621.3 Б 81 Бондарь, И. В. Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu (AI, ln) /p-Culn[3]Se[5] [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 44-47 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- фотоэлектрические явления -- квантовая эффективность -- межзонные переходы Аннотация: На кристаллах p-CuIn[3]Se[5] созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn[3]Se[5], Al/p-CuIn[3]Se[5] и In/p-CuIn[3]Se[5]. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn[3]Se[5]. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn[3]Se[5] при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
621.315.592 Е 601 Емельянов, А. М. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов, авт. Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 331-335 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- краевая люминесценция -- люминесценция -- межзонные переходы Аннотация: При комнатной температуре исследована электролюминесценция в области межзонных переходов кремниевых светодиодов, полученных путем резки солнечного элемента площадью 21 см\{2\} и имевшего внешнюю квантовую эффективность электролюминесценции эта[ext] до 0. 85%. Несмотря на значительное уменьшение эта[ext] вследствие резки и оже-рекомбинации, при импульсных токах до 10 А и площадях структур из диапазона S=0. 1-0. 9 см2 достигнуты рекордные значения общей излучаемой диодом мощности до W=8 мВт, а также мощности, излучаемой с единицы площади, до P[0]=65 мВт/см[2]. Для светодиодов различной площади измерена кинетика спада электролюминесценции. Определены диаграмма направленности излучения в Si-светодиоде с текстурированной поверхностью и распределение интенсивности по различным направлениям излучающей площади светодиода. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
621.315.592 С 544 Соболев, В. В. Фундаментальные спектры оптических функций ферроэлектрика нитрита натрия [Текст] / В. В. Соболев, А. И. Калугин, В. Вал. Соболев, С. Г. Исхакова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 777-781 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ферроэлектрики -- нитрит натрия -- оптические фундаментальные функции -- спектры отражения -- поляризации -- интегральные соотношения Крамерса-Кронинга -- Крамерса-Кронинга интегральные соотношения -- диаграммы Арганда -- Арганда диаграммы -- межзонные переходы Аннотация: Спектры комплексов оптических фундаментальных функций ферроэлектрика нитрита натрия определены в области 4-24 эВ при 77 K для трех поляризаций. Расчеты выполнены с помощью экспериментальных спектров отражения R (E) и интегральных соотношений Крамерса-Кронига. На основе метода диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости и объемных характеристических потерь электронов разложены на элементарные поперечные и продольные компоненты. Определены их основные параметры. Полученные данные сопоставлены с теоретическими расчетами спектров диэлектрической проницаемости, выполненных методом FPLAPW. Установлены основные особенности спектров оптических функций, параметров полос переходов и их теоретической природы. Доп.точки доступа: Калугин, А. И.; Соболев, В. Вал.; Исхакова, С. Г. |
539.2 К 681 Коровин, Л. И. Влияние пространственной дисперсии на форму светового импульса при его прохождении сквозь квантовую яму [Текст] / Л. И. Коровин, И. Г. Ланг, С. Т. Павлов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 10. - С. 1893-1899. - Библиогр.: с. 1899 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- межзонные переходы -- отражение возбуждающего импульса -- поглощение возбуждающего импульса -- пропускание возбуждающего импульса -- пространственная дисперсия -- световые импульсы -- электромагнитные импульсы Аннотация: Вычислены отражение, прохождение и поглощение симметричного электомагнитного импульса, несущая частота которого близка к частоте прямых межзонных переходов в квантовой яме. Уровни энергии в квантовой яме предполагаются дискретными, учитываются два близко расположенных возбужденных уровня. Рассматривается случай достаточно широкой ямы, когда длина волны, соответствующая несущей частоте импульса, сравнима с шириной ямы и следует учитывать зависимость матричного элемента импульса межзонного перехода от волнового вектора света. Показатели преломления квантовой ямы и барьеров считаются равными друг другу. Задача решена для произвольного соотношения между радиационным и нерадиационным временами жизни возбужденных электронных состояний. Показано, учет пространственной дисперсии существенно влияет на форму отраженного и прошедшего импульсов. Наибольшие изменения имеют место в случае, когда обратное радиационное время жизни мало отличается от разности частот учитываемых межзонных переходов. Доп.точки доступа: Ланг, И. Г.; Павлов, С. Т. |
Соболев, В. В. Синхротронные спектры отражения и оптические свойства кристалла CuGaS[2] [Текст] / В. В. Соболев, В. Вал. Соболев, В. А. Пагин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 70-75
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): поляризованные спектры -- синхротронные спектры отражения -- соотношения Крамерса-Кронига -- Крамерса-Кронига соотношения -- межзонные переходы -- метастабильные экситоны -- кристаллы Аннотация: Впервые определены поляризованные спектры полных комплексов оптических функций кристалла CuGaS[2] в области 0–24 эВ. Расчеты выполнены на основе синхротронных спектров отражения при направлениях вектора поляризации E | | с и E с в областях энергии 0–24 эВ и 1–5 эВ с помощью компьютерных программ, использующих соотношения Крамерса–Кронига. Установлены основные особенности спектров диэлектрической проницаемости, характеристических потерь электронов и других оптических функций. Определены значения энергии максимумов полос объемных и поверхностных плазмонов и выявлена их независимость от типа поляризации. Доп.точки доступа: Соболев, В. Вал.; Пагин, В. А. |
Оптическое возбуждение волн пространственного заряда с участием межзонных переходов в Bi[12]GeO[20] [Текст] / Д. В. Петров [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 13. - С. 15-20
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): волны -- пространственные заряды -- межзонные переходы Аннотация: Рассмотрено возбуждение волн пространственного заряда в полупроводнике с использованием света с энергией фотона, близкой к ширине запрещенной зоны. Для возбуждения применена оптическая методика - освещение кристалла колеблющейся интерференционной картиной. Продемонстрировано качественное совпадение модельных представлений с результатами эксперимента. Доп.точки доступа: Петров, Д. В.; Лебедев, В. В.; Брыксин, В. В.; Плешаков, И. В. |
Казарян, Э. М. Межзонные переходы в узкозонной цилиндрической квантовой точке InSb [Текст] / Э. М. Казарян, А. В. Меликсетян, А. А. Саркисян // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 22. - С. 48-55 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): межзонные переходы -- цилиндрические квантовые точки -- электроны -- легкие дырки Аннотация: В режиме сильного размерного квантования теоретически рассмотрены межзонные переходы в узкозонных цилиндрических квантовых точках из InSb с учетом непараболичности закона дисперсии электронов и легких дырок. В рамках двухзонной модели Кейна для электронов и легких дырок и параболической дисперсии для тяжелых вычислены соответствующие коэффициенты поглощения ансамбля квантовых точек, а также определены пороговые частоты поглощения. Показано, что эти частоты лежат в инфракрасной области. Количественные вычисления сделаны на основе данных по выращиванию квантовых точек из InSb, приведенных в работе К. Д. Моисеева и др. Доп.точки доступа: Меликсетян, А. В.; Саркисян, А. А. |
Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур: собственный окисел / Cd[x]Mn[1-x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 24-31 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические свойства -- гетероструктуры -- межзонные переходы Аннотация: Предложена новая технология формирования энергетического барьера на кристаллах твердого раствора Cd[1-x]Mn[x]Te и впервые получены выпрямляющие фоточувствительные гетероструктуры Ox/Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0. 6/1). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования новых гетероструктур. Обсуждаются энергетический спектр и характер межзонных переходов Cd[1-x]Mn[x]Te. Открыта возможность использования процесса окисления для создания гетерофотопреобразователей на кристаллах разбавленных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te. Доп.точки доступа: Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn[2n+1]Se[3n+2] (n=3-6) [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 391-395
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): направленная кристаллизация -- тройные полупроводники -- межзонные переходы -- фотопреобразователи -- полупроводниковая фотоэлектроника Аннотация: Методом направленной кристаллизации впервые выращены монокристаллы тройных полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] с показателем состава n=3, 5 и 6. Установлено, что эти кристаллы имеют гексагональную симметрию и близкие значения параметров элементарной ячейки. Созданы фотоэлектрохимические ячейки на основе монокристаллов CuIn[2n+1]Se[3n+2] и In[2]Se[3], получены первые спектры их фоточувствительности, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Слабая зависимость параметров зонного спектра и элементарной ячейки этих полупроводников при показателе состава n ? 2 связывается с особенностями межатомного взаимодействия в таких фазах. Сделан вывод о возможностях применения новых полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Горбачев, Д. В.; Ушакова, Т. Н. |
Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In[2]S[3] [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 445-448
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллизация расплава -- монокристаллы тетрагоной модификации -- фоточувствительность ячеек -- межзонные переходы -- тонкопленочная фотовольтаика -- бинарные полупроводники Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-In[2]S[3], на основе которых созданы фоточувствительные ячейки H[2]O/t-In[2]S[3], а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек H[2]O/t-In[2]S[3]. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны t-In[2]S[3]. Показана возможность применения кристаллов t-In[2]S[3] в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов In[2]S[3]. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Ушакова, Т. Н. |
Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl [Текст] / М. С. Смирнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 884-889 : ил. - Библиогр.: с. 888 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- микрокристаллы AgCl -- AgCl микрокристаллы -- низкотемпературный фотостимулированный процесс -- НТФСП -- сенсибилизированная антистоксовая люминесценция -- САСЛ -- спектральные области -- плотность потока -- поглощение света -- адсорбированные красители -- адсорбированные кластеры серебра -- наноструктуры -- гибридные наноструктуры -- адсорбированные молекулы красителей -- субнанокластер серебра -- межзонные переходы -- перенос энергии -- электронное возбуждение -- фотоионизация Аннотация: В микрокристаллах AgCl с адсорбированными молекулами красителя метиленового голубого обнаружен эффект формирования центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в результате низкотемпературного (77 K) фотостимулированного процесса. Свечение регистрировалось при возбуждении излучением плотностью потока 10{14}-10{15} квант х см{-2}х с{-1} из спектральной области 620-750 нм, соответствующей области поглощения света адсорбированным красителем и адсорбированными кластерами Ag[1], Ag[2] и Ag[3]. Показано, что центры антистоксовой люминесценции, сформированные фотостимулированным путем, представляют собой гибридную наноструктуру типа "адсорбированная молекула красителя-субнанокластер серебра", связь компонентов которой является слабой, но достаточной для реализации двухквантовых межзонных переходов, осуществляющихся в результате переноса энергии электронного возбуждения от красителя к кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации. Доп.точки доступа: Смирнов, М. С.; Овчинников, О. В.; Латышев, А. Н.; Смирнова, А. М.; Новиков, П. В.; Ефимова, М. А. |
Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Выращивание монокристаллов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] и свойства фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 42 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- кубические решетки -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- атомы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи -- оптические излучения -- шпинели -- удельное сопротивление -- сопротивление -- температурная зависимость Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Обнаружение твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] -- атомный состав монокристаллов -- концентрация -- кубические структуры -- шпинели -- параметры -- линейная зависимость -- температурная зависимость -- удельное сопротивление -- сопротивление -- фоточувствительные структуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- межзонные переходы -- преобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения -- электрические свойства монокристаллов Аннотация: Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x], обеспечивающая контроль их атомного состава во всем интервале концентраций 0 < x < 1. Показано, что монокристаллы в диапазоне x=0-1 имеют кубическую структуру шпинели, причем параметр элементарной ячейки a подчиняется линейной зависимости от x. Обнаружен экспоненциальный характер температурной зависимости удельного сопротивления твердых растворов, на которых получены первые фоточувствительные структуры Cu/ (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x]. Получены первые спектры фоточувствительности этих структур, на основании которых определены зависимости энергии прямых и непрямых межзонных переходов от состава x. Сделан вывод о возможности их применения в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Осипова, М. А.; Бондарь, И. В. |
Брыскин, В. В. Межзонное оптическое возбуждение волн пространственного заряда в высокоомных полупроводниках [Текст] / В. В. Брыскин, М. П. Петров // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 646-653. - Библиогр.: с. 653 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): межзонное оптическое возбуждение -- волны перезарядки ловушек -- высокоомные полупроводники -- межзонные переходы Аннотация: Разработана достаточно полная теория волн перезарядки ловушек в условиях, когда волны перезарядки ловушек возбуждаются оптическим способом, и доминирующими являются межзонные переходы. Показано, что наличие межзонных переходов уменьшает роль имеющихся в кристалле ловушечных центров, а также длительность времени жизни носителей. Это вызывает уменьшение времени жизни волн перезарядки ловушек и может привести к фактическому их полному исчезновению как собственных мод электронных колебаний полупроводникового кристалла. Показано, что в зависимости от интенсивности освещения и от соотношения параметров рекомбинации возможна реализация большого числа специфических случаев. Обсуждаются физический смысл эффективной концентрации ловушек и ее связь с длинами экранировки внутреннего электрического поля. Доп.точки доступа: Петров, М. П. |
Рудь, В. Ю. Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag[3]AsS[3] [Текст] / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1059-1063 : ил. - Библиогр.: с. 1062-1063 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностно-барьерные структуры -- In/p-Ag[3]AsS[3] -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- спектры фоточувствительности -- линейно поляризованное излучение -- естественное излучение -- фотоплеохроизм -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- межзонные переходы Аннотация: Однородные объемные монокристаллы p-Ag[3]AsS[3] с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag[3]AsS[3] впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag[3]AsS[3]. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag[3]AsS[3], исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag[3]AsS[3] могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения. Доп.точки доступа: Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Брудный, В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1194-1202 : ил. - Библиогр.: с. 1201-1202 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронейтральность -- электронные свойства -- структурные параметры решетки -- электронные спектры GaSe -- гидростатическое сжатие -- напряжение растяжения -- межзонные переходы -- гидростатическое давление -- давление -- энергетические диаграммы -- межфазные границы -- GaSe Аннотация: Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL E[v]+0. 8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Саркисов, С. Ю. |
Соболев, В. В. Непрямые межзонные переходы графита с большой энергией квазищели [Текст] / В. В. Соболев, Е. А. Антонов, В. Вал. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1206-1211 : ил. - Библиогр.: с. 1211 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- графиты -- квазищели -- спектр характеристических потерь энергии электронов -- СХПЭЭ -- зоны Бриллюэна -- Бриллюэна зоны -- оптические функции -- волновой вектор электронов Аннотация: Впервые определены комплексы фундаментальных оптических функций в области 0-40 эВ для продольных непрямых межзонных переходов графита с квазищелью до 2. 6 эВ. Их структура и параметры сильно зависят от величины переданного волнового вектора электронов q. Предложена природа их максимумов и ступенек по модели теоретических смещенных зон для четырех значений переданного волнового вектора q электронов в объемных характеристических потерях энергии для направления Gamma-P зоны Бриллюэна. Расчеты выполнены на основе известных экспериментальных спектров объемных характеристических потерь энергий электронов графита в области 0-40 эВ для | q|=0. 00, 0. 375, 0. 625 и 1. 00 Angstrem{-1} с помощью пакета компьютерных программ. Доп.точки доступа: Антонов, Е. А.; Соболев, В. Вал. |
621.315.592 С 585 Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/n-GaP [Текст] / В. Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 798-801 : ил. - Библиогр.: с. 800-801 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- безвакуумное термическое воздействие -- термическое воздействие -- кристаллы -- фосфид галлия -- фотовольтаический эффект -- окисные пленки -- спектральные зависимости -- квантовая эффективность -- фотопреобразование -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- монокристаллы -- оптические излучения Аннотация: Методом безвакуумного термического взаимодействия кристаллов фосфида галлия с окружающей воздушной средой созданы первые фоточувствительные гетероструктуры Ox/n-GaP (Ox - естественный окисел). Выявлен фотовольтаический эффект гетероструктур, который преобладает при их освещении со стороны окисной пленки. Анализируются первые спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетероструктур, определен характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны фосфида галлия. Сделан вывод о возможностях применения безвакуумного термического окисления гомогенных монокристаллов n-GaP в окружающей воздушной атмосфере для создания широкодиапазонных фотопреобразователей оптических излучений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p798-801.pdf Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Ушакова, Т. Н. |
621.315.592 Э 949 Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / В. А. Данько [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 520-524 : ил. - Библиогр.: с. 524 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- фототравление -- эффект фототравления -- селективные травители -- амины -- межзонные переходы -- фотостимулированный эффект -- фотолитография -- пленки Аннотация: Обнаружен эффект фотостимулированного повышения растворимости отожженных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в селективных травителях на основе аминов. Установлено, что скорость травления повышается при увеличении интенсивности облучения, а ее спектральная зависимость коррелирует с поглощением в пленке в области края межзонных переходов. Показано, что новый фотостимулированный эффект позволяет реализовать фотолитографический процесс (в том числе процесс интерференционной фотолитографии) на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников, отожженных при температуре, близкой к температуре размягчения халькогенидного стекла, путем одновременного экспонирования и селективного травления таких слоев. Обсуждается возможный механизм фототравления халькогенидных стеклообразных полупроводников. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p520-524.pdf Доп.точки доступа: Данько, В. А.; Индутный, И. З.; Минько, В. И.; Шепелявый, П. Е.; Березнева, О. В.; Литвин, О. С. |