Усиление экваториального эффекта Керра в наноперфорированных пленках кобальта [Текст] / Э. Ю. Бучин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 8-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): эффект Керра -- Керра эффект -- усиление экваториального эффекта -- пленки -- наноперфорированные пленки -- кобальт -- Co -- технология приготовления -- магнитные структуры -- наноперфорированные магнитные структуры -- алюминий -- Al -- пористый алюминий -- магнитные тонкие пленки -- тонкие пленки -- подложки (физика) Аннотация: Представлена технология приготовления наноперфорированных магнитных структур на основе пленок кобальта, нанесенных на поверхность пористого алюминия. Полученные структуры демонстрируют значительное (на порядок) усиление экваториального эффекта Керра по сравнению с магнитными тонкими пленками на обычной подложке без пор. Эффект возрастает с увеличением глубины пор. Доп.точки доступа: Бучин, Э. Ю.; Ваганова, Е. И.; Наумов, В. В.; Папорков, В. А.; Проказников, А. В. |
Микроэлектромеханические переключатели на основе аморфных алмазоподобных углеродных пленок [Текст] / В. А. Власенко [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 15. - С. 105-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): переключатели -- микроэлектромеханические переключатели -- пленки -- углеродные пленки -- алмазоподобные углеродные пленки -- аморфные алмазоподобные углеродные пленки -- аморфные пленки -- результаты исследований -- однокристальные микроэлектромеханические переключатели -- АПП -- электроды -- подложки (физика) -- арсенид галлия -- кремний -- сверхвысокие частоты -- коммутируемые сигналы -- потери сигналов -- высокие скорости переключений -- GaAs -- Si -- галлий -- Ga -- мышьяк -- As Аннотация: Представляются результаты разработки и исследований однокристальных микроэлектромеханических переключателей (полная пара), подвижные элементы которых выполнены на основе высокоомных аморфных углеродных алмазоподобных пленок (АПП). Использование в RF MEMS переключателях АПП позволяет устранить эффекты "залипания" электродов, существенно понизить потери сигнала (до 100 dB), реализовать высокие скорости переключений (~ 10 ns) при сверхвысоких частотах коммутируемого сигнала (до 2 GHz на подложках из кремния и свыше 10 GHz на положках из арсенида галлия). Доп.точки доступа: Власенко, В. А.; Беляев, С. Н.; Ефимов, А. Г.; Ильичев, Э. А.; Маленкович, М. Д.; Немировский, В. Э.; Полторацкий, Э. А.; Горячев, А. В.; Попков, А. Ф.; Фролова, Г. В.; Шупегин, М. Л. |
Рутьков, Е. В. Интеркалирование графенового слоя на металле атомами иридия [Текст] / Е. В. Рутьков, Н. Р. Галль // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 8-9 (32 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): интеркалирование графеновых слоев -- слои -- графеновые слои -- исследование закономерностей интеркалирования -- пленки -- графитовые пленки -- двумерные графитовые пленки -- металлы -- иридий -- атомы иридия -- Ir -- интервалы температур -- тонкие пленки -- графен -- поверхность графена -- интеркалированное состояние -- подложки (физика) -- напыление атомов -- накопление атомов -- адсорбаты Аннотация: Исследованы закономерности интеркалирования графенового слоя (двумерной графитовой пленки) на металле (иридии, грань (111) ) атомами иридия. Показано, что в интервале температур 1000-1200 K тонкая пленка иридия, нанесенная на поверхность графена при комнатной температуре, полностью разрушается, а атомы переходят в интеркалированное состояние, т. е. располагаются между графеновым слоем и подложкой. Напыление атомов иридия непосредственно на нагретый образец графен/Ir (111) в диапазоне 1000-1500 K приводит к накоплению атомов только в интеркалированном состоянии, а поверхность графена остается свободной от адсорбата. Доп.точки доступа: Галль, Н. Р. |
Лазнева, Э. Ф. Лазерная стимулированная фрагментация и десорбция с поверхности органических пленок: 1-производные перилена [Текст] / Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев, С. А. Комолов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): фрагментация молекул -- лазерная десорбция молекул -- лазерно-стимулированная десорбция молекул -- лазерно-стимулированная фрагментация молекул -- молекулы -- пленки -- органические пленки -- поверхность органических пленок -- масс-спектры -- вакуумно-осажденные органические пленки -- перилен -- диангидрид тетракарбоксильной кислоты перилена -- PTCDA -- подложки (физика) -- импульсное излучение -- лазеры -- неодимовые лазеры -- энергия -- лазерное воздействие -- идентификация наблюдаемых фрагментов -- карбоксилдиангидридные группы -- декомпозиция молекул -- периленовые ядра -- фотостимулированные механизмы -- производные перилена Аннотация: Исследованы масс-спектры лазерной десорбции с поверхности вакуумно-осажденных органических пленок диангидрида тетракарбоксильной кислоты перилена (PTCDA) на подложках InAs и GaAs. Десорбция возбуждалась под действием импульсного (10 ns) излучения неодимового лазера (энергия кванта 2. 34 eV) в диапазоне плотности энергий в импульсе (0. 5 Доп.точки доступа: Туриев, А. М.; Комолов, С. А. |
Твердые нанокристаллические углеродные покрытия на основе фуллерита [Текст] / К. В. Оскомов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 20-29 : ил. - Библиогр.: с. 28-29 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные покрытия -- нанокристаллические углеродные покрытия -- твердые нанокристаллические углеродные покрытия -- фуллериты -- графиты -- магнетронное распыление -- метод несбалансированного магнетронного распыления -- ионная бомбардировка -- высоковольтная ионная бомбардировка -- импульсная высоковольтная ионная бомбардировка -- подложки (физика) -- покрытия (физика) -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния -- ориентация зерен -- решетки (физика) -- деформация решеток -- напряжения -- внутренние сжимающие напряжения -- механизмы упрочнения -- феномен возникновения сверхтвердости -- нанокристаллические материалы -- нанокомпозитные материалы -- морфология роста покрытий Аннотация: Впервые методом несбалансированного магнетронного распыления графита в условиях импульсной высоковольтной ионной бомбардировки подложки получены твердые углеродные покрытия, содержащие значительное количество нанокристаллического фуллерита. Показано, что для наиболее твердых образцов (18. 8 GPa) объемная доля фуллерита в покрытии (50%), размер областей когерентного рассеяния (53 nm), степень преимущественной ориентации зерен (85%), относительная деформация решетки (1. 02%) и уровень внутренних сжимающих напряжений (2. 91 GPa) достигают максимума. Такое поведение согласуется с механизмом упрочнения, объясняющим феномен возникновения сверхтвердости в нанокристаллических и нанокомпозитных материалах. Это предположение подтверждается также исследованиями морфологии роста полученных покрытий. Доп.точки доступа: Оскомов, К. В.; Сочугов, Н. С.; Соловьев, А. А.; Работкин, С. В. |
Особенности структурного состояния и механических свойств покрытий ZrN и Zr (Ti) -Si-N, полученных ионно-плазменными методами [Текст] / А. Д. Погребняк [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 103-110 : ил. - Библиогр.: с. 109-110 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): структурные состояния -- особенности структурных состояний -- покрытия -- нанокристаллические высокотвердые покрытия -- механические свойства -- возможности формирования покрытий -- формирование покрытий -- ZrN -- Zr (Ti) -Si-N -- ионно-плазменные методы -- метод вакуумно-дугового осаждения -- конденсаты систем -- кристаллы -- кристаллиты -- пленки (физика) -- сжимающие напряжения -- подложки (физика) -- система пленка-подложка -- результаты наноиндентирования -- исследуемые объекты -- двухфазные состояния -- конденсированные материалы -- пленка-подложка система Аннотация: Рассмотрены возможности формирования нанокристаллических высокотвердых покрытий методом вакуумно-дугового осаждения с ВЧ (HF-high-frequency discharge) стимуляцией. Конденсаты систем Zr (Ti) -Si-N содержат кристаллиты двух фаз ZrN и TiN. Кристаллиты в конденсате находятся под действием деформации сжатия в плоскости роста пленки, величиной порядка -1. 1%, что соответствует действию сжимающих напряжений в системе "пленка-подложка" величиной 3. 5 GPa. Результаты наноиндентирования свидетельствуют, что в исследуемых объектах наблюдается сильная неоднородность - участки с твердостью 29-30 GPa чередуются с участками, твердость которых превышает 45-47 GPa, что отвечает, полученным из структурных данных, модели двухфазного состояния конденсированного материала, состоящего из менее твердых ZrN кристаллов и более твердых TiN кристаллитов. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Соболь, О. В.; Береснев, В. М.; Турбин, П. В.; Дуб, С. Н.; Кирик, Г. В.; Дмитренко, А. Е. |
Зинченко, С. П. О текущем контроле роста пленок цирконата-титаната свинца в камере газового разряда [Текст] / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 66-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- рост пленок -- цирконат-титанат свинца -- ЦТС -- газоразрядные камеры -- газовые разряды -- режим реального времени -- газоразрядное напыление пленок -- подложки (физика) -- нержавеющие стали -- оптическое излучение -- длины волн -- параметры кривых отражения -- мощность -- корреляция параметров -- перовскиты -- пирохлоры -- технологические параметры -- физические характеристики Аннотация: В режиме реального времени (in situ) в ходе газоразрядного напыления пленок цирконата-титаната свинца Pb (Zr[x]Ti[1-x]) O[3] (ЦТС) на подложку из нержавеющей стали обнаружена осцилляторно затухающая зависимость интенсивности зеркально отраженного от пленки на подложке оптического излучения с длиной волны 0. 640 mum. Выявлены зависимость параметров кривых отражения от вводимой в разряд мощности и корреляция этих параметров с типом получаемых пленок (со структурами типа пирохлора и перовскита). Метод позволяет уже на начальной стадии контролировать в режиме in situ технологические параметры напыления, определяющие нужные физические характеристики. Доп.точки доступа: Ковтун, А. П.; Толмачев, Г. Н. |
Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- спектры -- исследование спектров -- кубические политипы -- подложки (физика) -- гексагональные политипы -- структурное совершенство -- низкие температуры -- излучение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- результаты исследований -- кристаллы -- объемные кристаллы Аннотация: Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.; Трегубова, А. С. |
Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. А. Павлов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- кремний -- нанокристаллический кремний -- формирование кремния -- сапфиры -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- подложки (физика) -- островки (физика) -- низкие температуры -- пирамидальные формы -- куполообразные формы -- кластеры -- размеры кластеров -- плотность островков Аннотация: Показано, что на начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на сапфире на поверхности подложки образуется массив островков кремния. При низких температурах подложки (меньше 650{o}C) островки имеют пирамидальную форму. При температурах подложки выше 650{o}C форма островков - куполообразная. С повышением температуры роста латеральный размер кластеров кремния увеличивается, а их плотность уменьшается. Максимальная плотность островков составила 2· 10{11} cm{-2}, латеральный размер не превышает 20 nm, а высота - 3 nm. Доп.точки доступа: Павлов, Д. А.; Шиляев, П. А.; Коротков, Е. В.; Кривулин, Н. О. |
Быстров, Ю. А. Барьерный слой антиэмиссионного покрытия [Текст] / Ю. А. Быстров, Н. З. Ветров, А. А. Лисенков // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 63-70 : ил. - Библиогр.: с. 70 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): антиэмиссионные покрытия -- барьерные слои -- сроки службы -- платина -- процессы диффузии -- подложки (физика) -- атомы -- материалы (физика) -- технология получения -- многослойные покрытия -- карбиды Аннотация: Установлено, что срок службы антиэмиссионного покрытия Pt[3]Zr определяется процессами встречной диффузии свободной платины в подложку и атомов материала подложки в покрытие. Разработана технология получения многослойного покрытия, содержащего в качестве подслоя карбид материала подложки, являющийся барьерным слоем, который препятствует встречной диффузии материала подложки и платины. Показано, что применение такого барьерного слоя существенно увеличивает срок службы антиэмиссионного покрытия. Доп.точки доступа: Ветров, Н. З.; Лисенков, А. А. |
О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- объемные кристаллы -- получение объемных кристаллов -- сублимационная эпитаксия -- 3C-SiC -- структурное совершенство -- эпитаксиальные слои -- политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои -- подложки (физика) -- метод Лэли -- Лэли метод Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Зубрилов, А. С.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Середова, Н. В.; Трегубова, А. С. |
Тимохов, Д. Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления [Текст] / Д. Ф. Тимохов, Ф. П. Тимохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 95-99 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- пористый кремний -- нанокластеры кремния -- подложки (физика) -- квантовые ограничения -- травление Аннотация: Исследованы возможные пути повышения квантового выхода фотолюминесценции слоев пористого кремния. Изучено влияние параметров анодного электрохимического травления на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, полученных на подложках кремния с различной кристаллографической ориентацией. По спектрам фотолюминесценции пористого кремния рассчитаны средние диаметры нанокластеров кремния. Обнаружен эффект влияния кристаллографической ориентации исходной кремниевой подложки на квантовый выход фотолюминесценции пористого кремния. Предложен механизм влияния кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, образующегося в процессе анодного электрохимического травления. Доп.точки доступа: Тимохов, Ф. П. |
Шарыпов, О. В. Влияние движения локального источника тепла на термокапиллярную деформацию тонкой пленки жидкости, стекающей под действием гравитации [Текст] / О. В. Шарыпов, П. А. Куйбин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): теоретический анализ -- источники тепла -- термокапиллярная деформация -- тонкие пленки -- жидкости (физика) -- гравитация -- наклонные плоскости -- длинноволновое приближение -- стационарные задачи -- характеристики течения -- режимы течения -- скорость движения -- угол наклона -- подложки (физика) Аннотация: Теоретически проанализировано воздействие движущегося локального источника тепла на структуру течения в тонкой пленке жидкости, стекающей по наклонной плоскости под действием гравитации. В длинноволновом приближении рассмотрена сопряженная гидродинамическая и тепловая двумерная стационарная задача. Сопоставлены характеристики течения в различных режимах: от режима течения по вертикальной поверхности при неподвижном источнике тепла от режима движения источника тепла относительно горизонтального слоя жидкости. Показано, что изменение профиля скорости, связанное с повышением скорости движения источника тепла и уменьшением угла наклона подложки при прочих равных условиях (постоянном расходе, толщине пленки и тепловыделении), приводит к резкому увеличению термокапиллярной деформации пленки жидкости. Доп.точки доступа: Куйбин, П. А. |
Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Р. Х. Акчурин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 82-88 : ил. - Библиогр.: с. 88 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- GaAs -- арсенид индия -- InAs -- капли индия -- условия осаждения капель -- подложки (физика) -- низкотемпературное разложение -- триметилиндий -- слияние капель -- квантовые точки -- формирование квантовых точек -- физико-химические аспекты -- МОС-гидридная эпитаксия -- термическая обработка -- термообработка -- образцы (физика) -- температуры -- изменение состава капель Аннотация: Исследованы условия осаждения капель In на подложке GaAs (100) при низкотемпературном (100{o}C) разложении триметилиндия. Показано, что для устранения частичного слияния капель можно использовать последующую термическую обработку образцов для испарения избыточного индия. При температурах термообработки 350-500{o}C изменение состава капель индия за счет подрастворения подложки мало и слабо влияет на возможное изменение состава квантовых точек. Доп.точки доступа: Акчурин, Р. Х.; Богинская, И. А.; Вагапова, Н. Т.; Мармалюк, А. А.; Ладугин, М. А. |
Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si[1-x]Sn[x] [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 17. - С. 104-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- структурные исследования -- фотоэлектрические исследования -- эпитаксиальные слои -- Si[1-x]Sn[x] -- растворы-расплавы -- оловянные растворы-расплавы -- подложки (физика) -- кристаллографическая ориентация -- эпитаксиальные пленки -- спектральные зависимости -- фоточувствительность -- температуры -- монокристаллические структуры -- субкристаллиты -- влияние температуры Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111) выращивались эпитаксиальные пленки Si[1-x]Sn[x] (0=< x=< 0. 04) n-типа проводимости. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности pSi-nSi[1-x]Sn[x] (0=< x=< 0. 04) структур при различных температурах. Показано, что эпитаксиальная пленка Si[0. 96]Sn[0. 04] имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 60 nm. Наблюдался сдвиг края фоточувствительности структуры pSi-nSi[0. 96]Sn[0. 04] в длинноволновую сторону по сравнению со структурой pSi-nSi. Обнаружено влияние температуры на фоточувствительность структур pSi-nSi[0. 96]Sn[0. 04] в примесной области поглощения. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Усмонов, Ш. Н.; Каланов, М.; Мадаминов, Х. М. |
Давыдов, С. Ю. Энергетические характеристики системы SiC (0001) -каналированный водород-графен [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 55-59. - Библиогр.: с. 59 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): энергетические характеристики -- водород -- графен -- каналированный водород -- система SiC (0001) -каналированный водород-графен -- кластеры -- атомы -- кремний -- подложки (физика) -- электронные структуры -- энергия связей -- орбитали Харрисона -- Харрисона орбитали -- метод связывающих орбиталей -- схемы влияния Аннотация: Для рассмотрения системы SiC (0001) -H-C (графен) выделяется кластер, содержащий 2 атома графена, 3 атома Si подложки и 2 (или 3) атома H. Расчеты электронной структуры и энергии связей выполнены в рамках метода связывающих орбиталей Харрисона. Анализируются две схемы влияния каналированного водорода на систему. Показано, что одна из схем (A-> B), где участвуют два атома водорода, энергетически невыгодна, тогда как при другой схеме (A-> C), в которую входят три атома водорода, имеем выигрыш в энергии. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А. |
Осаждение YBa[2]Cu[3]O[7-delta] пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления [Текст] / Н. В. Востоков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 60-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): подложки (физика) -- пленки (физика) -- осаждение пленок -- магнетронное напыление -- метод магнетронного напыления -- тонкие пленки -- формирование пленок -- процессы напыления -- технологические параметры -- процессы роста Аннотация: Исследованы особенности формирования пленок YBa[2]Cu[3]O[7-delta] на обеих сторонах подложки при их поочередном нанесении методом магнетронного напыления в геометрии on- axis. При напылении пленки на первую сторону подложки, на ее второй стороне формируется тонкая пленка, которая может служить качественным подслоем при получении пленки заданной толщины на второй стороне подложки. Показано, что контроль свойств пленки, сформировавшейся на обратной стороне подложки в процессе напыления на лицевую сторону, может служить тестом на оптимизацию технологических параметров роста. Доп.точки доступа: Востоков, Н. В.; Дроздов, Ю. Н.; Мастеров, Д. В.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Моделирование и экспериментальное исследование микрополосковых резонаторов и фильтра на основе высокотемпературного сверхпроводника [Текст] / М. Ф. Ситникова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 67-74 : ил. - Библиогр.: с. 74 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): резонаторы -- микрополосковые резонаторы -- ВТСП -- высокотемпературные сверхпроводники -- фильтры -- экспериментальные исследования -- пленки (физика) -- электродинамические параметры -- тестовые образцы -- YBCO -- подложки (физика) -- лантанат алюминия -- тестовые структуры -- фотолитография -- процесс фотолитографии -- ионное травление -- параметры модели -- поверхностное сопротивление -- диэлектрическая проницаемость -- экспериментальные характеристики -- расчетные характеристики Аннотация: Описано исследование ВТСП микрополосковых резонаторов и фильтра, включающее моделирование электродинамических параметров пленки ВТСП, проектирование резонаторов и фильтра, их изготовление и тестирование. Для изготовления тестовых образцов использовались двухсторонние пленки YBCO на подложке из лантаната алюминия толщиной 0. 5 mm. Для получения тестовой структуры использовался процесс фотолитографии с применением ионного травления для формирования структуры ВТСП резонатора и фильтра. Из эксперимента найдены параметры модели поверхностного сопротивления исследуемой пленки YBCO, а также толщина пленки и диэлектрическая проницаемость подложки. Адекватность модели и достоверность найденных параметров, использованных при синтезе и проектировании фильтра 4-го порядка, подтверждаются совпадением экспериментальных и расчетных характеристик. Доп.точки доступа: Ситникова, М. Ф.; Вендик, И. Б.; Вендик, О. Г.; Холодняк, Д. В.; Туральчук, П. А.; Колмакова, И. В.; Белявский, П. Ю.; Семенов, А. А. |
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 39-46 : ил. - Библиогр.: с. 46 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- эпитаксиальные слои -- CdHgTe -- подложки (физика) -- Si -- кремний -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- GaAs -- арсенид галлия -- спектры люминесценции -- экситоны -- рекомбинация экситона -- донорно-акцепторная рекомбинация -- примеси (физика) Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Показано, что разупорядочение твердого раствора в данных слоях не превышает разупорядочения в слоях, выращенных этим же методом на подложках из GaAs. В спектрах люминесценции слоев CdHgTe на подложках из Si наблюдались линии, свойственные структурно-совершенному материалу, в частности, полосы донорно-акцепторной рекомбинации и рекомбинации экситона, связанного на примеси. Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Смирнов, В. А.; Якушев, М. В.; Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г. |
Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 70-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- гетероструктуры -- наногетероструктуры -- CdHgTe -- подложки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- потенциальные ямы -- барьерные слои -- носители (физика) -- размерное квантование носителей -- уровни размерного квантования -- экситоны -- стохастические флуктуации -- эпитаксиальные слои -- экситонная фотолюминесценция -- микроскопические неоднородности Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наногетероструктур Cd[x]Hg[1-x]Te/ Cd[y]Hg[1-y]Te, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ширина потенциальных ям в структурах варьировалась от 12 до 200 nm при составе в яме x~ 0. 25-0. 40 и в барьерных слоях y~ 0. 68-0. 82. В структурах с ямами шириной 33 nm и менее наблюдались переходы между уровнями размерного квантования носителей. В структурах с ямами шириной более 50 nm наблюдалась ФЛ экситонов, локализованных флуктуациями состава, характерная для эпитаксиальных слоев Cd[x]Hg[1-x]Te толщиной более 3 mum. Показано влияние на уширение пика экситонной ФЛ Cd[x]Hg[1-x]Te не только стохастических флуктуаций состава, но и его макроскопических неоднородностей. Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Шиляев, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г. |