Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н. |
Рудь, В. Ю. Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag[3]AsS[3] [Текст] / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1059-1063 : ил. - Библиогр.: с. 1062-1063 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностно-барьерные структуры -- In/p-Ag[3]AsS[3] -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- спектры фоточувствительности -- линейно поляризованное излучение -- естественное излучение -- фотоплеохроизм -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- межзонные переходы Аннотация: Однородные объемные монокристаллы p-Ag[3]AsS[3] с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag[3]AsS[3] впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag[3]AsS[3]. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag[3]AsS[3], исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag[3]AsS[3] могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения. Доп.точки доступа: Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
539.2 К 293 Катеринчук, В. Н. Коэффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеропереходах собственный оксид-p-InSe / В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 797-800 : ил. - Библиогр.: с. 799 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурная динамика -- гетеропереходы -- температурные зависимости -- коэффициент фотоплеохроизма -- фототоки -- носители заряда -- электрические поля -- световые волны -- фотоплеохроизм Аннотация: Исследована температурная зависимость коэффициента фотоплеохроизма для гетероперехода собственный оксид-p-InSe. Зарегистрирована разная температурная зависимость сдвига длинноволнового края фототока для двух ориентаций поляризации E параллельно C и E normal C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p797-800.pdf Доп.точки доступа: Кудринский, З. Р.; Ковалюк, З. Д.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины (Черновцы); Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины (Черновцы)Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины (Черновцы) |