Грицюк, Б. Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей [Текст] / Б. Н. Грицюк, А. А. Ляхов, С. В. Мельничук, В. Н. Стребежев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.57 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- полупроводники -- капиллярные испарители -- термические испарители -- рост пленок Аннотация: Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения Доп.точки доступа: Ляхов, А.А.; Мельничук, С.В.; Стребежев, В.Н. |
621.315.592 М 550 Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах n-TiO[2]/p-CdTe [Текст] / В. В. Брус [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1109-1113 : ил. - Библиогр.: с. 1113 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- гетеропереходы -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- напыление пленок -- диоксид титана -- монокристаллические пластины -- поверхность пластин -- теллурид кадмия -- метод реактивного магнетронного распыления -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- энергетические уровни -- туннелирование -- потенциальные барьеры -- примесные центры Аннотация: Поверхностно-барьерные анизотипные гетеропереходы n-TiO[2]/p-CdTe изготовлены напылением тонких пленок диоксида титана на свежесколотую поверхность монокристаллических пластин теллурида кадмия методом реактивного магнетронного распыления. Установлено, что электрический ток через исследуемые гетеропереходы формируется с помощью генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда через глубокий энергетический уровень, а также туннелированием сквозь потенциальный барьер. Определены глубина залегания и природа примесных центров, принимающих участие в токопереносе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1109-1113.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Илащук, М. И.; Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д.; Ульяницкий, К. С.; Грицюк, Б. Н. |