621.38 Г 695 Горлей, П. Н. Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe[2] [Текст] / П. Н. Горлей, З. Д. Ковалюк [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 142 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- прохождение тока -- фотопреобразователи Аннотация: Барьеры Шоттки изготовлены путем термического напыления индия на монокристаллы CuInSe[2] p-типа. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Показано, что полученные на поверхностно-барьерных структурах довольно высокие и воспроизводимые результаты таких основных параметров, как напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, при довольно простой и дешевой технологии изготовления этих структур свидетельствуют о перспективности данного направления для фотопреобразования солнечного излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-141.html.ru Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Орлецкий, В. Б.; Сидор, О. Н.; Нетяга, В. В.; Хомяк, В. В. |
535 Г 676 Горбунов, Н. А. Аналитическая модель плазменного фотопреобразователя [Текст] / Н. А. Горбунов, G. Flamant // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 100-101 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): плазменные фотопреобразователи -- преобразование энергии -- фотоплазма -- фотоэдс Аннотация: Рассматривается вопрос об использовании фотоплазмы для прямого преобразования световой энергии в электрическую энергию. Показано, что возникновение фотоэдс является следствием амбиполярной разности потенциалов при неоднородной ионизации паров щелочных металлов оптическим излучением. Проведен расчет вольт-амперных характеристик и получена оценка эффективности плазменного фотопреобразователя с плоскими электродами. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-97.html.ru Доп.точки доступа: Flamant, G. |
621.38 Ч 460 Черевань, О. Фотопреобразователь ФЦ202 [Текст] / О. Черевань // Радио. - 2002. - N11 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): ФЦ202 (фотопреобразователь) -- микросхемы -- фотопреобразователи Аннотация: Описан внешний вид и основные технические характеристики фотопреобразователя ФЦ202. |
53(09) Н 84 Носов, Ю. Р. Почему Альберт Энштейн не изобрел лазер [Текст] / Ю. Р. Носов // Химия и жизнь - XXI век. - 2005. - N 6. - С. 34-37. - Ил. . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика--История физики, 20 в. Кл.слова (ненормированные): биографии; нобелевские лауреаты; лазеры; электроника Эйнштейна; фотопреобразователи; фотоны; электроны; научные открытия; открытия научные; квантовая физика; Эйнштейна электроника; ученые; физики Аннотация: Среди изобретений, над которыми работал Альберт Эйнштейн, - фотоэкспонометр и прецизионный гирокомпас. Что же помешало ему изобрести лазер - рассуждает автор статьи. Доп.точки доступа: Эйнштейн, Альберт (физик-теоретик ; 1879-1955) |
53(09) Н 47 Некоторые изобретения Эйнштейна [Текст] // Химия и жизнь - XXI век. - 2005. - N 6. - С. 38-39. - Ил. . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика--История физики, 20 в. Кл.слова (ненормированные): биографии; нобелевские лауреаты; громкоговорители; магнитострикционные громкоговорители; фотокамеры; гирокомпасы; электромагнитные подвески; индукционная электромагнитная подвеска; индукционные подвески; электроника Эйнштейна; фотопреобразователи; научные открытия; открытия научные; квантовая физика; Эйнштейна электроника; ученые; физики Аннотация: Среди изобретений, над которыми работал Альберт Эйнштейн, - фотоэкспонометр и прецизионный гирокомпас, магнитострикционный громкоговоритель, автоматические фотокамеры и индукционная электромагнитная подвеска. Доп.точки доступа: Эйнштейн, Альберт (физик-теоретик ; 1879-1955) |
621.383 К 76 Кошелев, О. Г. Анализ неоднородных распределений дефектов в кремниевых фотопреобразователях, облученных протонами [Текст] / О. Г. Кошелев, В. А. Морозова [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 6. - С. 50-54. - Библиогр.: c. 53-54 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): спектральные зависимости; фототок; фотопреобразователи; кремниевые преобразователи; диапазон энергий фотонов; протоны; толщина дефектного слоя; неосновные носители заряда Аннотация: Спектральные зависимости фототока кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами со средней энергией 1. 6 МэВ, измерены компенсационным электрическим методом в диапазоне энергий фотонов 1. 1-1. 6 эВ. Показано, что с большой точностью (1 2 процента) измеренные спектры согласуются со спектрами, рассчитанными с учетом неоднородности дефектного слоя, среднее время жизни неосновных носителей заряда в этом слое, а также получить информацию о характере распределения дефектов в нем. Доп.точки доступа: Морозова, В. А.; Григорьева, Г. М.; Звягина, К. Н.; Спасский, А. В. |
621.38 Б 724 Бобренко, Ю. Н. Метрологический образцовый датчик ультрафиолетового излучения [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 6. - С. 107-109. - Библиогр.: с. 109 (12 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): датчики -- ультрафиолетовое излучение -- метрологические датчики -- фотопреобразователи -- Cu[1. 8]S-A[2]B[6] -- полупроводниковые соединения -- CdSe -- CdS -- Zns Аннотация: Описываются метрологические датчики на основе высокочувствительных в коротковолновой области спектра фотопреобразователей Cu[1. 8]S-A[2]B[6] - полупроводниковые соединения CdSe, CdS и Zns. Доп.точки доступа: Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М. |
621.3 Б 752 Боднарь, И. В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, А. А. Вайполин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 160-163 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- монокристаллы -- гетеропереходы -- CuIn[5]Se[8] -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фотопреобразователи Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn[5]Se[8]. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn[5]Se[8]. Доп.точки доступа: Вайполин, А. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Арутюнов, Владимир Сергеевич (доктор химических наук). Биотопливо: pro et contra [Текст] / В. С. Арутюнов // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2007. - Т. 51, N 6. - С. 94-99. - Библиогр.: с. 99 (15 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Энергетика Энергетические ресурсы Кл.слова (ненормированные): альтернативные источники энергии -- биодизели -- биотоплива -- биоэтанол -- возобновляемые источники -- ископаемые топлива -- искусственные фотопреобразователи -- кукуруза -- мировая энергетика -- пшеница -- солнечная энергетика -- экологическая чистота -- энергоресурсы Аннотация: Рассмотрены альтернативные источники энергии, в первую очередь возобновляемые, способные обеспечить стабильное производство энергии в течение неопределенно долгого периода времени. |
Парфенюк, О. А. Образование омических контактов к низкоомному Cd[1-x]Mg[x]Te для фотовольтаических применений [Текст] / О. А. Парфенюк, М. И. Илащук, К. С. Ульяницкий // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1314-1317
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Cd[1-x]Mg[x]Te -- омические контакты -- низкоомные материалы -- фотопреобразователи Аннотация: Исследованы электрофизические свойства твердых растворов Cd[1-x]Mg[x]Te разного состава (0. 1 меньше равно x меньше равно 0. 3). Установлено, что при x=0. 1 образуется низкоомный материал p-типа проводимости, близкий по своим параметрам к нелегированному CdTe. Особенностью кристаллов Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te является то, что при осаждении на их поверхность меди из насыщенного раствора CuSO[4] образуется омический контакт, характеристики которого не ухудшаются в широком температурном интервале (80-300 K). Исследование световых и темновых характеристик структур Cu/p-Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te/n-Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te/In показало их перспективность в качестве фотопреобразователей солнечного света. Доп.точки доступа: Илащук, М. И.; Ульяницкий, К. С. |
Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12. 5 МэВ [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1321-1326
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слоистые полупроводники -- InSe -- GaSe -- облучение электронами -- фотопреобразователи Аннотация: Исследовано влияние высокоэнергетических электронов (E=12. 5 МэВ) на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe и p-GaSe-n-InSe. Обнаруженные изменения вольт-амперных характеристик, спектров фотоотклика, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания структур обусловлены образованием точечных дефектов. Отсутствие особых изменений характеристик исследуемых гомо- и гетеропереходов даже при максимальной дозе облучения позволяет рекомендовать их для создания радиационно стойких фотодетекторов. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Политанская, О. А.; Сидор, О. Н.; Маслюк, В. Т. |
Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs [Текст] / А. А. Акопян [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 385-390
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопреобразователи -- жидкофазная эпитаксия -- гетеропереходные структуры -- арсенид галлия -- селективная диффузия -- фотопоток Аннотация: С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p\{+\}-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из Al[x]Ga[1-x]As, полученным жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Акопян, А. А.; Бахронов, Х. Н.; Борковская, О. Ю.; Дмитрук, Н. Л.; Едгорова, Д. М.; Каримов, А. В.; Конакова, Р. В.; Мамонтова, И. Б. |
Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn[2n+1]Se[3n+2] (n=3-6) [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 391-395
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): направленная кристаллизация -- тройные полупроводники -- межзонные переходы -- фотопреобразователи -- полупроводниковая фотоэлектроника Аннотация: Методом направленной кристаллизации впервые выращены монокристаллы тройных полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] с показателем состава n=3, 5 и 6. Установлено, что эти кристаллы имеют гексагональную симметрию и близкие значения параметров элементарной ячейки. Созданы фотоэлектрохимические ячейки на основе монокристаллов CuIn[2n+1]Se[3n+2] и In[2]Se[3], получены первые спектры их фоточувствительности, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Слабая зависимость параметров зонного спектра и элементарной ячейки этих полупроводников при показателе состава n ? 2 связывается с особенностями межатомного взаимодействия в таких фазах. Сделан вывод о возможностях применения новых полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Горбачев, Д. В.; Ушакова, Т. Н. |
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н. |
Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М. |
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP [Текст] / А. С. Гудовских [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1403-1408 : ил. - Библиогр.: с. 1407-1408 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- фотопреобразователи -- GaInP -- валентные зоны -- p-n структуры -- излучения -- солнечные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- границы раздела -- свойства границ раздела -- фосфиды -- атомы 3 группы Аннотация: Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al[0. 8]Ga[0. 2]As и p- (Al[0. 6]Ga[0. 4]) [0. 51]In[0. 49]P. Доп.точки доступа: Гудовских, А. С.; Калюжный, Н. А.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |
Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Выращивание монокристаллов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] и свойства фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 42 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- кубические решетки -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- атомы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи -- оптические излучения -- шпинели -- удельное сопротивление -- сопротивление -- температурная зависимость Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs) : создание и свойства [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 372-376 : ил. - Библиогр.: с. 376 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полисалицилиденазометины -- ПСА -- гетеропереходы -- ГП -- создание гетеропереходов -- свойства гетеропереходов -- фоточувствительность -- широкополосные фотопреобразователи -- оптическое излучение -- полимеры -- тонкие пленки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- GaAs Аннотация: Предложена и реализована атермическая безвакуумная технология и впервые созданы гетеропереходы неклассически полисопряженные полисалицилиденазометины/Si (GaAs). Установлено, что максимальная фоточувствительность полученных гетеропереходов достигается при их освещении со стороны тонких пленок полимеров в спектральном диапазоне 1-3. 5 эВ. Сделан вывод о возможности применения новых гетеропереходов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Геллер, Н. М.; Иванов, А. Г.; Шаманин, В. В. |
Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 801-806 : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины. Доп.точки доступа: Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В. |