Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М. |
539.2 Б 232 Банная, В. Ф. Методы оценки концентрации компенсирующей примеси в германии, легированном ртутью / В. Ф. Банная // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1444-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1446 (3 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примеси -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- Hg -- ртуть -- легирование ртутью -- анализ результатов -- результаты -- германий -- Ge Аннотация: На основании анализа результатов измерений постоянной Холла и подвижности в широком диапазоне температур в образцах германия, легированного ртутью, предложены методы оценки концентрации компенсирующей примеси из участков кривых, соответствующих температурам T>50 K. Делается вывод, что в указанном интервале температур локальные образования ртути в матрице образца ионизованы и оба метода применимы вне зависимости от химической природы примеси. On the basis of measurements of Hall coefficient and mobility in the wide range of temperatures in the samples of mercury-doped germanium, methods for estimation of compensating impurity concentration from the curves parts corresponding to temperatures T > 50K are suggested. It is concluded that in the specified temperature range, the local mercury inclusions in the sample matrix are ionized. Both methods are applicable in depending of the chemical nature of the impurities. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1444-1446.pdf Доп.точки доступа: Московский государственный гуманитарный университет им. М. А. Шолохова |