621.38 А 505 Алкеев, Н. В. Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев, В. И. Шашкин // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (12 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- дробовый шум -- шумы полупроводниковых диодов -- спектральная плотность шумов Аннотация: Описан метод измерения спектральной плотности дробовых шумов двухполюсников, в частности полупроводниковых диодов, который применим в диапазоне частот до 200 МГц. Получены формулы, устанавливающие связь между спектральной плотностью токовых шумов диода и измеренными коэффициентом шума и коэффициентом передачи контактного устройства с вмонтированным в него диодом. С помощью этого метода определена зависимость фактора Фано GaAs-диода Шоттки с пониженной высотой барьера от протекающего через него тока. Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Дорофеев, А. А.; Шашкин, В. И. |
621.3 Б 684 Бланк, Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] : обзор / Т. В. Бланк, авт. Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1281-1308 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- термоэлектронная эмиссия -- полевая эмиссия -- термополевая эмиссия -- диоды шоттки -- шоттки диоды Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа A\{II\}B\{VI\} (ZnSe, ZnO), A\{III\}B\{V\} (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), A\{IV\} (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А. |
21.315.592 Г 808 Грехов, И. В. Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / И. В. Грехов, П. А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 211-214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- бор -- охранный p-n-переход Аннотация: Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
621.315.592 Ш 329 Шашкин, В. И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным дельтa -легированием [Текст] / В. И. Шашкин, авт. А. В. Мурель // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 500-502 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- низкобарьерные диоды Шоттки -- барьер Мотта -- Мотта барьер -- дельта-легирование Аннотация: Разработана методика диагностики параметров низкобарьерных диодов Шоттки, основанная на анализе зависимости дифференциального сопротивления диода с барьером Мотта и приповерхностным дельта-легированием. Показано, что возможно полное описание вольт-амперных характеристик диода при учете последовательно включенного n\{-\}-n\{+\}-перехода. Методика позволяет оптимизировать диоды для достижения более высокой чувствительности при детектировании. Доп.точки доступа: Мурель, А. В. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 706-710 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): механизм токопереноса -- нитридгаллиевые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- длина волны де Бройля -- де Бройля длина волны -- туннелирование Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диодах Шоттки Au-TiB[x-n]-GaN, область пространственного заряда в которых значительно превышает длину волны де Бройля в GaN. Анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) прямосмещенных барьеров Шоттки показал, что в интервале температур 80-380 K токоперенос осуществляется туннелированием вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций po из вольт-амперных характеристик в соответствии с моделью туннелирования по дислокационной линии дает величину po~1. 7 х 10\{7\} см\{-2\}, что близко по величине к плотности дислокаций, измеренной методом рентгеновской дифрактометрии. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 И 203 Иванов, П. А. Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 878-881 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсные характеристики -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- карбид кремния Аннотация: Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики (на участке пробоя) для 4H-SiC-диодов Шоттки на 1 кВ с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора. Показано, что динамическое напряжение пробоя диодов увеличивается при уменьшении длительности импульсов. Благодаря однородному лавинообразованию на крае охранного p-n-перехода и большому дифференциальному сопротивлению на участке пробоя диоды выдерживают без деградации импульсное обратное напряжение, значительно превышающее порог статического пробоя. Особенности импульсного пробоя рассматриваются в связи со специфическими свойствами имплантированного бором планарного охранного p-n-перехода. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
621.315.592 П 485 Покотило, Ю. М. Кинетика формирования различных типов водородсодержащих доноров в кремнии, имплантированном протонами [Текст] / Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, О. А. Дзичковский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 893-895 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): водородсодержащие доноры -- кремний -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- нанокластеры -- модель бистабильности Аннотация: Методом C-V-характеристик исследована кинетика накопления двойного и мелкого водородсодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами. Показано, что кинетика описывается реакциями 1-го порядка. Определены энергии активации дельта E[1]=2. 3 эВ, дельтa E[2]=1. 4 эВ и предэкспоненциальные факторы для обоих типов доноров соответственно. Показано, что бистабильность электрических свойств кремния обусловлена двойным водородсодержащим донором. Доп.точки доступа: Петух, А. Н.; Дзичковский, О. А. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе [Текст] / И. Н. Арсентьев, М. В. Байдакова [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 43-47 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автоэпитаксиальные пленки -- полупроводниковые структуры -- тонкопленочные полупроводниковые структуры -- пористые подложки -- стандартные подложки -- безбуферные подложки -- подложки с буфером -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- эпитаксиальные слои Аннотация: Изучена морфология поверхности автоэпитаксиальных пленок n-InP, выращенных на пористых и стандартных "жестких" подложках n{+}-InP ( 100) с буферным слоем и без него. Доп.точки доступа: Байдакова, М. В.; Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Ситникова, А. А.; Улин, В. П.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камаилов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В. |
621.315.592 Б 420 Бекбергенов, С. Е. Эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке [Текст] / С. Е. Бекбергенов, авт. А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная обработка -- арсенид-галлиевые диоды -- полупроводниковые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- облучение лазерными импульсами Аннотация: Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки. Показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности. Доп.точки доступа: Камалов, А. Б. |
Стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона частотной гребенкой фемтосекундного лазера [Текст] / М. Ю. Третьяков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 5. - С. 240-243
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): фазовая стабилизация -- эквидистантные компоненты -- широкополосные спектры -- фемтосекундные лазеры -- лазерные импульсы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- фазовые шумы Аннотация: Осуществлена фазовая стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона по эквидистантным компонентам широкополосного спектра, получаемым с помощью фемтосекундного лазера. Оптико-терагерцовое преобразование последовательности лазерных импульсов и ее смешение с субтерагерцовым излучением осуществлено на диоде Шоттки. Работа открывает возможность создания принципиально нового поколения синтезаторов частоты с требуемой мощностью, уровень фазовых шумов в которых в тысячи раз ниже, чем в традиционных аналогах. Доп.точки доступа: Третьяков, М. Ю.; Шкаев, А. П.; Киселев, А. М.; Бодров, С. Б.; Андрианов, А. В.; Макаров, Д. С. |
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 527-530
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С. |
Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 552-555
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитые волны -- терагерцевое излучение -- приемники излучения -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- спектральный анализ -- дифракционные решетки Аннотация: Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4. 2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Teppe, F.; Knap, W. |
Транспорт заряда в структурах 4H-SiC-детекторов в условиях сильного электрического поля [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1090-1092 : ил. - Библиогр.: с. 1092 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): детекторы -- детекторы ядерного излучения -- 4H-SiC -- заряды -- неравновесные заряды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- спектрометрия -- ядерная спектрометрия -- ионизация -- ударная ионизация -- амплитудный спектр -- альфа-частицы -- диоды Шоттки -- ДШ -- Шоттки диоды -- ядерное излучение Аннотация: Исследован перенос пакетов неравновесного заряда в структуре с барьером Шоттки, выполненным на CVD-пленке 4H-SiC n-типа проводимости. Максимальная напряженность электрического поля составляла 1. 1 МВ/см. Заряд вносился одиночными alpha-частицами и регистрировался с помощью техники ядерной спектрометрии. Наблюдено появление сверхлинейного роста регистрируемого заряда в зависимости от приложенного к структуре обратного смещения. Одновременно также сверхлинейно возрастает разброс значений заряда в амплитудном спектре. Отмеченный эффект связывается с начальной стадией ударной ионизации. Проявление процесса при нетрадиционно малых полях (~1 МВ/см) объясняется спецификой генерации заряда. Порождаемые в ходе торможения alpha-частиц носители заряда оказываются первоначально "разогретыми". Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Мынбаева, М. Г.; Садохин, А. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
Экспериментальные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-Sic [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1249-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1252 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоткки -- Шоттки диоды -- p-n переходы -- JBS-диоды -- 4H-Sic -- диффузия -- неравновесная диффузия -- бор -- статистические характеристики -- динамические характеристики Аннотация: Изготовлены интегрированные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные р-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Коньков, О. И. |
Об "избыточных" точках утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 680-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n-переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- 4H-SiC -- термоэлектронная эмиссия -- монополярная инжекция -- инжекция -- ток, ограниченный пространственным зарядом -- ТОПЗ -- полное заполнение ловушек -- ПЗЛ -- ловушки Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Серебренникова, О. Ю. |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 1002-1006 : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. |
621.315.592 В 586 Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 389-395 : ил. - Библиогр.: с. 395 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры излучения -- изотопы -- фоточувствительность -- детекторы -- CdTe-детекторы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- температурная зависимость -- удельное сопротивление -- нескомпенсированные примеси -- примеси -- рентгеновское излучение -- gamma-излучение -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- энергия фотонов -- фотоны -- носители заряда -- время жизни заряда -- детектирование -- доноры (физика) Аннотация: Из измерений спектров излучения изотопа {55}Fe и фоточувствительности CdTe-детекторов с диодом Шоттки, а также из температурной зависимости удельного сопротивления кристалла CdTe ( (2-3) x 10{9} Ом x см при 300 K) найдена концентрация нескомпенсированных доноров (1-3) x 10{12} см{-3}. Аналогичные измерения, проведенные на кристаллах Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te с удельным сопротивлением (3-5) x 10{10} Ом x см при 300 K, показали, что концентрация нескомпенсированных доноров в этом случае примерно на 4 порядка ниже. Результаты расчетов показывают, что из-за столь значительного уменьшения концентрации нескомпенсированных доноров эффективность детектирования рентгеновского и gamma-излучения в интервале энергий фотонов от 59 до 662 кэВ может уменьшиться на 1-3 порядка (в зависимости от энергии фотонов и времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда). Полученные результаты объясняют наблюдаемые неудовлетворительные детектирующие свойства Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te-детекторов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p389-395.pdf Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Склярчук, В. М.; Мельничук, С. В.; Маслянчук, О. Л.; Грушко, Е. В.; Склярчук, О. В. |
621.315.592 Т 514 Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой) [Текст] / П. А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 411-415 : ил. - Библиогр.: с. 414 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n структуры -- тестовые диоды -- кристаллические структуры -- утечки (физика) -- имплантация бора -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Исследованы утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, имеющих интегрированную шоттки- (p-n) -структуру (JBS, Junction Barrier Schottky). Для исследований использовались коммерческие диоды, а также специально изготовленные (на основе коммерческого эпитаксиального материала) тестовые диоды Шоттки как с JBS-структурой, так и без нее. Показано, что: 1) основную роль в протекании обратного тока играют дефекты кристаллической структуры SiC, по всей вероятности, дислокации (плотность ~10{4} см{-2}) ; 2) JBS-структура, формируемая с помощью имплантации бора, способствует частичному подавлению токов утечки (до 10 раз при оптимальном зазоре, между локальными p-областями, равном 8 мкм). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p411-415.pdf Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Коньков, О. И.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Korol'kov, O.; Sleptsuk, N. |
621.315.592 П 220 Пашаев, И. Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки [Текст] / И. Г. Пашаев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1108-1110 : ил. - Библиогр.: с. 1110 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- температура кристаллизации -- аморфные металлические сплавы -- PbSb -- ультразвуковая обработка -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- СЭ -- ДШ -- термический отжиг -- термоотжиг -- аморфные пленки -- фотоэлектрические свойства -- УЗО -- границы раздела -- ГР Аннотация: Изучена причина появления избыточного тока вблизи температуры кристаллизации аморфного металлического сплава PbSb и одновременно объяснено влияние ультразвуковой обработки на свойства кремниевых солнечных элементов на основе диодов Шоттки с аморфным металлическим сплавом (a-PbSb) -n-Si. Установлено, что появление избыточного тока в диодах Шоттки (a-PbSb) -n-Si под действием термического отжига связано с изменениями структуры аморфной пленки металла при переходе в поликристаллическое состояние. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические свойства солнечных элементов зависит от выбранного режима обработки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1108-1110.pdf |
621.315.592 В 586 Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100) [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 756-760 : ил. - Библиогр.: с. 760 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- поверхность арсенида галлия -- электронные состояния -- метод нестационарной спектроскопии -- глубокие уровни -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- границы раздела -- металл-полупроводник -- кластеры -- поверхность кластеров -- химическое травление -- отжиг -- поверхностные электронные состояния -- ПЭС -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- спектры электронных состояний Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs (100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p756-760.pdf Доп.точки доступа: Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Арсентьев, И. Н.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А. |