Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP [Текст] / А. С. Гудовских [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1403-1408 : ил. - Библиогр.: с. 1407-1408 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- фотопреобразователи -- GaInP -- валентные зоны -- p-n структуры -- излучения -- солнечные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- границы раздела -- свойства границ раздела -- фосфиды -- атомы 3 группы Аннотация: Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al[0. 8]Ga[0. 2]As и p- (Al[0. 6]Ga[0. 4]) [0. 51]In[0. 49]P. Доп.точки доступа: Гудовских, А. С.; Калюжный, Н. А.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |