Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н. |