539.2 Ф 912 Фролов, В. Д. Новый тип упорядоченных углеродных наноструктур: наноконусы на поверхности пленок углеродно-кремниевого композита (a-C: H) : Si [Текст] / В. Д. Фролов, С. М. Пименов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 10-13 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- углеродные наноструктуры -- упорядоченные наноструктуры -- наноконусы -- пленки (физика) -- углеродно-кремниевый композит -- сканирующий зондовый микроскоп Аннотация: Описаны результаты исследований нового типа упорядоченных углеродных наноструктур - наноконусов на поверхности пленок углеродно-кремниевого композита типа (a-C: H) : Si. Наноконусы возникают под действием электрического поля зонда сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) в условиях воздушной среды, когда амплитуда и экспозиция воздействия превышают пороговые значения. Образованные нанообъекты сохраняют свою конусообразную форму при термическом отжиге вплоть до 700 градусов C. Выдвинуто предположение о том, что процесс формирования наноконусов связан с локальной перестройкой структуры углеродно-кремниевого композита из аморфного в нанокристаллическое состояние в электрическом поле зонда СЗМ. Доп.точки доступа: Пименов, С. М.; Заведеев, Е. В.; Конов, В. И.; Лубнин, Е. Н.; Кирпиленко, Г. Г. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Особенности адгезионных свойств пленок на ионно-легированных приборных структурах [Текст] / В. П. Астахов, В. В. Карпов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 87-92 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адгезионные свойства -- пленки (физика) -- ионно-легированные приборные структуры -- InSb -- SiO[x] Аннотация: Исследованы особенности адгезии диэлектрических и металлических пленок в приборных структурах на основе InSb, изготовленных в условиях промышленного производства. Выявлены основные факторы, влияющие на качество адгезии диэлектрика SiO[x] на антимониде индия и приводящие к сезонному эффекту снижения процента выхода годных приборов. Установлено, что дополнительное имплантационное легирование рабочих и периферийных областей приборных структур значительно улучшают адгезию покрытий. Эффект от имплантационного легирования сильно зависит от степени структурного совершенства исходного монокристалла, подготовки его поверхности и особенностей технологического цикла изготовления приборов. Доп.точки доступа: Карпов, В. В.; Крапухин, В. В.; Максимов, А. Д.; Туловчиков, В. С.; Тетельбаум, Д. И. |
539.2 С 121 Сабинина, И. В. Факторы, определяющие морфологию пленок Cd[x]Hg[1-x]Te при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 48-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe (301) -- пленки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- микроморфология пленок -- микроструктура пленок -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: С помощью атомно-силовой микроскопии исследована зависимость микроморфологии пленок CdHgTe (301), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от условий выращивания и микроморфологии буферного слоя CdTe. Просвечивающая и высокоразрешающая электронная микроскопия были использованы для выявления взаимосвязи между микроморфологией и микроструктурой пленок CdHgTe (301). Доп.точки доступа: Гутаковский, А. К.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Латышев, А. В. |
539.2 К 172 Калин, Б. А. Легирование ZrO[2] методом ионного перемешивания [Текст] / Б. А. Калин, Н. В. Волков, И. В. Олейников, С. Ю. Наквасин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 72-79. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ZrO[2] -- цирконий -- легирование -- ионное перемешивание -- пленки (физика) -- сплавы циркония Аннотация: Исследовались морфология и структура пленок ZrO[2], выращенных в пароводяной среде на ионно-легированной поверхности циркония и его сплавов Э110 и Э635. Установлено, что при больших временах окисления свойства оксидных пленок в основном определяются условиями ионного легирования. На примере образцов, одновременно легированных Al, Fe, Mo, Y, показано, что формирование многофазной оксидной пленки происходит за счет диффузионного перераспределения внедренных атомов в процессе окисления. Доп.точки доступа: Волков, Н. В.; Олейников, И. В.; Наквасин, С. Ю.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность) |
539.2 Б 144 Багмут, А. Г. Формирование, естественное старение и отжиг аморфных и кристаллических лазерных конденсатов золота [Текст] / А. Г. Багмут // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 65-79 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): золото -- пленки (физика) -- лазерные конденсаты -- лазерное распыление Аннотация: Представлен обзор электронно-микроскопических исследований структурных и морфологических изменений, протекающих при естественном старении и отжиге аморфных и кристаллических пленок, полученных лазерным распылением золота в вакууме и в атмосфере кислорода. |
539.2 Ш 264 Шаров, М. К. Микродеформация кристаллической решетки легированных галлием пленок РbТе на Si-подложках [Текст] / М. К. Шаров, авт. Я. А. Угай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 80-83 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- кристаллическая решетка -- PbTe -- галлий -- Si-подложки Аннотация: Методом "горячей стенки" из независимых источников пара теллура и металлических компонентов получены пленки PbTe (Ga) на кремниевых подложках. С помощью рентгеноструктурного анализа установлена взаимосвязь между микродеформацией кристаллической решетки и параметром элементарной ячейки. Доп.точки доступа: Угай, Я. А. |
539.2 Б 744 Богомолов, А. А. Температурное поведение фотовольтаического и пироэлектрического откликов пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn[2]P[2]S[6] [Текст] / А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 98-103 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- сегнетоэлектрики -- полупроводники -- Sn[2]P[2]S[6] -- лазерное излучение -- электрический отклик Аннотация: Проведены экспериментальные исследования электрического отклика пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn[2]P[2]S[6] на воздействие сфокусированного лазерного излучения (ламбда = 6328 А), модулированного с частотой 24 Гц. Доп.точки доступа: Солнышкин, А. В.; Киселев, Д. А.; Раевский, И. П.; Проценко, Н. П.; Санджиев, Д. Н. |
621.315.592 К 492 Климов, А. Э. Фоточувствительность пленок Pb[1-x]Sn[x]Te (In в угловых скобках) в области собственного поглощения [Текст] / А. Э. Климов, авт. В. Н. Шумский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 147-152 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стационарный фототок -- эффект Холла -- Холла эффект -- пленки (физика) -- фоточувствительность пленок Аннотация: Сделан расчет стационарного фототока в пленках Pb[1-x]Sn[x]Te (In в угловых скобках) в фундаментальной области поглощения с учетом полевой инжекции электронов из контакта и захвата их на ловушки в объеме. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных вольт-амперных характеристик при гелиевых температурах. Приводятся экспериментальные данные по зависимости эффекта Холла от уровня инжекции, которые хорошо согласуются с рассмотренной моделью. Доп.точки доступа: Шумский, В. Н. |
621.315.592 З-408 Заяц, Н. С. Оптические исследования пленок AIN/n-Si (100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления [Текст] / Н. С. Заяц, В. Г. Бойко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 195-198 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): высокочастотное магнетронное распыление -- пленки (физика) -- AIN/n-Si (100) -- алюминиевая мишень -- гетероэпитаксия Аннотация: Проведены морфологические и оптические (спектры отражения в диапазоне 200-750 нм, спектры пропускания в диапазоне 2-25 мкм, эллипсометрия) исследования пленок AlN толщиной 2-3 мкм, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в газовой смеси Ar и N[2] (1 : 3) с осаждением на подложки из монокристаллического кремния n-Si (100) с удельным сопротивлением 20-60 Ом х см. Показано, что пленки являются плотными, прозрачными, аморфными с кристаллическими зернами и могут эффективно использоваться в тонкопленочной технологии для изготовления современных микро- и оптоэлектронных приборов. Доп.точки доступа: Бойко, В. Г.; Генцарь, П. А.; Литвин, О. С.; Папуша, В. П.; Сопинский, Н. В. |
621.315.592 Е 924 Ефремов, М. Д. Вариация края поглощения света в пленках SiN[x] с кластерами кремния [Текст] / М. Д. Ефремов, В. А. Володин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 202-207 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые нанокристаллы -- кластеры кремния -- плазмохимическое осаждение -- край поглощения света -- оптические константы -- нитрид кремния -- пленки (физика) -- метод эллипсометрических углов Аннотация: С помощью оптических методов исследования получены данные об оптических константах пленок нитрида кремния, синтезированных методом плазмохимического осаждения. Рассмотрены модели расчета диэлектрической проницаемости в концепции неоднородной смеси фаз кремния и нитрида кремния. Обнаружено, что край поглощения света (E[g]) и максимум пика фотолюминесценции сдвигаются в красную область спектра с уменьшением атомной доли азота в пленках SiN[x]. При приближении x к значению 4/3, характерному для стехиометрического нитрида кремния Si[3]N[4], наблюдается нелинейное, резкое увеличение E[g]. Методом комбинационного рассеяния света обнаружено наличие связей Si-Si, что подтверждает формирование кластеров кремния непосредственно в процессе осаждения пленок. Установлена взаимосвязь состава нестехиометричных пленок нитрида кремния, значений диэлектрической проницаемости и ширины оптической зоны пропускания света. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Марин, Д. В.; Аржанникова, С. А.; Камаев, Г. Н.; Кочубей, С. А.; Попов, А. А. |
621.315.592 К 935 Курова, И. А. Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si : H [Текст] / И. А. Курова, авт. Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 447-450 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоиндуцированные метастабильные состояния -- кремний -- пленки (физика) -- интенсивность освещения пленки Аннотация: В пленках a-Si : H обнаружено немонотонное изменение с увеличением температуры в интервале 400-480 K концентрации медленных фотоиндуцированных метастабильных состояний и полуширины функции их распределения по времени отжига. Эти немонотонные изменения параметров ансамблей определяются зависящим от температуры соотношением скоростей образования и отжига исследуемых метастабильных состояний. Установлено также, что при уменьшении интенсивности освещения пленки падение концентрации метастабильных состояний и полуширины их распределения по времени отжига начинается при более высоких температурах. Это возможно объяснить, в частности, существенным уменьшением скорости отжига медленных метастабильных состояний по сравнению с уменьшением скорости их фотоиндуцированного образования, включающего, согласно трехуровневой модели, и термический процесс. Доп.точки доступа: Ормонт, Н. Н. |
621.315.592 С 324 Сердобинцев, А. А. Свойства пленок оксида цинка, синтезированных в низкотемпературном плазменном разряде в условиях бомбардировки компонентами плазмы [Текст] / А. А. Сердобинцев, А. Г. Веселов, О. А. Кирясова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 496-499 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- оксид цинка -- низкотемпературная плазма -- плазменный разряд -- диффузный режим Аннотация: Изучены оптические и структурные свойства тонких пленок оксида цинка, синтезированных в условиях бомбардировки компонентами низкотемпературной плазмы. Пленки синтезировались на холодной подложке, расположенной на расстоянии от мишени, сравнимом с длиной свободного пробега выбитых из мишени частиц. Определены показатель преломления, оптическая ширина запрещенной зоны и межплоскостное расстояние исследуемых пленок. Обнаружена зависимость этих параметров от длины свободного пробега частиц, определяемой давлением в распылительной камере. Выявлена устойчивая корреляция между параметрами пленок и интенсивностью бомбардировки. Предлагается качественное объяснение, основанное на анализе энергетических условий синтеза пленок. Доп.точки доступа: Веселов, А. Г.; Кирясова, О. А. |
621.315.592 В 180 Варавин, В. С. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием [Текст] / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 664-667 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- легирование индием -- фоторезисторные приемники -- фотодиодные приемники Аннотация: Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках Cd[x]Hg[1-x]Te. Пленки с x~0. 22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам. Доп.точки доступа: Дворецкий, С. А.; Икусов, Д. Г.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Сидоров, Г. Ю.; Якушев, М. В. |
621.315.592 С 347 Сидоров, Г. Ю. Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Г. Ю. Сидоров, Н. Н. Михайлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 668-671 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): крекинг -- мышьяк -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- кадмий-ртуть-теллур Аннотация: Пленки Cd[х]Hg[1-x]Te с x~0. 22 толщиной ~10 мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить p-тип проводимости с концентрацией дырок до 10\{17\} см\{-3\}. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного. Доп.точки доступа: Михайлов, Н. Н.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Сидоров, Ю. Г.; Дворецкий, С. А. |
Электронный транспорт в пленках аморфных металл-углеродных нанокомпозитов [Текст] / А. Д. Божко [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2007. - N 4. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 29-30 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные металл-углеродные нанокомпозиты -- металл-углеродные нанокомпозиты -- нанокомпозиты -- пленки (физика) -- электронный транспорт Аннотация: Исследована электропроводность пленок аморфных W-, Nb- и Cr-углеродных нанокомпозитов, содержащих кремний и кислород. Доп.точки доступа: Божко, А. Д.; Катаева, Е. А.; Такаги, Т.; Михеев, М. Г.; Гусева, М. Б. |
Исследование в режиме наведенного тока пленок GaN, полученных методом латерального заращивания [Текст] / П. С. Вергелес [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 14-17
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- латеральное заращивание -- режим наведенного тока -- энергия пучка -- доноры -- пленки (физика) -- GaN Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии в режиме наведенного тока исследованы пленки GaN, полученные латеральным заращиванием. Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей наведенного тока от энергии пучка позволило определить не только диффузионную длину, но и концентрацию доноров в разных областях пленки. Обнаружено, что распределение доноров неоднородно, и эта неоднородность увеличивается при облучении быстрыми нейтронами. Это свидетельствует о существенном влиянии структурных дефектов на скорость накопления радиационных дефектов. Обнаружен аномально медленный спад сигнала вне барьера Шоттки, который может определяться заряженными дефектами, формирующимися на границе сращивания. Доп.точки доступа: Вергелес, П. С.; Говорков, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Якимов, Е. Б. |
Панова, Т. В. Рентгенографические исследования двухслойных систем, облученных мощным ионным пучком [Текст] / Т. В. Панова, В. С. Ковивчак, В. И. Блинов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 76-79
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): рентгенофазовый анализ -- алюминий -- медь -- никель -- покрытия (физика) -- пленки (физика) -- сталь -- графит -- ионный пучок -- двухслойные системы Аннотация: Методами рентгенофазового анализа исследованы системы из алюминия, меди с покрытием из никеля и стали марки Ст20 с покрытием из графита, подвергнутые воздействию мощного ионного пучка наносекундной длительности. Обнаружено перемешивание Ni c Al и стали Ст20 c графитом. Показано, что перемешивание протекает в основном в жидкой фазе и зависит от теплофизических характеристик пленки и подложки. Доп.точки доступа: Ковивчак, В. С.; Блинов, В. И. |
Калинина, Е. В. P-n-детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375 градусов C) [Текст] / Е. В. Калинина, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 5. - С. 63-70
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): детекторы -- ядерное излучение -- спектрометрические характеристики -- пленки (физика) -- 4H-SiC Аннотация: Впервые представлены результаты исследования спектрометрических характеристик в температурном интервале 25-375 градусовC. Наблюдаемое повышение эффективности диффузионно-дрейфового переноса заряда с ростом температуры объяснено увеличением диффузионной длины неосновных носителей. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б. |
Аляев, Ю. Г. Фотоэлектронные процессы в гетеропереходах, образованных пленками органических материалов [Текст] / Ю. Г. Аляев, А. С. Комолов, М. В. Смирнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 12. - С. 55-61
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектронные процессы -- пленки (физика) -- органические материалы Аннотация: Проведены исследования явлений фотопроводимости и фотоэдс в гетероструктуре, образованной пленками донорного и акцепторного органических материалов. Обнаружено, что основным процессом, отвечающим за фотогенерацию и разделение носителей заряда, является распад фотовозбужденных молекулярных состояний в области интерфейса между донорным и акцепторным материалами. Установлено, что определяющее влияние на протекание фотоэлектронных процессов в данной гетероструктуре оказывает энергетическая структура электронных состояний на интерфейсе. Прослежена роль фотоиндуцированного межмолекулярного переноса заряда в формировании фотопроводимости в гетероструктуре. Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Смирнов, М. В. |
Чиннов, Е. А. Термокапиллярные эффекты в нагреваемой пленке жидкости при высоких числах Рейнольдса [Текст] / Е. А. Чиннов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 19. - С. 27-33 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): термокапиллярные эффекты -- пленки (физика) -- жидкости -- нагревание -- число Рейнольдса -- Рейнольдса число Аннотация: Выполнено экспериментальное исследование формирования струй на поверхности нагреваемой пленки вод при значениях числа Рейнольдса от 100 до 250. Измерены расстояния между струями в зависимости от числа Рейнольдса и плотности теплового потока. Обнаружен эффект деформации пленки жидкости в области начального участка теплообмена. |