621.375 К 83 Крохин, О. Н. 50 лет квантовой электронике [] / О. Н. Крохин // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 5. - С. 436-445. - Пятьдесят лет квантовой электронике . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--Организация науки Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): наука -- электроника -- лазерная физика -- лазеры -- оптические излучения -- излучения оптические -- наука -- сессии Аннотация: В докладе академика О. Н. Крохина говорится о том, что на протяжении полувека отечественная наука была на высоком уровне достижений и внесла огромный вклад в квантовую электронику. Венцом этого достижения, безусловно, является создание в 1960 г. лазера - источника высококогерентного оптического излучения. Доп.точки доступа: Российская академия наук; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Совместная научная сессия Общего собрания РАН и Ученого совета МГУ, посвященная 250-летию Московского университета |
537.525 Р 41 Репьев, А. Г. Динамика оптического излучения высоковольтного диффузного разряда в электродной системе стержень-плоскость в воздухе атмосферного давления [Текст] / А. Г. Репьев, авт. П. Б. Репин // Физика плазмы. - 2006. - Т. 32, N 1. - С. 75-82. - Библиогр.: с. 82 (5 назв. ). - ил.: 6 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): плазма -- диффузные разряды -- оптические излучения -- наносекундные разряды -- диффузные разряды -- электродные системы Аннотация: Представлены результаты исследования динамики свечения наносекундного диффузного разряда в электронной системе стержень-плоскость. Разряд изучался в воздухе при атмосферном давлении и межэлектродном зазоре 10 см (катод-стержень диаметром 1 см диаметром 1 см с пулеобразной конфигурацией торца) . Амплитуда напряжения на разрядном промежутке составляла 220 кВ при времени нарастания 10 нс и длительности импульса 180 нс. Доп.точки доступа: Репин, П. Б. |
621.37/.39 К 238 Карлов, Н. В. А. М. Прохоров - основатель Института общей физики [Текст] / Н. В. Карлов, В. И. Конов, В. В. Осико, И. А. Щербаков // Успехи физических наук. - 2007. - Т. 177, N 6. - С. 684-689. - Прохоров - основатель Института общей физики. - ил.: 6 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): сессии -- персоналии -- физики -- квантовая электроника -- лазеры -- излучения -- оптические излучения -- лазерная физика -- институты Аннотация: Исследования в области волоконной оптики были начаты по инициативе А. М. Прохорова. Установлены основные направления фундаментальных исследований института: физика конденсируемых сред, оптика и лазерная физика, радиофизика и электроника, акустика, физика плазмы. Перейти: http://data.ufn.ru//ufn07/ufn07_6/Russian/r076f.pdf Доп.точки доступа: Конов, В. И.; Осико, В. В.; Щербаков, И. А.; Прохоров, Александр Михайлович (11. 07. 1916-08. 01. 2002) |
535 М 232 Манекина, Ю. А. Взаимодействие органических люминофоров с твердотельной силикатной матрицей и оптическим излучением [Текст] / Ю. А. Манекина, авт. Р. Т. Кузнецова // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. 95-96. - Библиогр.: c. 96 (2 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные красители -- люминофоры -- оптические излучения -- органические люминофоры -- твердотельная силикатная матрица Аннотация: В работе приводятся характеристики взаимодействия лазерных красителей с твердотельной матрицей и оптическим излучением разной интенсивности. Доп.точки доступа: Кузнецова, Р. Т. |
539.21:535 З-811 Золотовский, И. О. Компрессионная динамика прямого и обратного гауссовского импульса в каскадном световоде [Текст] / И. О. Золотовский, А. Н. Петров, Д. И. Семенцов // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1472-1478. - Библиогр.: с. 1478 (15 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): каскадные световоды -- гауссовские импульсы -- компрессионная динамика -- дисперсия групповых скоростей -- оптические излучения Аннотация: Исследована динамика гауссовского импульса при прямом и обратном распространении в линейном каскадном световоде, состоящем из последовательности активных (с усилением) и пассивных элементов, для которых дисперсионные параметры считаются постоянными величинами. Проанализированы условия компрессии импульса в каскадном световоде. Рассмотрены влияние на данный процесс сопутствующего эффекта смешения несущей частоты и возможность перемещения максимума огибающей волнового пакета со скоростью, большей скорости света в вакууме. Доп.точки доступа: Петров, А. Н.; Семенцов, Д. И. |
Майер, А. А. Переключение солитонов в туннельно-связанных оптических волноводах слабым сигналом другой частоты [Текст] / А. А. Майер, С. А. Забелок // Доклады Академии наук. - 2003. - Т. 392, N 1. - С. 31-37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): физика -- солитоны -- оптика -- оптические излучения Аннотация: Показана возможность полностью оптического переключения фундаментальных солитонов в кубично-нелинейных ТСОВ. Доп.точки доступа: Забелок, С. А. |
Гидродинамика расплава поверхности металла при лазерном воздействии; наблюдение смены режимов в реальном времени [Текст] / С. Н. Багаев, В. Г. Прокошев, А. О. Кучерик и др. // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 395, N 2. - С. 183-186 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): гидродинамика расплавов -- гидродинамические неустойчивости -- лазерное излучение -- оптические излучения -- процессы плавления -- расплав металлов Аннотация: Определены показатели, характеризующие стохастизацию колебаний, и выявлены сценарии развития гидродинамических неустойчивостей. Доп.точки доступа: Багаев, С. Н.; Прокошев, В. Г.; Кучерик, А. О. |
Информация Роспатента [Текст] // Интеллектуальная собственность: Промышленная собственность. - 2008. - N 9. - С. 52-55 . - ISSN 0201-7067
Рубрики: Техника Изобретательство и рационализация. Патентное дело--Россия Кл.слова (ненормированные): патенты -- изобретения -- защитные покрытия -- оптические излучения -- фильтрация -- телеметрические измерения -- сканирующие устройства Аннотация: Представлены перспективные российские разработки в области транспортной, измерительной техники и приборостроения. Доп.точки доступа: Роспатент |
Лидарное уравнение для широкополосного оптического излучения [Текст] / Г. М. Креков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 15. - С. 8-15 : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): лидарные уравнения -- излучения -- оптические излучения -- широкополосное оптическое излучение -- численные исследования -- профили -- вертикальные профили -- концентрация молекул -- газы -- атмосферные газы -- импульсные излучения -- широкополосное импульсное излучение -- селективное поглощение -- генетические алгоритмы -- обобщенные уравнения -- обратное рассеяние -- спектральные интервалы -- оптические локаторы -- эксилампы -- импульсные эксилампы -- количественные примеры -- источники оптического излучения Аннотация: Численно исследуется возможность восстановления вертикальных профилей концентрации молекул малых атмосферных газов на основе широкополосного импульсного излучения, покрывающего области селективного поглощения выбранных газов с использованием генетического алгоритма. Предложена обобщенная форма лидарного уравнения, учитывающая конечные размеры спектральных интервалов регистрации сигналов обратного рассеяния. Впервые показана возможность использования в качестве источника оптического локатора импульсных эксиламп нового поколения. Приведены количественные примеры, иллюстрирующие правомерность предложенного подхода. Доп.точки доступа: Креков, Г. М.; Крекова, М. М.; Суханов, А. Я.; Лисенко, А. А. |
Адамова, М. С. Динамика оптического излучения в световодах с промодулированным по времени и длине показателем преломления [Текст] / М. С. Адамова, И. О. Золотовский // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 2. - С. 208-212. - Библиогр.: с. 212 (15 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): оптические излучения -- световоды -- двухмодовые волноводы -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Получено аналитическое решение задачи о распространении двухмодового пакета в нестационарном световоде. Рассмотрены обобщенные условия синхронизма для волн, распространяющихся в световодах с реализуемой бегущей волной изменения диэлектрической проницаемости (БВИДП). Исследованы условия сжатия импульсов в подобного рода световодах. Проанализирована зависимость скоростей максимумов огибающих волновых пакетов от параметров световода и характеристик реализуемой в них БВИДП. Доп.точки доступа: Золотовский, И. О. |
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н. |
Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М. |
Бондарь, И. В. Фоточувствительные структуры на монокристаллах MnIn[2]S[4]: создание и свойства [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- MnIn[2]S[4] -- свойства монокристаллов -- создание монокристаллов -- фоточувствительные структуры -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- спектры фоточувствительности -- межзонные оптические переходы -- прямые переходы -- непрямые переходы -- фотообразователи -- широкополосные фотообразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава выращены однородные монокристаллы тройного соединения MnIn[2]S[4]. Решена проблема создания фоточувствительных структур и выполнены первые исследования спектров фоточувствительности, которые позволили сделать вывод о характере межзонных оптических переходов в этом полупроводнике и оценить значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Отмечены возможности применений разработанных новых структур в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Мощные диодные лазеры (lambda=1. 7-1. 8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP [Текст] / А. В. Лютецкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1646-1649 : ил. - Библиогр.: с. 1648-1649 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- диодные лазеры -- квантово-размерные двойные гетероструктуры раздельного ограничения -- КР ДГС РО -- твердые растворы -- InGaAsP/InP -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- наногетероструктуры -- оптические излучения -- длина волны -- волноводы -- расширенные волноводы -- квантово-размерные слои -- мощности -- оптические мощности -- апертура -- температура -- мощные диодные лазеры Аннотация: Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см{-1} в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1. 76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2. 5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T[0]=50-60 K. Доп.точки доступа: Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лешко, А. Ю.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Рябоштан, Ю. А.; Мармалюк, А. А.; Тарасов, И. С. |
Выращивание монокристаллов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] и свойства фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 42 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- кубические решетки -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- атомы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи -- оптические излучения -- шпинели -- удельное сопротивление -- сопротивление -- температурная зависимость Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Обнаружение твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] -- атомный состав монокристаллов -- концентрация -- кубические структуры -- шпинели -- параметры -- линейная зависимость -- температурная зависимость -- удельное сопротивление -- сопротивление -- фоточувствительные структуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- межзонные переходы -- преобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения -- электрические свойства монокристаллов Аннотация: Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x], обеспечивающая контроль их атомного состава во всем интервале концентраций 0 < x < 1. Показано, что монокристаллы в диапазоне x=0-1 имеют кубическую структуру шпинели, причем параметр элементарной ячейки a подчиняется линейной зависимости от x. Обнаружен экспоненциальный характер температурной зависимости удельного сопротивления твердых растворов, на которых получены первые фоточувствительные структуры Cu/ (In[2]S[3]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x]. Получены первые спектры фоточувствительности этих структур, на основании которых определены зависимости энергии прямых и непрямых межзонных переходов от состава x. Сделан вывод о возможности их применения в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Осипова, М. А.; Бондарь, И. В. |
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С. |
Михайлов, М. М. Светимость космических аппартов, зависимость отражательной способности материалов от угла падения оптического излучения [Текст] / М. М. Михайлов // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 1. - С. 23-28 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): электромагнитные излучения -- коэффициент отражения -- материалы космической техники -- оптические излучения -- космические аппараты Аннотация: Получены зависимости спектров диффузного и зеркального отражения (300-1000 нм) и интегрального коэффициента отражения материалов внешних поверхностей космических аппаратов от угла падения солнечного излучения. |
Кузьмин, В. Л. Зависимость круговой поляризации обратно-рассеянного света в случайных средах от анизотропии рассеивателей [Текст] / В. Л. Кузьмин, И. В. Меглинский // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 1. - С. 105-112. - Библиогр.: с. 112 (33 назв. ) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): рассеяние света -- линейная поляризация -- круговая поляризация -- случайно-неоднородные среды -- методы Монте-Карло -- Монте-Карло методы -- оптические излучения -- кополяризованные компоненты -- кроссполяризованные компоненты компоненты Аннотация: Рассмотрено рассеяние света с линейной или круговой поляризацией от полуограниченной случайно-неоднородной среды. Доп.точки доступа: Меглинский, И. В. |
Периодические плазменные структуры в наносекундном разряде с щелевым катодом [Текст] / Н. А. Ашурбеков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 16. - С. 62-69 : ил. - Библиогр.: с. 69 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- плазменные структуры -- пространственные структуры -- периодические структуры -- периодические плазменные структуры -- наносекундные разряды -- катоды -- щелевые катоды -- поперечные наносекундные разряды -- импульсные разряды -- гелий -- газы -- страты -- типы страт -- напряжения -- токи -- оптические излучения Аннотация: Экспериментально исследована пространственная структура оптического излучения поперечного наносекундного разряда с щелевым катодом. Обнаружено формирование регулярной периодической структуры при формировании импульсного наносекундного разряда в гелии при средних давлениях газа. Определены границы существования плазменной структуры по напряжению горения и току разряда. Показано, что наблюдаемая плазменная структура отличается от известных типов страт. Доп.точки доступа: Ашурбеков, Н. А.; Иминов, К. О.; Кобзев, О. В.; Кобзева, В. С. |