Бабичев, Г. Г. Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н. |
621.38 З 430 Звездин, А. К. Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора [Текст] / А. К. Звездин, А. С. Мищенко, А. В. Хвальковский // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): спиновые полуметаллические транзисторы -- спиновые транзисторы -- транзисторы -- ферромагнитные полуметаллы Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия Доп.точки доступа: Мищенко, А.С.; Хвальковский, А.В. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Напряжения лавинного пробоя n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 129 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- лавинный пробой -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Экспериментально проверена методика определения напряжения лавинного пробоя вертикальных переключающих n-p-n-транзисторов И2Л элементов. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Определение толщины базы вертикальных n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов по напряжению "gрокола" базы [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, В. Н. Литвиненко, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 132 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- база -- толщина базы -- напряжение прокола -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Предложен и экспериментально проверен метод определения толщины базовых областей n-p-n-транзисторов И2Л элементов по заданному напряжению "прокола" базы. Изготовлены и исследованы И2Л элементы. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Литвиненко, В. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
53.07 В 428 Визирь, В. А. Транзисторный модулятор сверхвысокочастотного магнетрона [Текст] / В. А. Визирь, С. В. Иванов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 56 (2 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): модуляторы -- транзисторные модуляторы -- магнетроны -- высокие частоты -- СВЧ магнетроны -- IGBT-транзисторы -- трансформаторы Аннотация: Модулятор предназначен для питания с. в. ч.-магнетрона с выходной импульсной мощностью 3 МВт и средней мощностью 10 кВт. Доп.точки доступа: Иванов, С. В.; Ковальчук, Б. М.; Манылов, В. И.; Шубкин, Н. Г.; Червяков, В. В.; Юрьев, В. В.; Бутаков, Л. Д.; Толмачев, В. И. |
53.07 В 428 Визирь, В. А. Транзисторный модулятор сверхвысокочастотного магнетрона [Текст] / В. А. Визирь, С. В. Иванов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 56 (2 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): модуляторы -- транзисторные модуляторы -- магнетроны -- высокие частоты -- СВЧ магнетроны -- IGBT-транзисторы -- трансформаторы Аннотация: Модулятор предназначен для питания с. в. ч.-магнетрона с выходной импульсной мощностью 3 МВт и средней мощностью 10 кВт. Доп.точки доступа: Иванов, С. В.; Ковальчук, Б. М.; Манылов, В. И.; Шубкин, Н. Г.; Червяков, В. В.; Юрьев, В. В.; Бутаков, Л. Д.; Толмачев, В. И. |
53.07 С 302 Семенович, С. Н. Широкодиапазонный регистратор быстрых электрических сигналов [Текст] / С. Н. Семенович, И. П. Стецко, О. В. Тягунов, В. А. Чудовский // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5 . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): широкодиапазонные регистраторы -- электрические сигналы -- транзисторы -- диоды -- диоды Шоттки Аннотация: Для исследования быстропротекающих релаксационных процессов в силовых биполярных и м. о. п.-транзисторах, а также диодах Шоттки, разработан широкодиапазонный многоканальный регистратор сигналов с полосой пропускания 200 МГц. Доп.точки доступа: Стецко, И. П.; Тягунов, О. В.; Чудовский, В. А. |
621.396 Г 150 Галалу, В. Г. Преобразователи постоянного тока с низким уровнем пульсаций [Текст] / В. Г. Галалу, П. В. Хало // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 68 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): преобразователи -- постоянный ток -- пульсации -- прецизионная аппаратура -- транзисторы -- шумы -- шины питания Аннотация: Одно из основных требований при разработке прецизионной аппаратуры - обеспечение минимального уровня шумов в полезном сигнале и по шинам питания. Доп.точки доступа: Хало, П. В. |
621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Метод расчета параметров малосигнальной эквивалентной схемы сверхвысокочастотных гетероструктурных биполярных транзисторов с варизонным эмиттером, основанный на квазигидродинамической модели переноса электронов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N11. - Библиогр.:с.1396 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетероструктурные биполярные транзисторы -- квазигидродинамическая модель -- перенос электронов Аннотация: Предложена нелинейная система дифференциальных уравнений, описывающая одномерную активную область транзистора в статическом режиме, состоящая из квазигидродинамической модели переноса электронов, бизкой к дрейфово-диффузионной модели по форме, дрейфово-диффузионной модели переноса дырок и уравнений электрического поля. Разработан метод расчета шести параметров малосигнальной эквивалентной схемы активной области по результатам пятикратного решения этой системы уравнений. Перейти: http://www.maik.ru |
621.001 В 754 Воронович, В. В. Нагрузочные характеристики полигармонического генератора на высших гармониках [Текст] / В. В. Воронович, В. П. Галах // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N2 . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гармоники -- генераторы -- импедансы -- напряжение -- транзисторы Аннотация: Исследовано влияние импедансов на второй и третьей гармониках на энергетические характеристики полигармонического генератора, у которого на выходе активного элемента выделяется третья гармоника напряжения, а вторая-подавляеися. Перейти: http//www.maik.ru Доп.точки доступа: Галах, В.П. |
621.38 Б 209 Балыко, А. К. Снижение числа состояний трансформатора при измерении шумовых параметров транзисторов [Текст] / А. К. Балыко, В. И. Васильев [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N6. - Библиогр.:с.725 (4 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- трансформатор -- шумовые параметры Аннотация: Рассмотрена идеализированная модель трансформатора, применяемого для определения четырех шумовых параметров транзисторов. Показано, что оптимальный выбор измеряемых значений активной и реактивной составляющих полной проводимости трансформатора на клеммах транзистора позволяет снизить ошибку определения шумовых параметров транзистора. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Васильев, В.И.; Гусельников, Н.А.; Ломова, Н.С.; Юсупова, Н.И. |
621.375 К 782 Краснов, В. В. Охлаждаемый гибридный малошумящий усилитель диапазона 13 ММ [Текст] / В. В. Краснов, В. М. Миннебаев // Радиотехника и электроника. - 2002. - N1 . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): согласования -- транзисторы -- усилители -- электроны Аннотация: Представлены результаты проектирования и изготовления охлаждаемого гибридного малошумящего усилителя 13-миллиметрового диапазона на базе арсенидгаллиевых транзисторов НЕМТ ЕС2612. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Миннебаев, В.М. |
621.396 Д 814 Дудкин, В. П. Компенсация задержки включения в мощном ключевом каскаде на металл- оксид-полупроводниковом транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением [Текст] / В. П. Дудкин, А. В. Москалев // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N9. - Библиогр.:с.1100 (3 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): активная отрицательная обратная связь -- металл-оксид-полупроводниковый транзистор -- отрицательная обратная связь -- транзисторы Аннотация: Оценено влияние сложной активной обратной связи на временные характеристики мощного металл-оксид-полупроводникового транзистора в импульсном режиме. Установлено, что активная отрицательная обратная связь позволяет сократить время импульсного включения, не оказывая существенного влияния на процесс включения и амплитуду импульса выходного тока. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Москалев, А.В. |
621.38 У 749 Усиченко, В. Г. Выгорание сверхвысокочастотных диодов и транзисторов под воздействием видеоимпульсов разной полярности и длительности [Текст] / В. Г. Усиченко, А. В. Якимов, Л. Н. Сорокин // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N9. - Библиогр.:с.1144 (17 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- видеоимпульсы -- выгорание сверхвысокочастотных диодов -- полупроводниковые приборы -- сверхвысокочастотные диоды -- электромагнитные импульсы Аннотация: Рассмотрен видеоимпульсный метод изучения механизмов выгорания сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов. Установлено, что выгорание диодов при прямом смещении, а многоэмиттерных транзисторов при смещениях прямой и обратной полярности вызвано нагревом активной области приборов до температуры плавления полупроводника. По результатам экспериментов предложен теоретический метод построения зависимости мощности выгорания от длительности импульсов, распространяющийся на области как адиабатического, так и квазистатического нагрева. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Якимов, А.В.; Сорокин, Л.Н. |
621.38 Т 583 Топольницкий, В. Н. Генерация "холодного" шума сверхвысокочастотным транзистором [Текст] / В. Н. Топольницкий // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N12. - Библиогр.:с.1516 (9 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): СВЧ-шум -- генератор шума -- полевые транзисторы -- сверхвысокочастотный транзистор -- транзисторы -- холодный шум -- шумовое излучение Аннотация: Представлены результаты разработки генераторов СВЧ-шума на GaAs полевых транзисторах(ПТ), заменяющих низкотемпературные генераторы шума с криогенным охлаждением. Проведено математическое моделирование генераторного каскада и схемы прибора для различных типов ПТ в диапазоне частот 1...40 ГГц. Получены зависимости минимально достижимых уровней шумовой температуры выходного излучения для отдельных приборов, построенных по рассмотренной схеме, и обобщение этих данных на весь вышеуказанный диапазон частот. Рассмотрены результаты эксперимента, подтверждающего правомерность построения модели. Перейти: http://www.maik.ru |
621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N1. - Библиогр.:с.128 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- гетероструктурные транзисторы -- квазигидродинамическое моделирование -- полевые транзисторы -- транзисторы Аннотация: Предложена новая двумерная модель гидродинамического типа для гетероструктурного полевого транзистора в рабочих режимах, являющаяся комбинацией квазигидродинамической модели полевого транзистора с затвором Шоттки и модели Андерсена для гетероперехода. На основе предложенной модели разработана программа моделирования AlGaAs/InGaAs гетероструктурного полевого транзистора с двумя гетеропереходами. проведено сравнение расчитанных выходных вольт-амперных характеристик с опубликованными результатами измерений и моделирования методом Монте-Карло. Показана возможность расчета параметров и сплайновых характеристик малосигнальной(линейной) и большесигнальной(нелинейной) эквивалентных систем гетероструктурных полевых транзисторов. Перейти: http://www.maik.ru |
621.375 К 782 Краснов, В. В. Криогенный малошумящий усилитель 8-миллиметрового диапазона [Текст] / В. В. Краснов, В. М. Миннебаев // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 1. - Библиогр.: с. 122 (7 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): малошумящие усилители -- дискретные полевые транзисторы -- усилители восьмимиллиметрового диапазона -- криогенные усилители Аннотация: Представлены результаты проектирования и изготовления охлаждаемых малошумящих усилителей восьмимиллиметрового диапазона длин волн на базе дискретных полевых транзисторов и монолитных интегральных схем, а также сравнение их сверхвысокочастотных характеристик, надежности и воспроизводимости устройств на их основе. Перейти: http: //www. maik. ru Доп.точки доступа: Миннебаев, В. М. |
621.38 С 128 Савельев, С. В. Регулярная и хаотическая динамика генераторов сверхвысоких частот на биполярных транзисторах большой мощности [Текст] / С. В. Савельев // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 7. - Библиогр.: с. 858 (11 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- транзисторы большой мощности -- нелинейные уселители -- СВЧ-устройства Аннотация: Предложена динамическая модель однотранзисторного регенеративного усилительного каскада на базе мощного биполярного транзистора сверхвысокой частоты (СВЧ) . Установлено соответствие значений параметров модели параметрам реального устройства. Численно исследована динамика модели в автоколебательном режиме с целью выявления закономерностей возникновения и развития регулярных и хаотических колебаний. Рассмотрены результаты экспериментальных исследований регенеративного усиленого каскада в случае самовозбуждения в диапозоне СВЧ применительно к теоретической модели. |
621.395 Н 628 Никишин, Д. Еще раз о доработках АОНов на Z80 [Текст] / Д. Никишин // Радио. - 2001. - N2. - Библиогр.: с.39 (3 назв.)
Рубрики: Радиоэлектроника--Телефония Кл.слова (ненормированные): телефоны -- телефонные линии -- телефонные аппараты -- программное обеспечение -- сохранение информации -- воспроизведение звука -- автоматический определитель номера -- микросхемы -- полевые транзисторы -- АОНы -- таймеры -- резисторы -- схемы Аннотация: Конструкции телефонов с автоматическим определителем номера звонящего абонента - AОHов,были особенно популярны на базе процессора Z80.Радиолюбителям вполне по силам сделать эти аппараты,которые до сих пор эксплуатируются,более надежными и удобными. |