539.2 Л 690 Логачева, В. А. Исследование процессов оксидирования и свойств тонкопленочных гетероструктур на основе индия и олова [Текст] / В. А. Логачева, Т. А. Мячина, А. Н. Лукин, А. М. Ховив // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 25-30 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- тонкопленочные гетероструктуры -- индий -- олово -- оксидирование -- магнетронное распыление -- послойное напыление -- твердофазные процессы -- ITO-структуры Аннотация: В работе исследуются твердофазные процессы в тонких пленках (~200 нм) на основе оксидов индия и олова (ITO-структуры), полученных магнетронным распылением из составной мишени (In - 93 ат. %, Sn - 7 ат. %) и послойным напылением структур In/Sn/Si и SiVIn/Si из двух магнетронов в едином вакуумном цикле при их оксидировании в потоке кислорода. Методами адсорбционной спектроскопии в области края собственного поглощения, рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии проведено сравнение двух способов формирования оптически прозрачных полупроводниковых пленок, изучена динамика изменения их оптических свойств и структуры. Доп.точки доступа: Мячина, Т. А.; Лукин, А. Н.; Ховив, А. М. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 312-317 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- селенид галлия -- оксиды -- буферный слой -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- излучательные свойства -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga[2]O[3] толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода V[oc] более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда V[oc] значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga[2]O[3] специально не выращивался. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.3 К 563 Ковалюк, З. Д. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO-GaSe [Текст] / З. Д. Ковалюк, П. Г. Литовченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 570-574 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры ITO-GaSe -- ITO-GaSe -- фотоэлектрические параметры -- нейтронное облучение -- быстрые нейтроны Аннотация: Исследовано влияние быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ на фотоэлектрические параметры гетероструктур ITO-GaSe. Показано, что наблюдаемые изменения вольт-амперных характеристик обусловлены действием проникающего излучения на обе компоненты структуры, с чем связан рост сопротивления гетероструктур. Наличие тонкой структуры экситона в спектрах фоточувствительности после облучения показывает, что, несмотря на внесенные радиационные дефекты, GaSe сохраняет структурное совершенство. Полученные результаты объясняются пространственным перераспределением легирующей примеси в GaSe и структурными изменениями в пленках ITO. Доп.точки доступа: Литовченко, П. Г.; Политанская, О. А.; Сидор, О. Н.; Катеринчук, В. Н.; Ластовецкий, В. Ф.; Литовченко, О. П.; Дубовой, В. К.; Поливцев, Л. А. |
Фото и электролюминесценция органических молекулярных композиций на основе Alq[3], TPD и PVK [Текст] / Н. С. Еремина [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 89-95. - Библиогр.: c. 95 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): методика оценки чистоты поверхности (физика) -- поверхность ITO -- спектрально-люминесцентные свойства -- фотолюминесценция -- чистая поверхность ITO -- электролюминесценция Аннотация: На основании результатов исследования спектрально-люминесцентных свойств трис- (8-оксихинолинат) алюминия и N, N'-бис (З-метилфенил) -N, N'-дифенилбензилидена в хлорсодержащих растворителях (хлороформе, дихлорэтане, тетрахлоэтане) и в пленках поливинилкарбазола, полученных из этих растворителей, сделан выбор растворителей для получения качественных электролюминесцирующих пленок. Отработаны условия формирования структур анод/полимерная пленка/катод с комплексом свойств, необходимых для измерения вольт-амперных и вольт-яркостных характеристик. Доп.точки доступа: Еремина, Н. С.; Самсонова, Л. Г.; Копылова, Т. Н.; Майер, Г. В.; Дегтяренко, К. М.; Тельминов, Е. Н.; Гадиров, Р. М.; Мезенцева, А. В. |
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |
Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 801-806 : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины. Доп.точки доступа: Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В. |
Катеринчук, В. Н. Пленки вырожденных собственных окислов полупроводниковых кристаллов InSe и In[4]Se[3] [Текст] / В. Н. Катеринчук, М. З. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1212-1215 : ил. - Библиогр.: с. 1215 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- полупроводниковые кристаллы -- кристаллы -- окислы -- p-InSe -- p-In[4]Se[3] -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кристаллические подложки -- термическое окисление -- диоды -- металл-проводник -- электрические свойства -- пленки ITO Аннотация: Представлены результаты исследования электрических свойств гетеропереходов окисел-p-InSe и окисел-p-In[4]Se[3], в которых фронтальный слой получали путем термического окисления кристаллических подложек. Установлено, что прямые ветви вольт-амперных характеристик гетеропереходов имеют сходство с прямыми ветвями вольт-амперных характеристик диодов металл-полупроводник, в которых перенос тока осуществляется основными носителями. Поэтому электрические свойства гетеропереходов интерпретировались в предположении, что собственный окисел является вырожденным полупроводником. Для потверждения последнего предположения данные сопоставлялись с результатами исследования, проведенного на гетеропереходах ITO-GaTe, в которых пленка ITO была сформирована специально вырожденной. Доп.точки доступа: Ковалюк, М. З. |
621.315.592 A 35 AlGaInN-светодиоды с прозрачным p-контактом на основе тонких пленок ITO [Текст] / И. П. Смирнова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 384-388 : ил. - Библиогр.: с. 388 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- светодиоды -- AlGaInN-светодиоды -- ITO -- indium tin oxide -- квантовый выход -- спектральный диапазон -- квантовая эффективность -- сверхрешетки -- пленки -- металлические контакты Аннотация: Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с p-контактом на основе полученных пленок достигает 25 %, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет меньше 10 %. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3. 15 до 3. 37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным p-контактом на основе пленок ITO почти в 2. 5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными p-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с p-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p384-388.pdf Доп.точки доступа: Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В. |
621.315.592 И 546 Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики [Текст] / Д. А. Зуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 425-429 : ил. - Библиогр.: с. 428 (29 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): импульсное лазерное осаждение -- ИЛО -- тонкие пленки -- ITO -- оксид индия и олова -- indium tin oxide -- подложки -- кварцевое стекло -- температура подложек -- удельное сопротивление -- мишени -- структурные свойства -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения выращены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO) на подложках из кварцевого стекла. Проведены исследования структурных, электрических и оптических свойств пленок ITO в зависимости от температуры подложки, давления кислорода в вакуумной камере и концентрации Sn в мишени. Пропускание полученных пленок ITO в видимой области спектра превышает 85 %. Достигнуто минимальное значение удельного сопротивления 1. 79 x 10{-4} Ом x см в пленках ITO с содержащим Sn 5 ат%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p425-429.pdf Доп.точки доступа: Зуев, Д. А.; Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Лебедев, Ф. В.; Храмова, О. Д.; Петухов, И. А.; Путилин, Ф. Н.; Шатохин, А. Н.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М. |
621.315.592 В 586 Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло [Текст] / Г. Г. Унтила [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 984-990 : ил. - Библиогр.: с. 989-990 (42 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оксид индия -- легирование оловом -- олово -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- СЭ -- метод ультразвукового спрей-пиролиза -- ультразвуковой спрей-пиролиз -- спрей-пиролиз -- подложки -- осаждение пленок -- пленки оксида индия -- ITO -- оптические свойства -- электрические свойства -- кремний -- слоевое сопротивление -- фотонапряжение структур -- пленкообразующие растворы -- поглощение пленок Аннотация: С целью оптимизации свойств легированного оловом оксида индия (ITO) применительно к кремниевым солнечным элементам осаждали пленки толщиной ~100 нм методом ультразвукового спрей-пиролиза при температуре 380oC в аргоне на подложки (nn{+}) -Cz-Si и стекла, варьируя относительное содержание Sn и In в пленкообразующем растворе в диапазоне Sn/In=0-12 ат%. Оптимальные параметры показали пленки, полученные при Sn/In=2-3 ат% в растворе (в пленке Sn/ (In+Sn) =5. 2-5. 3 ат%) : эффективное поглощение пленок на стекле, взвешенное по солнечному спектру в диапазоне длин волн 300-1100 нм, составило 1. 6-2. 1%, слоевое сопротивление пленок на кремнии R[s]=45-55 Ом, пленок на стекле R[s]=165-175 Ом. Через 8 месяцев хранения на воздухе R[s] оптимальных пленок не изменилось, R[s] остальных пленок выросло: для пленок на кремнии до 2 раз, на стекле до 14 раз. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p984-990.pdf Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Тимофеев, М. А. |
548/549 Г 464 Гидротермальный и гидротермально-микроволновой синтез ориентированных наностержней оксида цинка на Ito-подложке / В. А. Лебедев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 444, № 1, май. - С. 47-49 : 4 рис. - Библиогр.: с. 49 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): наностержни оксида цинка -- растровые микроскопы -- ионы цинка Аннотация: Получены массивы ориентированных наностержней оксида цинка на поверхности прозрачного проводящего электрода. Доп.точки доступа: Лебедев, В. А.; Гаврилов, А. И.; Шапорев, А. С.; Иванов, В. К.; Чурагулов, Б. Р.; Третьяков, Ю. Д. |
539.2 В 586 Влияние ионной обработки на свойства пленок In[2]O[3]:Sn / П. Н. Крылов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 859-863 : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): свойства пленок -- пленки ITO -- оксид индия -- магнетронное напыление -- метод реактивного ВЧ магнетронного напыления -- температура подложки -- индий -- олово -- электропроводность -- рентгеноаморфные пленки -- оптическое поглощение -- длина волны -- ионная обработка Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50 °C без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры. The paper shows the change in the properties of ITO films depending on the ion current and the temperature of the substrate. The films were prepared by reactive RF magnetron sputtering with simultaneous ion-beam treatment. Ion treatment of the growing film during the deposition process slightly changes the relative amount of tin and indium, but significantly increases the electrical conductivity. The films obtained at temperatures below 50°С without ion treatment are the X-ray amorphous. Ion treatment and increase the condensing temperature leads to crystallization of the films and the optical absorption edge shifts towards shorter wavelengths. Increasing the ionic current treatment causes the appearance of texture. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p859-863.pdf Доп.точки доступа: Крылов, П. Н.; Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Гильмутдинов, Ф. З. |
533.9 К 850 Крылов, П. Н. Оптические свойства пленок ITO, полученных высокочастотным магнетронным напылением с сопутствующей ионной обработкой / П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1421-1424 : ил. - Библиогр.: с. 1424 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- свойства пленок -- тонкие пленки -- оксид индия -- ITO -- метод реактивного высокочастотного напыления -- реактивное высокочастотное напыление -- ионная обработка -- обработка ионами -- показатель преломления -- оптическое пропускание -- удельное сопротивление -- запрещенные зоны -- магнетронное напыление Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO (indium tin oxide), полученных методом реактивного высокочастотного напыления с одновременной ионной обработкой. Пленки ITO имеют в оптическом диапазоне 450-1100 нм пропускание 80%, ширину запрещенной зоны 3. 50-3. 60 эВ, показатель преломления 1. 97-2. 06. Все характеристики пленок зависят от тока ионной обработки. Ионная обработка в процессе напыления уменьшает удельное сопротивление пленок ITO, минимальное значение сопротивления составляет 2 x 10{-3} Ом x см. Обнаружена деградация пленок с высоким удельным сопротивлением при хранении на воздухе. The paper shows the change in the properties of ITO films prepared by reactive RF magnetron sputtering with simultaneous ion treatment. ITO films have in the optical range 450-1100 nm transmittance > 80%, the band gap of 3. 50-3. 60 eV, the refractive index of 1. 97-2. 06. All properties of the films depend on the current ion treatment. Ion treatment during deposition reduces the resistivity of ITO films, the minimum resistivity value is 2 x 10{-3}Om x cm. It was detected degradation of films with high resistivity when stored in air. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1421-1424.pdf Доп.точки доступа: Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Удмуртский государственный университет; Удмуртский государственный университетУдмуртский государственный университет |
621.7 О-627 Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / И. П. Смирнова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 61-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Техника Обработка материалов Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- оптические свойства -- электрические свойства -- свойства пленок -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- InO -- ITO -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- электронно-лучевые пленки -- проводимость -- метод магнетронного напыления -- светодиоды -- ультрафиолетовые диапазоны Аннотация: Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области p-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов. We studied structural, optical, and electrical properties of indium tin oxide (ITO) films obtained by the electron-beam evaporation, magnetron sputtering and combine method. It is shown that in spite of high transmittance of the electron-beam ITO films in the visible range, their conductivity and refractive index are appreciably lower than that for the ITO films obtained by magnetron sputtering. A fabrication technique combining these two deposition methods has been developed to form two-layered systems. As a result, we obtained the films, which have the advantages of magnetron sputtered layers and can be applied as contacts to p-GaN in the blue and near ultraviolet LEDs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p61-66.pdf Доп.точки доступа: Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург) |
539.2 К 850 Крылов, П. Н. Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на макронапряжения ITO пленок / П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 763-767 : ил. - Библиогр.: с. 767 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевая обработка -- магнетронное распыление -- проводящие пленки -- оксид индия -- легирование оловом -- метод чередующихся процессов -- рентгенографические исследования -- технологические режимы -- температурные зависимости Аннотация: Прозрачные проводящие пленки оксида индия, легированного оловом, получены методом чередующихся процессов реактивного ВЧ магнетронного распыления и ионной обработки. Рентгенографически исследованы напряженные состояния ITO пленок. Показано влияние технологических режимов на изменение макронапряжений в пленках ITO. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p763-767.pdf Доп.точки доступа: Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Удмуртский государственный университет (Ижевск); Удмуртский государственный университет (Ижевск)Удмуртский государственный университет (Ижевск) |
539.2 К 850 Крылов, П. Н. Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO / П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1269-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (29 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионная обработка -- обработка ионами -- магнетронное распыление -- сопротивление пленок -- пленки ITO -- комнатная температура -- носители зарядов -- конденсация -- температура конденсации -- дефекты Аннотация: Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2Sn[In]O{``}[i]) {x}. It is shown that the ion beam treatment in the process of obtaining reactive RF magnetron sputtering reduces the resistance of ITO films, even at room temperature. Variation of the Hall mobility and carrier concentration as values function of the condensation temperature and current ion treatment are investigated. Resistance is decreased mainly due to increase of the carrier concentration. It is assumed that the change in carrier concentration is due to the defects (2Sn[In]O{``[i] ) [x]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1269-1273.pdf Доп.точки доступа: Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Удмуртский государственный университет; Удмуртский государственный университетУдмуртский государственный университет |
608 В 170 Ван Фан Китайский дизайн / Ван Фан // Китай. - 2014. - № 10. - С. 55-57 : 12 фот., 1 рис. . - ISSN 1005-5010
Рубрики: Техника Изобретательство и рационализация. Патентное дело Кл.слова (ненормированные): Ginkgo -- QOROS 3 Hatch -- Red Dot Award -- ThinkPad -- ThinkPad X1 -- X-bot -- автокресла -- автомобили -- детские автокресла -- дизайн приборов -- зонты -- иномарки -- карты памяти -- китайские автомобили -- китайские бренды -- китайские изделия -- китайские компании -- китайские корпорации -- китайский промышленный дизайн -- Красная точка -- мебель -- настольные лампы -- ноутбуки -- премии -- промышленный дизайн -- пылесосы -- ручные часы -- складные лампы -- солнцезащитные зонты -- трехмерные часы -- уличная мебель -- устройства слежения -- чайники -- часы -- чемоданы -- электрические чайники Аннотация: Изделия китайского промышленного дизайна, завоевавшие одну из самых авторитетных премий в области дизайна "Красная точка". |
539.2 П 764 Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / Л. К. Марков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1713-1718 : ил. - Библиогр.: с. 1717-1718 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- оптические свойства -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- индий -- In -- олово -- Sn -- оксиды -- поглощение света -- коэффициент отражения -- электропроводность -- светодиоды -- пленки -- поверхности пленок Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства многослойных композиций ITO/SiO[2]/Ag, в которых слой ITO (оксид индия и олова) был получен двумя различными методами: электронно-лучевым испарением и комбинированным способом, включающим электронно-лучевое испарение и последующее магнетронное напыление. Показано, что отражающая способность композиции на основе пленки ITO, полученной методом электронно-лучевого испарения, существенно ниже. Это можно объяснить значительным поглощением света на обеих границах слоя SiO[2], возникающим вследствие сложного рельефа поверхности пленок ITO, напыленных электронно-лучевым испарением. Образцы с пленкой, полученной методом комбинированного нанесения, имеют коэффициент отражения на уровне 90% при нормальном падении излучения, что в совокупности с их большей электропроводностью обеспечивает им преимущество для применения в качестве отражающих контактов к области p-GaN AlInGaN-светодиодов флип-чип конструкции. In this paper, structural and optical properties of the multi-layer compositions ITO/SiO[2]/Ag are studied. ITO layers in the system were obtained by two different ways: electronbeam evaporation and combined method including electron-beam evaporation and following magnetron sputtering deposition. It is shown that the reflectivity of the composition based on ITO film obtained by electron-beam evaporation is much less. It can be explained by considerable light absorption at both interfaces of SiO[2] layer due to the complicated rough surface relief of the ITO films deposited by electron-beam evaporation. The samples with the film obtained by the combined method demonstrated a reflection coefficient as high as 90% at normal incident of light. This fact together with higher conductivity of these films ensures them advantages for application as reflective p-contacts in AlInGaN flip-chip LEDs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1713-1718.pdf Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Закгейм, Д. А.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва) |