецов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 7. - С. 105-110. - Библиогр.: c. 110 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): узкозонные полупроводники -- диэлектрические неоднородности -- управляемые концентрационные неоднородности -- лазерные лучи -- отклонение лазерных лучей -- антимонид индия -- температурно-электрическая неустойчивость -- градиент статической диэлектрической проницаемости -- арсенид галлия -- фосфид галлия -- дефлекторы инфракрасного излучения -- дефлекторы лазерного излучения Аннотация: Показано, что в некоторых полупроводниках возможно создание управляемой концентрационной неоднородности, которая вызывает отклонение падающего на нее лазерного луча. В антимониде индия этот эффект возникает при температурно-электрической неустойчивости в магнитном поле. В соединении на основе GaAs-GaP этот эффект происходит за счет встроенного градиента статической диэлектрической проницаемости и группировки электронного потока. Рассмотренные эффекты позволяют использовать их для создания дефлектора инфракрасного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/07/p105-110.pdf Доп.точки доступа: Кузнецов, В. А. |
621.315.592 П 121 Павлов, Н. В. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках [Текст] / Н. В. Павлов, авт. Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- горячие носители заряда -- носители заряда -- узкозонные полупроводники -- функции распределения -- оже-рекомбинация -- модель Кейна -- Кейна модель -- СНСС-процесс -- антимонид индия Аннотация: Исследован механизм излучательной рекомбинации горячих носителей заряда в узкозонных полупроводниках на примере антимонида индия. Показано, что при высоких уровнях возбуждения СНСС-процесс оже-рекомбинации может привести к существенному разогреву носителей заряда. Найдены функция распределения горячих носителей и их концентрация. В рамках модели Кейна выполнен расчет скорости излучательной рекомбинации горячих носителей заряда, а также коэффициента усиления излучения. Показано, что при больших концентрациях носителей излучательная рекомбинация горячих электронов будет вносить существенный вклад в общую скорость излучательной рекомбинации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p32-37.pdf Доп.точки доступа: Зегря, Г. Г. |
621.315.592 К 182 Камилов, И. К. Автосолитоны в монокристаллах низкоомного антимонида индия и теллура в магнитном поле [Текст] / И. К. Камилов, А. А. Степуренко, А. Э. Гумметов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 918-921 : ил. - Библиогр.: с. 921 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): автосолитоны -- АС -- продольные автосолитоны -- монокристаллы -- антимонид индия -- теллур -- магнитные поля -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- диамагнетизм -- гаусс-амперные характеристики -- ГАХ Аннотация: Экспериментально показано, что продольные автосолитоны, возбужденные джоулевым разогревом сильным электрическим полем образцов низкоомного p-InSb (p~10{13} см{-3}) и p-Te (p~10{14} см{-3}), не чувствительны к воздействию магнитного поля. Вызвано это диамагнетизмом, возникающим у продольного автосолитона вследствие самопинчевания. Аналогичное поведение продольного автосолитона проявляется в высокоомных образцах p-InSb (p~10{12} см{-3}) при диамагнетизме, возникающем при theta-пинче во внешнем продольном магнитном поле. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p918-921.pdf Доп.точки доступа: Степуренко, А. А.; Гумметов, А. Э. |
621.315.592 В 586 Влияние давления на температурную зависимость теплопроводности антимонида индия [Текст] / Я. Б. Магомедов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 10. - С. 1526-1528. - Библиогр.: c. 1528 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- антимонид индия -- температурная зависимость -- экспериментальные данные -- гидростатическое давление Аннотация: Исследована зависимость теплопроводности InSb от температуры (300-450 K) и давления (до 0. 4 ГПа). Доп.точки доступа: Магомедов, Я. Б.; Эмиров, С. Н.; Краминина, Н. Л.; Рамазанова, А. Э. |
539.2 Р 693 Романов, В. В. Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице n-InAs / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 938-943 : ил. - Библиогр.: с. 943 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): интерфейсная электролюминесценция -- гетероструктуры -- InSb -- антимонид индия -- InAs -- арсенид индия -- температурные зависимости -- наногетероструктуры -- люминесценция -- длина волны -- квантовые ямы Аннотация: Впервые в гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb, помещенных в узкозонную матрицу n-InAs, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. В исследуемых наногетероструктурах наблюдалась положительная люминесценция в интервале длин волн 3-4 мкм, обусловленная интерфейсными излучательными переходами электронов из самосогласованных квантовых ям на стороне матричных слоев InAs через разъединенную гетерограницу II рода InSb/InAs на уровни размерного квантования дырок в квантовых штрихах InSb, расположенные в запрещенной зоне матрицы вблизи дна зоны проводимости InAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p938-943.pdf Доп.точки доступа: Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |
539.2 У 738 Урюпин, О. Н. Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста / О. Н. Урюпин, Н. Ф. Картенко, Н. Ю. Табачкова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 1002-1006 : ил. - Библиогр.: с. 1005 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопроволоки -- структуры -- InSb -- антимонид индия -- поликристаллические структуры -- физические свойства -- термоэлектрические материалы -- термоэлектрическая эффективность -- хризотиловый асбест Аннотация: Исследована кристаллическая структура ультратонких нанопроволок антимонида индия, полученных вдавливанием расплава полупроводника в каналы хризотилового асбеста. Показано, что нанопроволоки имеют поликристаллическую структуру. Средний размер кристаллитов сравним с диаметром проволок и равен 4. 4 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p1002-1006.pdf Доп.точки доступа: Картенко, Н. Ф.; Табачкова, Н. Ю.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)Московский институт стали и сплавов |