621.3 Л 228 Лантратов, В. М. Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 751-755 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- МОС-гидридная эпитаксия -- GaInP/GaAs -- туннельные диоды -- каскадные солнечные элементы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов Ga[x]In[1-x]P и Al[x]In[1-x]P. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см\{2\} на основе сильно легированных слоев n\{++\}-GaAs : Si и p\{++\}-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30. 03% (AM1. 5D, 40 солнц). Доп.точки доступа: Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |
Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y]/GaInP/GaAs (001) [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1086-1093 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): домены -- эпитаксиальные гетероструктуры -- спинодальный распад -- наногетероструктуры -- закон Вегарта -- Вегарта закон -- уравнение Куфала -- Куфала уравнение Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства двухслойных и трехслойных эпитаксиальных гетероструктур, содержащих слои четверного твердого раствора Ga[x]In[1-x]AsyP[1-y]. В трехслойных гетероструктурах обнаружено образование доменов в результате спинодального распада четверного твердого раствора. В результате в спектрах фотолюминесценции возникает дополнительная длинноволновая полоса, а на дифрактограммах линии (006) появляется дополнительный дублет CuK[aльфа1, 2]-линии. На основании закона Вегарда и уравнения Куфала определены составы доменов. Доп.точки доступа: Домашевская, Э. П.; Гордиенко, Н. Н.; Румянцева, Н. А.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Битюцкая, Л. А.; Арсентьев, И. Н.; Вавилова, Л. С.; Тарасов, И. С. |
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные гетероструктуры -- диэлектрические зеркала -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- лазерные диоды -- ассиметричные волноводы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO[2]/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5. 1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9. 9 Вт. Доп.точки доступа: Алуев, А. В.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Чельный, А. А.; Шамахов, В. В.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С. |
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP [Текст] / А. С. Гудовских [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1403-1408 : ил. - Библиогр.: с. 1407-1408 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- фотопреобразователи -- GaInP -- валентные зоны -- p-n структуры -- излучения -- солнечные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- границы раздела -- свойства границ раздела -- фосфиды -- атомы 3 группы Аннотация: Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al[0. 8]Ga[0. 2]As и p- (Al[0. 6]Ga[0. 4]) [0. 51]In[0. 49]P. Доп.точки доступа: Гудовских, А. С.; Калюжный, Н. А.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1568-1576 : ил. - Библиогр.: с. 1575-1576 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- германий -- GaInP/GaInAs/Ge -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- германиевые субэлементы Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1. 5 А/см{2}. Доп.точки доступа: Калюжный, Н. А.; Гудовских, А. С.; Евстропов, В. В.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |
Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / В. М. Емельянов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1649-1654 : ил. - Библиогр.: с. 1654 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): многопереходные элементы -- солнечные элементы -- брэгговские отражатели -- GaInP/GaInAs/Ge -- субэлементы -- облучение электронами -- GaInAs -- Ge -- фотопреобразователи -- дозы электронов -- геосинхронные орбиты -- оптимизация структур -- гетероструктуры -- радиационное облучение -- неоптимизированные элементы -- фототоки Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga (In) As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·10{15} см{-2}. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя. Доп.точки доступа: Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М. |
621.383 К 652 Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P) / А. С. Власов [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 7. - С. 106-110. - Библиогр.: c. 110 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): концентраторные фотоэлектрические модули -- фотоэлектрические модули -- спектральное расщепление света -- линзы Френеля -- Френеля линзы -- дихроичные фильтры -- эффективность фотоэлектрического преобразования -- фотоэлектрическое преобразование -- солнечные элементы -- МОС-гидридная эпитаксия -- каскадные солнечные элементы Аннотация: Разработан концентраторный фотоэлектрический модуль со спектральным расщеплением солнечного света на основе линз Френеля и дихроичных фильтров. В соответствии с оценкой эффективность фотоэлектрического преобразования такого модуля может достигать 49. 4% при использовании трех однопереходных элементов, а при комбинации тандемного двухпереходного элемента и узкозонных элементов может быть достигнута 48. 5-50. 6%. Были получены однопереходные солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs, GaSb, InGa (P) As методом диффузии Zn из газовой фазы в эпитаксиальный слой с проводимостью n-типа. Каскадные солнечные элементы на основе структуры GaInP/GaAs были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии. Общая эффективность трех однопереходных солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 38. 1% (AM1. 5D) при степени концентрирования K[c]=200x. Комбинация солнечных элементов с использованием каскадных структур показала эффективность 37. 9% при концентрациях от 400 до 800 солнц. Были проведены измерения параметров концентраторного фотоэлектрического модуля с системой спектрального расщепления. Достигнута эффективность 24. 7% фотоэлектрического преобразования модуля с тремя однопереходными элементами и 27. 9% модуля с двух- и однопереходным солнечными элементами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/07/p106-110.pdf Доп.точки доступа: Власов, А. С.; Хвостиков, В. П.; Карлина, Л. Б.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Марухина, Е. П.; Андреев, В. М. |
535.37 М 801 Морозов, И. А. Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения / И. А. Морозов, А. С. Гудовских // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 475-480 : ил. - Библиогр.: с. 480 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): зонные структуры -- границы раздела -- солнечные элементы -- гетероструктуры -- спектральные характеристики -- неосновные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- эмиттеры -- поверхностные состояния -- фотолюминесценция Аннотация: Проведены исследования зонной структуры и свойств границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур GaInP/AlInP. Продемонстрирован эффект изменения зонной структуры на границе раздела p-AlInP, широкозонное окно p-GaInP, эмиттер, под воздействием излучения, приводящий к ситуации, когда спектральные характеристики солнечных элементов на основе GaInP зависят от интенсивности излучения. Разработана новая методика по оценке величин времени жизни неосновных носителей заряда в слое p-GaInP эмиттера и плотности поверхностных состояний на границе раздела широкозонное окно/эмиттер (p-AlInP/p-GaInP) на основе обнаруженного эффекта. Показано, что плотность поверхностных состояний на границе p-AlInP/p-GaInP находится в диапазоне 10{9}-10{11} см{-2}эВ{-1}. The investigations of the band structure and properties of the interface in solar cells based on GaInP/AlInP heterostructures are presented. Demonstrated the effect of changes in the band structure at the interface p-AlInP wideband window p-GaInP emitter under the influence of radiation, resulting when the spectral characteristics of solar cells based on GaInP depends on the intensity of radiation. A new method to assess the value of the lifetime of minority carriers in a layer of p-GaInP emitter and the density of surface states at the interface of wide-window/emitter (p-AlInP/p-GaInP) on the basis of the observed effect. It is shown that the density of surface states on the p-AlInP/p-GaInP is in the range 109 {-10}11 cm{-2}eV{-1}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p475-480.pdf Доп.точки доступа: Гудовских, А. С.; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукСанкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук |